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被打壓的長江存儲,100%自研的QLC芯片,再次封神了!

2024-04-07 來源:科技專家
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關(guān)鍵詞: 三星 長江存儲 美光

眾所周知,目前國內(nèi)最牛的NAND閃存廠商,就是長江存儲了。


雖然在2016年左右才成立,但如今已經(jīng)是全球知名的3D NAND閃存廠商,全不過市場份額在5%左右,更是全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商。


不過,后來大家也都清楚,因?yàn)榧夹g(shù)太先進(jìn),威脅到了美光、三星等的地位,被美國打壓,列入了“實(shí)體清單”。


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不過,雖然被打壓,但長江存儲可一直沒有停止過前進(jìn)的腳步。


近日,長江存存儲公開展示了一種新的QLC 3D NAND閃存,內(nèi)部代號“X3-6070”,這種閃存,性能實(shí)在太強(qiáng)悍了。


首先在IO接口方面,達(dá)到了2400MT/s,相比上一代1600MT/s提升了足足50%,然后讀、寫速度都提升了近100%。


其次,P/E擦寫次數(shù)高達(dá)4000次,是上一代產(chǎn)品的4倍,上一代只有1000次,使用壽命大大延長。


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我們知道任何一款NAND產(chǎn)品,評價(jià)其性能,無非就是速度快不快,壽命長不長。如今長江存儲這個(gè)QLC速度如此之快,壽命更是這么多,比MLC閃存都要牛了,堪稱封神之作了。


為什么會這么牛,這與長江存儲自研的一項(xiàng)技術(shù)有關(guān),長江存儲的技術(shù)叫做Xtackig晶棧架構(gòu),這個(gè)Xtackig架構(gòu),將存儲部分,和讀寫部分分開的。


在3D NAND閃存中,不能一味提高工藝,因?yàn)楣に囘M(jìn)入到14nm之后,越先進(jìn)就越不穩(wěn)定,存儲產(chǎn)品用來存儲數(shù)據(jù),穩(wěn)定大于天,比一切都重要。


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但先進(jìn)工藝又決定了讀寫速度、功耗什么的,于是長江存儲的Xtackig,將就存儲和讀寫部分分開,存儲部分采用穩(wěn)定的工藝,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)穩(wěn)定,而讀寫部分采用先進(jìn)工藝,保證讀定速度,不像其它廠商的3D NAND閃存,采用的是同一種工藝,會受限于工藝制程。


而長江存儲新的QLC閃存,采用了Xtackig技術(shù)后,升級了工藝和技術(shù),將穩(wěn)定和速度結(jié)合在了一起,于是有了如今這個(gè)效果。


可見,任何產(chǎn)業(yè),只要掌握了真正的核心技術(shù),那么就算被打壓,也能想出辦法,制造出奇跡,華為如此,長江存儲也是如此,你覺得呢?