人工智能需求推動，疊加過去兩年資本支出不足，內(nèi)存市場正迎來前所未有的“超級周期”。

摩根士丹利在周四的報告中指出，存儲將出現(xiàn)“前所未有”的供需失衡，內(nèi)存的價格也水漲船高：

人工智能的快速發(fā)展將導(dǎo)致DRAM和HBM的供需失衡，預(yù)計2025年HBM的供應(yīng)不足率為-11%，整個DRAM市場的供應(yīng)不足率為-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加，可能占總DRAM供應(yīng)的30%。

由于DRAM供應(yīng)不足，加之過去兩年的資本支出不足，沒有新的晶圓廠或大規(guī)模晶圓可用，這將為內(nèi)存市場超級周期提供了動力。

內(nèi)存的價格也將水漲船高，預(yù)計商品存儲產(chǎn)品的價格將在2024年每季度以兩位數(shù)速度上漲，2025年HBM的價格將更高，服務(wù)器DRAM和超高密度QLC固態(tài)硬盤將引領(lǐng)價格上漲。

進(jìn)一步來看，在內(nèi)存市場中的戰(zhàn)略地位的公司SK海力士和三星市場份額將進(jìn)一步增長：

將內(nèi)存行業(yè)2024-25年的每股收益預(yù)測提高了24-82%，較最新的預(yù)期共識高出51-54%；

其中，SK海力士將獨占鰲頭，我們認(rèn)為市場共識對其市場份額增長潛力低估了。預(yù)計其在2025年將占據(jù)HBM市場的最大份額，利潤率也將大幅提高。

值得一提的是，客戶的行為已經(jīng)發(fā)生了變化，他們現(xiàn)在更加重視確保能夠獲得足夠的內(nèi)存供應(yīng)，而不是僅僅關(guān)注價格。由于供應(yīng)的不確定性，客戶愿意為確保供應(yīng)支付更高的價格。


三大內(nèi)存廠加緊布局HBM

SK海力士公布了HBM發(fā)展路線圖，該公司副總裁Kim Chun-hwan透露，計劃在2024上半年量產(chǎn)HBM3e，并向客戶交付8層堆疊樣品，在6層堆棧HBM3e配置中，每層堆?？商峁?.2 TB/s的通信帶寬，8層堆疊將進(jìn)一步提升HBM內(nèi)存的帶寬。

Kim Chun-hwan表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，存儲行業(yè)正在面臨激烈的生存競爭。隨著制程工藝節(jié)點的縮小接近極限，存儲器廠商越來越關(guān)注新一代存儲架構(gòu)和工藝，以給客戶應(yīng)用系統(tǒng)提供更高的性能。為此，SK海力士已經(jīng)啟動了HBM4的開發(fā)，計劃于2025年提供樣品，并于次年量產(chǎn)。

根據(jù)美光提供的信息，與前幾代HBM相比，HBM4每層堆棧的理論峰值帶寬將超過1.5 TB/s。為了實現(xiàn)這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時，HBM4的目標(biāo)是實現(xiàn)大約6GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。

三星也有發(fā)展HBM4的時間表，計劃于2025年提供樣品，并于2026年量產(chǎn)。據(jù)三星高管Jaejune Kim透露，該公司HBM產(chǎn)量的一半以上是定制化產(chǎn)品，未來，定制HBM方案的市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。通過邏輯集成，量身定制的HBM對于滿足客戶個性化需求至關(guān)重要。

三星和SK海力士之間的競爭正在升溫。

一些市場觀察人士表示，三星在HBM芯片開發(fā)方面落后于SK海力士，為了在新接口標(biāo)準(zhǔn)CXL開發(fā)中占據(jù)優(yōu)勢地位，三星加快了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品布局。

SK海力士表示，計劃加大對高帶寬內(nèi)存和DDR5芯片的投資，以適應(yīng)人工智能市場的增長需求?！芭c2023年相比，2024年的資本支出將有所增加。……我們將最大限度地提升資金利用效率”，SK海力士副總裁兼首席財務(wù)官金宇賢表示：“在2023年投資金額的范圍內(nèi)，我們根據(jù)產(chǎn)品優(yōu)先順序調(diào)整了資本支出，2024年，我們將更多地關(guān)注轉(zhuǎn)換制程工藝，而不只是增加產(chǎn)能。”

金宇賢表示，SK海力士將努力擴(kuò)大第四代和第五代10nm級制程內(nèi)存芯片的比例，到2024年底，這些新品將占據(jù)該公司DRAM產(chǎn)量的一半以上。不過，他表示，要達(dá)到2022年第四季度的產(chǎn)能水平，還需要相當(dāng)長時間。

SK海力士對引領(lǐng)HBM市場充滿信心，預(yù)測未來5年的年均增長率將達(dá)到60%~80%。該公司DRAM營銷主管Park Myung-soo表示：“我們2024年的HBM3和HBM3e芯片產(chǎn)能已經(jīng)售罄。根據(jù)客戶和市場觀察人士的說法，我們的HBM3產(chǎn)能份額非常高?！?br style="color: rgb(102, 102, 102); font-family: 宋體; font-size: 12px; white-space: normal;"/>
據(jù)TrendForce統(tǒng)計，2023年第三季度，SK海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務(wù)器DRAM廠商。報告顯示，2023年第三季度，SK海力士服務(wù)器DRAM銷售額達(dá)到18.5億美元，拿下49.6%的市場份額，穩(wěn)居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務(wù)器DRAM銷售額為13.13億美元，市占率為35.2%，同期內(nèi)，美光的服務(wù)器DRAM銷售額為5.6億美元，市占率為15.0%，排名第三。

需要指出是，以上統(tǒng)計數(shù)字僅是傳統(tǒng)服務(wù)器搭載的DDR5內(nèi)存，不包括用于AI服務(wù)器的HBM，若將HBM銷售計算在內(nèi)，SK海力士領(lǐng)先三星電子的幅度會更大。

就整體DRAM模塊市場而言，三星電子仍穩(wěn)居DRAM霸主地位，但SK海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率為21.5%。

排名內(nèi)存行業(yè)第三位的美光也在加緊布局AI服務(wù)器市場，該公司計劃在2024年第一季度量產(chǎn)HBM3e，以搶攻英偉達(dá)的超級計算機(jī)DGX GH200商機(jī)。美光技術(shù)開發(fā)事業(yè)部資深副總裁Naga Chandrasekaran表示，采用EUV技術(shù)量產(chǎn)的1-gamma制程產(chǎn)品，正在研發(fā)過程中，預(yù)計于2025年量產(chǎn)。

業(yè)界人士指出，在HBM產(chǎn)品開發(fā)方面，雖然美光落后三星和SK海力士近一年時間，但在新一代HBM3e產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)進(jìn)度方面，該公司加快了節(jié)奏，有望在HBM競賽中扳回一城。


國產(chǎn)廠商誰將受益于AI浪潮？

目前，除華虹半導(dǎo)體（1347.HK）等少數(shù)晶圓廠商，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈廠商江波龍（301308.SZ）、佰維存儲（688525.SH）、朗科科技等均以從事封裝、測試等中下游環(huán)節(jié)為主。因此，對于此類中下游廠商而言，吳雅婷告訴記者，如若沒有吃到前期囤貨紅利，當(dāng)原廠持續(xù)漲價，勢必會帶來壓力。

上述朗科科技證券部人士稱，晶圓廠是公司的成本端，對于公司而言，晶圓廠漲價成本會增加，但是當(dāng)傳導(dǎo)到下游時，可能終端售價也會增加，重點在于兩邊漲幅的對比。“因此晶圓廠漲價對于我們的影響是不一定的，如果下游的需求好可能成本都能轉(zhuǎn)移過去，但是如果需求不好，我們就漲不了這么多?！?br style="color: rgb(102, 102, 102); font-family: 宋體; font-size: 12px; white-space: normal;"/>
“下游的價格是市場博弈的結(jié)果，我們無法預(yù)判?！钡旅骼?01309.SZ）證券部工作人員表示道。在此情況下，國內(nèi)大多產(chǎn)業(yè)鏈廠商能否能在本次價格上行中的獲益、獲益幅度大小，仍在博弈中。

此外，今年AI手機(jī)、AI PC等AI終端產(chǎn)品開始推向市場，市場對于AI對存儲產(chǎn)品的促進(jìn)頗具期待。

不過，上述朗科科技工作人員表示，AI手機(jī)與普通手機(jī)的差別主要集中在內(nèi)置NPU，除了集成在NPU處理器內(nèi)的存儲器，對于其他類型處理器的需求增幅并不大。

同時，盡管AI手機(jī)帶來增長動能，根據(jù)Counterpoint Research預(yù)測，2024年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計將增長3%，幅度難跟上存儲漲價速度。

吳雅婷表示，在存儲產(chǎn)業(yè)鏈中，受益于AI需求爆發(fā)最大的環(huán)節(jié)還是主要應(yīng)用于服務(wù)器中的HBM。然而，國內(nèi)在這一領(lǐng)域與國際頭部廠商仍存在顯著差距，需要進(jìn)一步的技術(shù)提升和市場拓展。

目前，全球HBM市場幾乎被SK海力士、三星和美光三家壟斷。根據(jù)yole數(shù)據(jù)顯示,2023年SK海力士市占率約為53%、三星市占率約為38%、美光科技市占率約為9%。

不過，國產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有起勢征兆。

今年年初，長江存儲控股子公司、Pre-IPO企業(yè)武漢新芯發(fā)布了《高帶寬存儲芯粒先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)》招標(biāo)項目，項目顯示，公司會利用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國產(chǎn)高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)品。擬新增設(shè)備16臺套，擬實現(xiàn)月產(chǎn)出能力>3000片(12英寸)。

此外，A股的HBM相關(guān)標(biāo)的主要集中在中下游。

亞威股份旗下韓國GSI公司擁有技術(shù)難度較高的存儲芯片測試機(jī)業(yè)務(wù)，并穩(wěn)定供貨于海力士、安靠等行業(yè)龍頭；佰維存儲擬定增募資建設(shè)的晶圓級先進(jìn)封測制造項目可以構(gòu)建HBM實現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ)；國芯科技此前表示，已與合作伙伴一起正在基于先進(jìn)工藝開展流片驗證相關(guān)chiplet芯片高性能互聯(lián)IP技術(shù)工作，和上下游合作廠家積極開展包括HBM技術(shù)在內(nèi)的高端芯片封裝合作；香農(nóng)芯創(chuàng)曾表示，公司作為SK海力士分銷商之一具有HBM代理資質(zhì)。