從600V到1200V,碳化硅重塑新能源汽車充電格局
關(guān)鍵詞: 碳化硅 晶圓 意法半導(dǎo)體
在當(dāng)前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下,以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,作為新材料和新技術(shù)擁有巨大的市場機遇,已開始大量應(yīng)用于新能源、電動汽車、充電樁和儲能等領(lǐng)域。
作為碳化硅芯片的主要供應(yīng)者之一,英飛凌也在加強技術(shù)革新與市場布局。
在碳化硅方面,英飛凌目前有超過5家合格的碳化硅晶圓和晶錠供應(yīng)商,有穩(wěn)定的碳化硅原材料供應(yīng);其可以通過Cold Split冷切割技術(shù)提高生產(chǎn)效率;其優(yōu)異的溝槽工藝,在兼顧可靠性的同時,可以讓每塊晶圓生產(chǎn)的芯片比平面晶體多30%;同時,其也擁有一流的內(nèi)部封裝解決方案;全新的.XT技術(shù),可以實現(xiàn)最高功率密度。
在產(chǎn)能方面,英飛凌表示,其也看好碳化硅市場,并依托世界級晶圓廠作為現(xiàn)有優(yōu)勢的補充,為碳化硅市場的強勁增長做好了充分的準(zhǔn)備。
據(jù)了解,英飛凌在菲拉赫(奧地利)和居林(馬來西亞)的工廠,都在擴大碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能,并計劃在質(zhì)量驗證通過后的3年內(nèi),全面過渡到200毫米(8英寸) 產(chǎn)能。在英飛凌的居林工廠,從 2025 年第1季度開始,將推出 200毫米(8英寸) 的產(chǎn)品。
去年8月,英飛凌宣布將在2022年2月宣布的原始投資基礎(chǔ)之上,在未來5年內(nèi),再投入多達50億歐元進行居林第3廠區(qū)的2期建設(shè),打造全球最大的200毫米(8英寸)碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。這座生產(chǎn)基地將幫助英飛凌實現(xiàn)在2030年前擁有全球30%碳化硅市場份額的目標(biāo)。
據(jù)了解,英飛凌已經(jīng)獲得了來自汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域約50億歐元的碳化硅Design-win訂單,以及來自相關(guān)客戶約10億歐元左右的預(yù)付款,這些都將助力其擴建碳化硅工廠。
碳化硅在新能源汽車上被廣泛應(yīng)用。這兩年,隨著新能源汽滲透率的快速提升,也促使碳化硅或?qū)⒊霈F(xiàn)大規(guī)模的商業(yè)化應(yīng)用。
碳化硅加速裝車
資料顯示,碳化硅應(yīng)用于新能源汽車關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括主驅(qū)逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
“隨著新能源汽車功率平臺從600V提升到800V,甚至達到1200V,對功率芯片性能要求不斷提升。碳化硅功率器件具備高效率、低能耗、耐高溫特性,成為眾多新能源車廠商布局的重點方向。”萬創(chuàng)投行研究院高級分析師毛怡卉告訴記者。
在4月舉辦的北京車展上,多家車企披露碳化硅新動態(tài)。嵐圖汽車發(fā)布的全棧自研最新一代嵐海動力系統(tǒng)搭載800V高效率碳化硅電驅(qū)系;蔚來汽車展示了自研的1200V碳化硅功率模塊;吉利汽車碳化硅混合驅(qū)動集成關(guān)鍵技術(shù)亮相。
小米汽車表示,SU7全系采用碳化硅高壓平臺,驅(qū)動電機均使用碳化硅功率模塊。士蘭微表示,汽車級碳化硅功率產(chǎn)品需求量迅速放大,預(yù)計5月公司碳化硅主驅(qū)模塊裝車規(guī)模將突破8000輛,6月將超過2萬輛。
“2024年將是新能源車大規(guī)模切換碳化硅的元年?!壁w奇表示,預(yù)計下半年公司碳化硅月均出貨量將提升至萬片?!肮咎蓟铇I(yè)務(wù)2024年營收目標(biāo)是突破10億元關(guān)口,爭取2027年達到全球市場份額30%左右。”
8英寸漸成趨勢
業(yè)內(nèi)人士表示,碳化硅器件成本偏高,成為其大規(guī)模應(yīng)用的阻礙。趙奇介紹,目前碳化硅器件價格普遍為硅器件的4倍、5倍,業(yè)內(nèi)目標(biāo)是將碳化硅器件成本降到硅器件的2.5倍甚至2倍以內(nèi)。
在趙奇看來,碳化硅器件實現(xiàn)產(chǎn)能優(yōu)勢及成本優(yōu)化的最佳路徑是將芯片制造從6英寸晶圓轉(zhuǎn)到8英寸。同時,提升良率,且器件類型從平面型轉(zhuǎn)向溝槽型,助力碳化硅整體成本優(yōu)化。
多家上市公司加速布局8英寸碳化硅產(chǎn)能。士蘭微5月21日晚間公告稱,公司與廈門半導(dǎo)體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司簽署《投資合作協(xié)議》,擬在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線,產(chǎn)能規(guī)模為6萬片/月。
湖南三安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司是三安光電旗下專注于碳化硅業(yè)務(wù)的子公司。三安光電董秘李雪炭告訴記者,湖南三安正在擴產(chǎn),將全部導(dǎo)入國際領(lǐng)先的8英寸生產(chǎn)設(shè)備和工藝,計劃今年三季度投產(chǎn),達產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)48萬片的規(guī)模?!肮?英寸碳化硅襯底的外延工藝也已完成調(diào)試,相關(guān)樣品已經(jīng)送往主要海外客戶進行驗證?!?/span>
據(jù)了解,芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批產(chǎn)品已于4月20日順利下線?!肮鞠祰鴥?nèi)首家開啟8英寸碳化硅的晶圓廠,將進一步優(yōu)化下游客戶成本,加速碳化硅技術(shù)大規(guī)模滲透?!壁w奇說。
五大廠商加快布局速度
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強勁成長,前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%,其中意法半導(dǎo)體以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。
走在前列的ST意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體是全球最早進入SiC市場的公司之一,在SiC領(lǐng)域擁有超過20年的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗。今年5月末,其宣布投資50億歐元在意大利卡塔尼亞建設(shè)世界首個全流程垂直集成的SiC工廠。據(jù)悉,意大利政府將在歐盟《芯片法案》框架內(nèi)向意法半導(dǎo)體提供20億歐元的補貼。該工廠將于2026年開始生產(chǎn),并實現(xiàn)首創(chuàng)的8英寸SiC晶圓的量產(chǎn),目標(biāo)是到2033年達到滿負荷生產(chǎn),滿負荷生產(chǎn)時每周可生產(chǎn)多達15000片晶圓,年產(chǎn)能48萬片。
意法半導(dǎo)體2023年SiC產(chǎn)品領(lǐng)域的財報十分亮眼。數(shù)據(jù)顯示,2023年意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品營收超11億美元,同比增長60%以上。這一業(yè)績反映了SiC市場的快速增長,以及意法半導(dǎo)體在這一市場的領(lǐng)先地位。并且,意法半導(dǎo)體對其SiC業(yè)務(wù)的未來充滿信心,認為SiC市場將繼續(xù)保持高速增長,尤其是在汽車和飛機電氣化方面的需求將持續(xù)增加。公司設(shè)定了明確的SiC營收目標(biāo),即在2025年實現(xiàn)SiC產(chǎn)品營收達20億美元,到2030年達到50億美元。
意法半導(dǎo)體的擴產(chǎn)步伐一直走在前列,除了上述在意大利卡塔尼亞投資50億歐元建設(shè)世界首個全流程垂直集成的SiC工廠之外,其也在新加坡的工廠增添了前端設(shè)備,并提高了摩洛哥和中國工廠的后端產(chǎn)能。此外,ST與三安光電在中國成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線,屆時ST可結(jié)合位于當(dāng)?shù)氐暮蠖畏鉁y產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠,達到垂直整合效益。
加速趕追的onsemi安森美
onsemi十分看好SiC市場的發(fā)展前景,近三年來,其致力于推動在捷克、韓國、美國三地的擴產(chǎn),并一直積極加強與歐洲、美國、中國等本土供應(yīng)鏈的協(xié)作,以及時滿足終端客戶的需求。其中,onsemi在中國市場的發(fā)展十分值得關(guān)注,目前,onsemi已經(jīng)與中國三家領(lǐng)先的新能源汽車企業(yè)簽訂了長期供應(yīng)協(xié)議,并將這種關(guān)系擴展到本土排名前列的傳統(tǒng)汽車制造商,還推動了國內(nèi)首款采用SiC技術(shù)的本土品牌電動車的落地。
據(jù)TrendForce集邦咨詢分析,onsemi近年來SiC業(yè)務(wù)進展迅速,這主要歸功于其車用EliteSiC系列產(chǎn)品。onsemi位于韓國富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴建,并計劃在2025年完成相關(guān)技術(shù)驗證后轉(zhuǎn)為8英寸。自完成對GTAT收購后,目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過50%,隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升,公司正在朝著毛利率達到50%的目標(biāo)前進。
近期市場最新消息顯示,onsemi將投資高達20億美元提高其在捷克共和國的半導(dǎo)體產(chǎn)量,以擴大該公司在歐洲的產(chǎn)能,因為歐盟正在尋求關(guān)鍵供應(yīng)的自給自足。據(jù)悉,該項目將成為捷克共和國最大的一次性直接外國投資。
公開資料顯示,這是onsemi之前披露的長期資本支出目標(biāo)的一部分,這項投資將以該公司在捷克共和國的現(xiàn)有業(yè)務(wù)為基礎(chǔ),包括硅晶體生長、硅和SiC晶片制造(拋光和 EPI)以及硅晶片工廠。如今,該工廠每年可生產(chǎn)超過300萬片晶片,包括超過10億個功率器件。項目建成后,onsemi將擴大其在東部城鎮(zhèn)羅茲諾夫·波德拉德霍斯泰姆的業(yè)務(wù),以容納SiC半導(dǎo)體的完整生產(chǎn)鏈,包括用于汽車和可再生能源領(lǐng)域的最終芯片模塊。
onsemi電源解決方案部門負責(zé)人Simon Keeton向路透社透露,新投資的項目可能于 2027 年開始生產(chǎn),但沒有透露有關(guān)就業(yè)、生產(chǎn)量或預(yù)期收入的更多細節(jié)。
據(jù)悉,除了上述最新一次擴產(chǎn)外,onsemi在捷克的工廠此前已歷經(jīng)3次擴產(chǎn)。2022年9月,onsemi宣布未來兩年將投資4.5 億美元(近32億元人民幣),將捷克工廠SiC晶圓拋光和外延片的產(chǎn)能提高16倍。2019和2021年,onsemi分別2次擴建捷克工廠,合計投資超過1.5億美元(約10.6億元人民幣)。
另外,onsemi美國工廠方面,2022年8月,onsemi哈德遜的SiC新工廠已完成擴建,計劃將襯底產(chǎn)能擴充5倍。據(jù)悉,2021年8月,onsemi以4.15億美元現(xiàn)金(約28億人民幣)收購了 GTAT,并著手在哈德遜工廠擴建4萬平方英尺的工廠場地,安裝了新的SiC熔爐,目前哈德遜工廠總制造空間已達到27.2萬平方英尺。
根據(jù)onsemi 2023年財報顯示,onsemi去年SiC出貨量超過8億美元,收入同比增長4倍,并且毛利率保持在40%以上,預(yù)計實現(xiàn)了行業(yè)內(nèi)的最高增長。
工業(yè)市場起飛的Infineon英飛凌
英飛凌是行業(yè)內(nèi)十分具有競爭力的SiC技術(shù)供應(yīng)商,Infineon的SiC營收近一半來自于工業(yè)市場。近幾年,英飛凌耗費巨資在多地進行了英飛凌擴產(chǎn)。6月3日,英飛凌最新消息顯示,其已獲得其位于德國德累斯頓的價值50億歐元的智能功率半導(dǎo)體工廠的最終建設(shè)許可。
英飛凌在馬來西亞居林的新晶圓廠計劃最初獲得了20億歐元的內(nèi)部資金支持,2023年中旬該廠又獲得了50億歐元的注資用于居林第三工廠的建設(shè)和設(shè)備。該工廠致力于打造全球最大的8英寸SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠。英飛凌居林公司高級副總裁兼總經(jīng)理Ng Kok Tiong此前表示,公司新廠的一期建設(shè)將于2024年第三季度完工,并且,二期建設(shè)將在未來幾年也陸續(xù)完工。
但是TrendForce集邦咨詢分析,其馬來西亞居林工廠的主要客戶 SolarEdge陷入困境,對Infineon營運產(chǎn)生沖擊。相較之下,Infineon的汽車業(yè)務(wù)發(fā)展較為穩(wěn)健,例如近期小米SU7的design win,另外過去相對落后的產(chǎn)能建設(shè)進度反倒讓其在市場逆風(fēng)中處于有利地位。相較于其他幾家領(lǐng)先的SiC IDM廠商,Infineon缺少SiC晶體材料的內(nèi)部生產(chǎn)能力,因此積極推動多元化供應(yīng)商體系,以確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定。
除此之外,英飛凌位于奧地利菲拉赫(Villach)工廠的SiC產(chǎn)能還在爬坡中,預(yù)估到2025年營收可達10億歐元。英飛凌希望隨著居林超級工廠在2024年底投產(chǎn),最終帶動其SiC營收于2030年達到70億歐元,并占據(jù)全球30% SiC器件市場份額。
亟需突破的Wolfspeed
今年3月,Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour SiC制造中心”舉辦了建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉,“John Palmour SiC制造中心”總投資50億美元,將生產(chǎn)200mm SiC襯底。到2024年底,占地445英畝的一期工程預(yù)計將完工,預(yù)計2025年上半年開始生產(chǎn)。屆時,將顯著擴大Wolfspeed的材料產(chǎn)能,滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。
去年2月初,Wolfspeed宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進的8英寸SiC器件制造工廠,這座歐洲工廠將與莫霍克谷器件工廠(已于2022年4月開業(yè))、John Palmour SiC制造中心(即美國北卡羅來納州SiC材料工廠)一起,共同構(gòu)成Wolfspeed公司65億美元產(chǎn)能擴張計劃的重要組成部分。
近期行業(yè)最新消息顯示,Wolfspeed推遲了在德國建設(shè)價值30億美元的工廠的計劃。此計劃最早開始于2023年1月,汽車零部件供應(yīng)商采埃孚和Wolfspeed發(fā)出消息稱,計劃在德國薩爾州(Saarland)投資30億美元建設(shè)一座晶圓工廠,為電動汽車和其他應(yīng)用生產(chǎn)芯片。
行業(yè)消息顯示,具體原因主要與歐盟芯片制造計劃受阻相關(guān)。引援外媒報道,一位官方發(fā)言人表示,計劃在薩爾州建立的工廠將生產(chǎn)用于電動汽車的計算機芯片,該工廠尚未完全被取消,該公司仍在尋求資金。該發(fā)言人補充說,由于歐洲和美國電動汽車市場疲軟,總部位于北卡羅來納州的 Wolfspeed 削減了資本支出,目前正專注于提高紐約的產(chǎn)量。該公司最早要到 2025 年中期才會在德國開始建設(shè),比原定目標(biāo)晚了兩年。
顯而易見的,Wolfspeed近年來在SiC領(lǐng)域的擴產(chǎn)動作十分頻繁,投資金額巨大,但其近年財報利潤和股價均不太理想。據(jù)悉,自2017年至今,Wolfspeed的營收都沒有超過10億美元,并且持續(xù)虧損,盈利不及預(yù)期。而在過去一年里,Wolfspeed的股價下跌了約50%。實際上,近年來關(guān)于Wolfspeed考慮出售的消息不絕于耳,傳言中的潛在買家就包括TI德州儀器等國際大廠,歸根究底,還是Wolfspeed的經(jīng)營狀況較為低迷,凈利潤虧損較大。
雖然Wolfspeed在過去兩年里錯失了一些市場機會,功率元件業(yè)務(wù)市占有所下滑,不過,TrendForce集邦咨詢指出,Wolfspeed仍然是全球最大的SiC材料供應(yīng)商,特別是汽車級 MOSFET襯底,并在8英寸領(lǐng)域具備先發(fā)優(yōu)勢。隨著Wolfspeed的The JP工廠即將投產(chǎn),有望顯著提高材料產(chǎn)能,并推動莫霍克谷工廠(MVF)的投產(chǎn)進程。
穩(wěn)中求進的ROHM羅姆
對比上述四家大廠動輒數(shù)倍的增長規(guī)模,羅姆的SiC擴產(chǎn)計劃則顯得溫和許多。2009年,羅姆收購了德國SiCrystal,正式實現(xiàn)了從SiC晶圓材料到前后端芯片制造組裝等IDM(垂直統(tǒng)合型)產(chǎn)業(yè)鏈的內(nèi)部生產(chǎn)閉環(huán)。這也是羅姆在SiC領(lǐng)域構(gòu)建的技術(shù)壁壘。
去年7月,羅姆宣布收購太陽能電池生產(chǎn)商Solar Frontier在宮崎縣國富町的工廠,計劃將該工廠用于擴大SiC功率器件的產(chǎn)能,未來還將成為羅姆的主要生產(chǎn)基地之一。Solar Frontier曾在該工廠生產(chǎn)CIS薄膜太陽能電池,但已停止運營。據(jù)悉,該工廠占地面積約40萬平方米,建筑面積約23萬平方米,其中羅姆計劃利用現(xiàn)有11.5萬平方米的工廠建筑以及潔凈室,改造成SiC功率器件生產(chǎn)線。據(jù)悉,該工廠預(yù)計于今年年底開始運營,這將成為羅姆第四座SiC晶圓廠。
據(jù)羅姆的估算,通過收購該工廠,2030財年達產(chǎn)后新的生產(chǎn)基地將會幫助羅姆將整體SiC產(chǎn)能提升到2021財年的35倍。為了達到這個目標(biāo),羅姆計劃到2025年開始轉(zhuǎn)向8英寸SiC晶圓,而屆時可能也會在這次收購的工廠中引進8英寸晶圓制造設(shè)備。去年羅姆公布過公司的投資計劃和目標(biāo),當(dāng)時該公司計劃到2025財年(截至2026年3月)前最多向SiC領(lǐng)域投資2200億日元。
羅姆有著堅固的營收來源,其不僅掌握了SiC晶圓的生產(chǎn)技術(shù),更成為和信越化學(xué)以及Sumco一樣的襯底晶圓材料生產(chǎn)商,成為其他半導(dǎo)體制造業(yè)的上游供應(yīng)商。因此,羅姆的營收來源不僅局限于自家SiC半導(dǎo)體成品的生產(chǎn)銷售,這也有利于羅姆大大降低其生產(chǎn)成本。
