這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級(jí)工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。

目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

其中，Intel 3作為升級(jí)版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè)。

Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)正在順利推進(jìn)中，分別相當(dāng)于2nm、1.8nm，將繼續(xù)采用EUV技術(shù)，并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。

憑借它們兩個(gè)，Intel希望能在2025年重奪制程領(lǐng)先性。

之后，Intel將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù)，推進(jìn)未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)和制造，以鞏固領(lǐng)先性。

其中一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)就是High NA EUV技術(shù)，而數(shù)值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光線能力的指標(biāo)。

通過(guò)升級(jí)將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng)，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，Intel 14A 1.4nm級(jí)就將采用High NA EUV光刻技術(shù)。


臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利

近期，在臺(tái)積電2024年技術(shù)論壇-中國(guó)臺(tái)灣場(chǎng)會(huì)上，針對(duì)先進(jìn)制程最新?tīng)顩r，業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，采用創(chuàng)新納米片（Nanosheet）的2納米制程進(jìn)展「非常順利」，目前納米片轉(zhuǎn)換表現(xiàn)已達(dá)到目標(biāo)90%、換成良率即超過(guò)80%。而之后的A16將結(jié)合臺(tái)積電超級(jí)電軌(Super Power Rail)架構(gòu)與納米片電晶體，預(yù)計(jì)2026年下半年登場(chǎng)。

張曉強(qiáng)指出，對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，7納米是一個(gè)重要里程碑，第一次超越IDM提供全世界最領(lǐng)先的技術(shù)，之后在5納米、3納米一路領(lǐng)先業(yè)界，在工藝不斷提升下，今年下半年將會(huì)看到更多HPC、手機(jī)產(chǎn)品進(jìn)入3納米時(shí)代，預(yù)期2納米在2025年推出后，也會(huì)是業(yè)界最領(lǐng)先的技術(shù)。

A16制程將接棒2納米后登場(chǎng)，其將結(jié)合臺(tái)積電超級(jí)電軌(Super Power Rail)架構(gòu)與納米片電晶體，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)。張曉強(qiáng)說(shuō)明，進(jìn)入埃米（angstrom）時(shí)代，背面電軌技術(shù)至關(guān)重要，該技術(shù)將供電網(wǎng)絡(luò)移到晶圓背面，正面可釋出更多信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的布局空間，不僅讓設(shè)計(jì)更富彈性，更可提升邏輯密度及效能。

相較于臺(tái)積N2P制程，A16在相同Vdd (工作電壓)下，速度增快8-10%；在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高達(dá)1.10倍，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

預(yù)計(jì)今年AI芯片需求將增長(zhǎng)2.5倍

臺(tái)積電歐亞業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)侯永清在主題演講中表示，AI需求強(qiáng)勁，預(yù)期AI芯片需求年成長(zhǎng)2.5倍，希望攜手合作伙伴一起面對(duì)充滿黃金契機(jī)的AI新時(shí)代。

侯永清說(shuō)，目前產(chǎn)業(yè)逐步回暖，最困難的部分已經(jīng)度過(guò)。智能手機(jī)、PC市場(chǎng)正緩慢復(fù)蘇，預(yù)計(jì)將會(huì)年增長(zhǎng)1-3%；AI/HPC數(shù)據(jù)中心需求依然強(qiáng)勁，預(yù)期AI加速器需求將年成長(zhǎng)2.5倍；智能汽車芯片市場(chǎng)需求仍疲弱，今年將同比下滑1%~3%；物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)今年有望有7-9%的增長(zhǎng)，不過(guò)相較以前的20%表現(xiàn)較為疲軟。

臺(tái)積電此前在4月的法說(shuō)會(huì)上提到，服務(wù)器AI處理器在今年所貢獻(xiàn)的營(yíng)收將增長(zhǎng)超過(guò)一倍，占臺(tái)積電2024年總營(yíng)收的十位數(shù)低段（low-teens）百分比。在未來(lái)五年預(yù)計(jì)服務(wù)器AI處理器將以50%的年復(fù)合成長(zhǎng)率增加，到了2028年將成長(zhǎng)占臺(tái)積電營(yíng)收超過(guò)20%。

侯永清說(shuō)，臺(tái)積電預(yù)期今年不包括存儲(chǔ)芯片的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)10%，全球晶圓代工市場(chǎng)預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)15-20%（尚未包含英特爾IFS）。這個(gè)說(shuō)法和臺(tái)積電此前法說(shuō)會(huì)上一致。

另外，侯永清表達(dá)，隨著AI/HPC數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)張生態(tài)系統(tǒng)伙伴，已把內(nèi)存、載板、封測(cè)與測(cè)試伙伴加入系統(tǒng)和伙伴合作從芯片一路提供到封裝的完整整合方案。

在論壇期間，侯永清也運(yùn)用ChatGPT3.5展示臺(tái)積電如何幫助客戶。他還幽默地說(shuō)，“看來(lái)相關(guān)摘要都和他剛才所說(shuō)演講類似，不知道是誰(shuí)抄誰(shuí)的。”

侯永清強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電不會(huì)和客戶競(jìng)爭(zhēng)，信任和伙伴關(guān)系可以創(chuàng)造更多的商業(yè)機(jī)會(huì)，今天是充滿黃金契機(jī)的AI新時(shí)代。

侯永清還引用數(shù)據(jù)指出，預(yù)計(jì)2024年半導(dǎo)體晶圓代工產(chǎn)值達(dá)1500億美元，預(yù)期支持110萬(wàn)億美元的全球經(jīng)濟(jì)，預(yù)估2030年晶圓代工產(chǎn)值達(dá)2500億美元并支持1500萬(wàn)億美元全球經(jīng)濟(jì)。