支持PCIe4.0和176層NAND閃存的群聯(lián)E18新主控現(xiàn)已出貨
作為全球領先的NAND閃存控制器集成電路與存儲解決方案提供商之一,群聯(lián)電子股份有限公司今日宣布旗下PS5018-E18 PCIe Gen4 主控已開始向制造商合作伙伴出貨。結合E18主控與176層NAND閃存,官方宣稱可達成 7400 MB/s 的順序讀取和 7000 MB/s 的順序寫入速度。
此前,群聯(lián) E18 PCIe 4.0 主控已在海盜船 MP600 Pro、Sabent Rocket 4 Plus 和 Addlink S95 等型號上得到過使用,但它們都使用了 2018 年發(fā)布的美光 96 層 3D TLC NAND 閃存(B27B)。
不過現(xiàn)在,群聯(lián)已在最新版 E18 主控上實現(xiàn)了對 176 層 3D TLC NAND 的支持(比如美光的 B47R 顆粒),并且大幅改善了隨機讀取的延遲,在低隊列深度下實現(xiàn)了 35% 的性能提升。
除了改善系統(tǒng)相應速度方面的體驗,新款 E18 主控還讓廣大消費級 SSD 產(chǎn)品能夠改進游戲的加載時間。針對 TPU 的基準測試,TechPowerUp 也分享了他們的評論意見。
群聯(lián)電子美國市場總裁兼總經(jīng)理 Michael Wu 表示,他們與各大伙伴實現(xiàn)了技術上的緊密合作,從而帶來了一款在游戲加載時間上更具性能優(yōu)勢的高品質(zhì)主控。
結合新款 E18 主控 + 業(yè)內(nèi)領先的 176 層 NAND 閃存,基于新方案的 SSD 產(chǎn)品可最大限度地發(fā)揮 PCIe 4.0 總線的性能,為用戶帶來難以置信的性能體驗。
與上一代 96 層 NAND 相比,176 層替換門架構 NAND 閃存結合了電荷陷阱與 CMOS 陣列下設計(CuA)。在裸片尺寸縮小約 30% 的同時,還將讀寫性能提升了 35% 。
近期來自知名第三方基準測試站點的評測均表明,PS5015-E18 PCIe 4.0 主控能夠充分發(fā)揮 NAND 制造商的 176 層新閃存,并創(chuàng)下 1600 MT/s 的性能世界紀錄。
回到 PS5018-E18 PCIe 4.0 主控,群聯(lián)為其使用了專有的 CoXprocessor 2.0 技術 + 臺積電高效的 12nm 工藝節(jié)點,為 SSD 制造商們構建高度優(yōu)化的產(chǎn)品而提供了最先進的主控解決方案。
