12月17日下午，華潤(rùn)微發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)OBC、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。

該款產(chǎn)品具有柵氧可靠性好、高電流密度、高開(kāi)關(guān)速度、工業(yè)級(jí)可靠性、Ron隨溫度變化小等優(yōu)勢(shì)。

事實(shí)上，華潤(rùn)微在碳化硅領(lǐng)域布局已久。2020年，華潤(rùn)微正式向市場(chǎng)投放了第一代1200V和650V工業(yè)級(jí)碳化硅肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列。同年，公司6英寸商用碳化硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)正式量產(chǎn)，這也是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。

今年11月19日，華潤(rùn)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司SiC二極管產(chǎn)品已量產(chǎn)并產(chǎn)生銷(xiāo)售收入。同時(shí)，其透露公司6吋sic晶圓生產(chǎn)線(xiàn)主要為自用，產(chǎn)能約為1,000片/月。

近年來(lái)，受益于新能源汽車(chē)、5G通信、光伏等行業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅需求增速可觀(guān)。

IHS報(bào)告顯示，2027年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模有望突破100億美元，其中新能源車(chē)銷(xiāo)量持續(xù)超預(yù)期使得SiC MOSFET有望成為最暢銷(xiāo)的功率器件，并保持較快增速。

研調(diào)機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research預(yù)估，2025年碳化硅在電動(dòng)車(chē)應(yīng)用的市場(chǎng)規(guī)?？芍?.5億美元，2021-2025年，年增率介于25%至30%。

本次華潤(rùn)微發(fā)布的SiC MOS新品，即可應(yīng)用于新能源汽車(chē)OBC及充電樁。

高電壓需求釋放碳化硅潛力

目前車(chē)企普遍應(yīng)用的是400V高壓平臺(tái)，250A電流可以達(dá)到100kW的充電功率，電池30%-80%SOC約30分鐘，與傳統(tǒng)汽油車(chē)加油體驗(yàn)還存在著較大的差距。為了進(jìn)一步向傳統(tǒng)車(chē)加油時(shí)間看齊，業(yè)內(nèi)寄望于把電壓平臺(tái)提升到800V甚至更高水平，達(dá)到300-500kW的充 電功率。

同等功率下，當(dāng)電壓從400V提升到800V后，工作電流將降低一半，進(jìn)而線(xiàn)束體積、功率損耗均有下降。

保時(shí)捷Taycan是首款800V高壓平臺(tái)的量產(chǎn)車(chē)型，已將最大充電功率提升至350KW，可以在大約23分鐘內(nèi)，把動(dòng)力電池從5%充至80%，相當(dāng)于300公里的續(xù)航能力。

國(guó)內(nèi)車(chē)企目前紛紛跟進(jìn)800V高壓平臺(tái)架構(gòu)，有望在2022年陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前小鵬汽車(chē)、廣汽埃安、比亞迪e平臺(tái)、吉利極氪、理想汽車(chē)、北汽極狐等車(chē)企已經(jīng)布局了 800V快充技術(shù)。

值得注意的是，電壓平臺(tái)的升高，意味著核心三電系統(tǒng)以及空調(diào)壓縮機(jī)、DCDC（直流變壓器）、OBC（車(chē)載充電機(jī)）等部件都要能在800V甚至1000V的電壓下正常工作。

而隨著耐壓能力更高、導(dǎo)熱性更好的碳化硅材料在技術(shù)上逐漸成熟，碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體器件開(kāi)始在高電壓平臺(tái)上嶄露頭角，不僅在耐壓和損耗水平上都能滿(mǎn)足800V電壓平臺(tái)的需求，還具備進(jìn)一步拓展至1200V電壓平臺(tái)的潛力。

中信證券在研報(bào)中表示，SiC基功率半導(dǎo)體由于耐壓高、損耗低、開(kāi)關(guān)頻率高等優(yōu)異性能，將全面替代Si基功率半導(dǎo)體。據(jù)了解，目前車(chē)企打造800V高壓平臺(tái)的出路，都是在IGBT上做文章，用碳化硅（SiC）器件替代目前的硅基IGBT。

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Si基功率器件供應(yīng)商，華潤(rùn)微擁有豐富的Si基功率器件經(jīng)驗(yàn)，其MOSFET、IGBT等產(chǎn)品大規(guī)模設(shè)計(jì)、量產(chǎn)及應(yīng)用，為其在SiC賽道搶占身位奠定了基礎(chǔ)。