服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進在電動汽車動力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。

作為SiC功率 MOSFET市場的領(lǐng)導者，意法半導體整合先進的設(shè)計技術(shù)，進一步挖掘SiC的節(jié)能潛力，繼續(xù)推動電動汽車和工業(yè)市場變革。隨著電動汽車市場加速發(fā)展，許多整車廠商和配套供應商都在采用 800V驅(qū)動系統(tǒng)，以加快充電速度，幫助減輕電動汽車重量。新的800V系統(tǒng)能夠幫助整車制造商生產(chǎn)行駛里程更長的汽車。意法半導體的新一代SiC器件專門為這些高端汽車應用進行了設(shè)計優(yōu)化，包括電動汽車動力電機逆變器、車載充電機、DC/DC變換器和電子空調(diào)壓縮機。新一代產(chǎn)品還適合工業(yè)應用，可提高驅(qū)動電機、可再生能源轉(zhuǎn)換器和儲能系統(tǒng)、電信電源、數(shù)據(jù)中心電源等應用的能效。

意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部副總裁、功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理EdoardoMerli表示：“我們繼續(xù)推進這一激動人心的技術(shù)發(fā)展，在芯片和封裝兩個層面不斷創(chuàng)新。作為一家全盤掌控供應鏈的SiC產(chǎn)品制造商，我們能夠為客戶提供性能持續(xù)改進的產(chǎn)品。我們在不斷地投資推進汽車和工業(yè)項目，預計 2024 年意法半導體SiC營收將達到 10 億美元?！?/p>

意法半導體目前已完成第三代SiC技術(shù)平臺相關(guān)標準認證，從該技術(shù)平臺衍生的大部分產(chǎn)品預計在2021年底前達到商用成熟度。標稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市，為設(shè)計人員研發(fā)從市電取電，到電動汽車高壓電池和充電機供電的各種應用提供更多選擇。首批上市產(chǎn)品是有650V的 SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的的SCT160N75G3D8AG。

參考技術(shù)信息

意法半導體最新的平面 MOSFET利用全新的第三代SiC技術(shù)平臺，為晶體管行業(yè)樹立了新的品質(zhì)因數(shù) (FoM) 標桿，業(yè)界認可的FoM [導通電阻 (Ron) x 裸片面積和 Ron x 柵極電荷 (Qg)]算法表示晶體管能效、功率密度和開關(guān)性能。用普通硅技術(shù)改善FoM變得越來越困難，因此，SiC技術(shù)是進一步改進FoM的關(guān)鍵。意法半導體第三代SiC產(chǎn)品將引領(lǐng)晶體管FoM進步。

碳化硅MOSFET的單位面積耐受電壓額定值比硅基MOSFET高，是電動汽車及快速充電基礎(chǔ)設(shè)施的最佳選擇。SiC還有一個優(yōu)點，寄生二極管開關(guān)速度非?？?，電流雙向流動特性適用于電動汽車對外供電(V2X)車載充電機(OBC)，可以從車載電池取電供給基礎(chǔ)設(shè)施。此外，SiC晶體管的開關(guān)頻率非常高，為在電源系統(tǒng)中使用尺寸更小的無源器件提供了可能，從而可以在車輛中使用更緊湊和輕量化的電氣設(shè)備。這些產(chǎn)品優(yōu)勢還有助于降低工業(yè)應用中的擁有成本。

意法半導體第三代產(chǎn)品有多種封裝可選，包括裸片、分立功率封裝(STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK)和ACEPACK系列的功率模塊。這些封裝為設(shè)計者提供了創(chuàng)新功能，例如，專門設(shè)計的冷卻片可簡化芯片與電動汽車應用的基板和散熱器的連接，這樣，設(shè)計人員可以根據(jù)應用選擇專用芯片，例如，動力電機逆變器、車載充電機 (OBC)、DC/DC變換器、電子空調(diào)壓縮機，以及工業(yè)應用，例如，太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、電機驅(qū)動裝置和電源。