AI熱潮爆紅，兩大記憶體韓廠布局HBM戰(zhàn)局，展開產業(yè)結盟賽局。符世旻攝

AI熱潮持續(xù)加溫，HBM成為三大記憶體原廠扭轉產業(yè)局勢的新戰(zhàn)場，SK海力士（SK Hynix）在HBM領域先馳得點，不僅囊括NVIDIA的AI大訂單，并與臺積電攜手下世代HBM4技術。

據傳，在日前三星電子（Samsung Electronics）CEO慶桂顯率領高階主管拜會臺系AI供應鏈之際，SK海力士高層也低調前來臺灣，與臺積電簽定技術開發(fā)合作備忘錄，儘管HBM4預計2026年進入量產，然而AI產業(yè)結盟賽局已提前展開。

SK海力士宣布，與臺積電建立策略伙伴關係，雙方將合作開發(fā)第六代HBM4產品。業(yè)界指出，過去SK海力士與臺積電合作關係密切，三星電子雖然在HBM發(fā)展腳步較為落后，但近來集團正卯起全力急起直追。

雖然產業(yè)競合變化快速，但“敵人的敵人就是朋友”，SK海力士為了確保HBM維持領先地位，進一步與臺積電在技術開發(fā)建立緊密互動。

值得注意的是，日前三星CEO慶桂顯大陣仗來臺，不僅尋找伙伴擴大合作，更為了尋求臺積電在HBM配合支持，韓媒當時即有消息指出，SK海力士與臺積電的合作備忘錄在近日內于臺北敲定，但SK海力士對此不愿多做評論。

臺系供應鏈私下透露，兩家韓廠來臺的時間非常接近，由于SK海力士與臺積電簽署的合作備忘錄，為雙方首次建立技術開發(fā)的合作關係，不料兩家韓廠高層卻一前一后找上臺積電。

在三星來臺行程意外曝光后，引發(fā)彼此較勁的微妙互動，不同的是，SK海力士高層是專門為了HBM前來，此次行程鮮少為外界所知。

根據規(guī)劃，SK海力士與臺積電將針對搭載HBM封裝內最底層的基礎裸晶（Base Die）進行性能改善，由于HBM是將多個DRAM裸晶（Core Die）堆疊在基礎裸片上，藉由TSV技術進行垂直連接而成，而基礎裸片也連接至GPU，對HBM具有控制的作用。

隨著HBM4的堆疊容量增加及頻寬提升，雙方合作從原本后段封裝擴大及深化，基于HBM后端封裝設計與基礎裸晶的通道共用，經由臺積電在邏輯先進制程工藝，進行雙方技術的共同開發(fā)，將能在性能和功效等部分，達到客制化（Customized）HBM的優(yōu)勢。

為了加速HBM版圖拓廣，雖然三星希望與臺積電建立友好的互動，但三星內部同時也在規(guī)劃提供“一站式服務”，從HBM制造后、2.5D封裝的“I-Cube”，以及自家AI加速器晶片Mach-1的推出等。

供應鏈分析，三星半導體希望透過結合旗下晶圓代工與記憶體的搭配發(fā)展，以達到更大整合效益，若在此路線發(fā)展下，SK海力士與臺積電的整合結盟更能符合雙方長遠利益。

儘管SK海力士仍穩(wěn)坐全球HBM市佔冠軍，也是NVIDIA最主要的HBM供應商，但面對三星來勢洶洶的挑戰(zhàn)，SK海力士也不敢掉以輕心。

根據業(yè)界估計，HBM4完整規(guī)格將在2024~2025年由 JEDEC發(fā)布，預計2026年推出量產，但透過拉攏臺積電成為最強半導體盟友，強強聯手效應顯現，未來SK海力士搶下HBM4先機將可望穩(wěn)操勝算。