去年的中國閃存峰會(huì)CFMS 2023，與會(huì)者都關(guān)注存儲(chǔ)行業(yè)何時(shí)能觸底反彈。

“存儲(chǔ)市場規(guī)模經(jīng)歷了兩年的下滑后，2024年開始重新回到正軌?！鄙钲谑虚W存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒在MemoryS（CMFS的新品牌名）上表示，“我們預(yù)計(jì)今年市場規(guī)模相比去年將提升至少42%?！?br style="color: rgb(102, 102, 102); font-family: 宋體; font-size: 12px; white-space: normal;"/>
存儲(chǔ)是一個(gè)周期性行業(yè)，從2019年到2023年，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了供過于求-疫情-缺貨-庫存-超跌，最后以原廠主動(dòng)減產(chǎn)結(jié)束。

邰煒說，“展望2024-2026年，我們認(rèn)為新技術(shù)和AI應(yīng)用將激發(fā)存儲(chǔ)的潛能，走出傳統(tǒng)的價(jià)格周期，進(jìn)入新周期，這也是我們今年峰會(huì)的主題，‘存儲(chǔ)周期 激發(fā)潛能’?！?/span>

存儲(chǔ)市場觸底反彈

存儲(chǔ)市場在去年底就迎來了全面反彈。從市場現(xiàn)貨價(jià)格看，2023年第三季度原廠強(qiáng)勢減產(chǎn)并強(qiáng)勢拉漲價(jià)格。2023年第一季度，存儲(chǔ)價(jià)格再次大漲。

邰煒預(yù)測，“今年后續(xù)三個(gè)季度的價(jià)格將保持平穩(wěn)向上的趨勢。但過高過快漲的漲幅將嚴(yán)重影響終端產(chǎn)品線的規(guī)劃、打擊容量擴(kuò)充的積極性，也不利于產(chǎn)業(yè)整體健康穩(wěn)定的發(fā)展?！?/span>

從原廠利潤率的維度看，2023年第一季度觸底后，2024年第四季度有非?？捎^的改善，個(gè)別公司已經(jīng)開始恢復(fù)盈利。邰煒預(yù)計(jì)2024年第一季度大部分公司的利潤率都會(huì)有效扭轉(zhuǎn)。再看具體產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2024年，NAND FLASH將超過8000億GB單量，相比去年增長20%，DRAM將達(dá)到2370億GB單量，預(yù)計(jì)增長達(dá)15%。

市場規(guī)模增長的同時(shí)，存儲(chǔ)技術(shù)也在向前演進(jìn)。

NAND FLASH，各大原廠都繼續(xù)推出更高堆疊的產(chǎn)品，去年已經(jīng)推出了200層以上的產(chǎn)品，今年朝著300層堆疊推進(jìn)，這將帶來更高的閃存容量。

“架構(gòu)上看，鍵合技術(shù)逐步進(jìn)入主流，這種架構(gòu)產(chǎn)品隨著堆疊層數(shù)的提升，將更具成本優(yōu)勢。并且這種架構(gòu)可以將更多特性使用到NAND FLASH，這也是存儲(chǔ)激發(fā)潛能的一種方式?！臂樛瑫r(shí)指出，隨著更多產(chǎn)品對(duì)容量的要求越來越高，QLC的應(yīng)用將加速，除了傳統(tǒng)SSD產(chǎn)品，其它應(yīng)用領(lǐng)域也將開始全面擴(kuò)展。

DRAM方面，將全面進(jìn)入EUV時(shí)代，下一代產(chǎn)品也將在最近1-2年內(nèi)出現(xiàn)。從產(chǎn)品和應(yīng)用看，手機(jī)、PC和服務(wù)器依舊是存儲(chǔ)最大的三個(gè)市場，汽車市場在快速增長。在生成式AI的推動(dòng)下，2023年AI服務(wù)器增長迅猛，帶動(dòng)了HBM、DDR5的需求。

“2024年，服務(wù)器市場是DDR5正式邁過50%的一年，今年下半年5600速率會(huì)進(jìn)入主流，同時(shí)高容量模組128GB/256GB進(jìn)入服務(wù)器主流市場的障礙掃清。”邰煒說，“CXL進(jìn)入實(shí)用階段，正式開始專利池的新時(shí)代，加上HBM3e進(jìn)入量產(chǎn)，今年服務(wù)器內(nèi)存的升級(jí)將非常的激進(jìn)?！?/span>

根據(jù)原廠的規(guī)劃，2024年HBM3e將正式量產(chǎn)。

AI服務(wù)器除了帶動(dòng)高容量HBM需求，對(duì)DDR5的容量需求是普通服務(wù)器的2-4倍。這將使得未來5年AI服務(wù)器將驅(qū)動(dòng)DRAM需求大增。服務(wù)器的SSD的需求也將在AI的帶動(dòng)下快速增長，2024年服務(wù)器PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長，容量將達(dá)到8TB/16TB及以上。

在手機(jī)市場，UFS的市場占有率進(jìn)一步提升，更高性能的UFS4.0增長更為明顯。同時(shí)，高端機(jī)型的存儲(chǔ)容量基本進(jìn)入了512GB以及TB時(shí)代。

“今年手機(jī)平均容量將超過200GB，內(nèi)存也朝更高性能的LPDDR5演進(jìn)，預(yù)計(jì)今年手機(jī)DRAM平均容量將超過7GB?！臂樦赋?。

AI手機(jī)也將成為手機(jī)的新熱點(diǎn)，16G的 DRAM將是AI手機(jī)的最低配置，將有力的推動(dòng)手機(jī)存儲(chǔ)的再次升級(jí)。

與AI手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)的帶動(dòng)一樣，AI PC預(yù)計(jì)將在2024年爆發(fā)?？梢灾С直镜卦扐I模型的AI PC，需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲(chǔ)容量和帶寬。

QLC全場景應(yīng)用加速，AI PC今年或全面爆發(fā)

邰煒提到了存儲(chǔ)市場在技術(shù)、產(chǎn)品、市場上的幾大機(jī)遇。

首先在NAND FLASH堆疊技術(shù)上，各大原廠繼續(xù)推進(jìn)更高堆疊的產(chǎn)品，去年各家均推出200層以上的產(chǎn)品，今年已經(jīng)朝300層推進(jìn)，意味著閃存產(chǎn)品的容量將繼續(xù)提高。

從架構(gòu)上看，鍵合技術(shù)開始逐步進(jìn)入主流，這種架構(gòu)的產(chǎn)品隨著堆疊層數(shù)提升，成本將更具優(yōu)勢，并且這一技術(shù)架構(gòu)可以將更多特性添加到NAND FLASH里。

隨著更多的產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)的容量需求越來越大，他預(yù)計(jì)今年QLC的應(yīng)用將開始加速，除了傳統(tǒng)的SSD產(chǎn)品，其他應(yīng)用領(lǐng)域也將得到全面擴(kuò)展。

DRAM全面進(jìn)入EUV時(shí)代，各原廠開始推出全新DRAM產(chǎn)品，下一代產(chǎn)品也將在這1、2年出現(xiàn)。

從產(chǎn)品上來看，以ChatGPT為代表的生成式AI推動(dòng)下，AI服務(wù)器在2023年迅猛增長，也帶動(dòng)HBM、DDR5需求增加，各大原廠加速推出更為先進(jìn)的產(chǎn)品競爭巨大的利潤空間。

目前存儲(chǔ)市場最核心的應(yīng)用在手機(jī)、PC和服務(wù)器上，此外以汽車為代表的新興市場也在快速增加。

在手機(jī)市場，UFS的市場占有率進(jìn)一步提升并占據(jù)絕對(duì)的主導(dǎo)地位。尤其是更高性能的UFS4.0增長更為明顯。在容量上，現(xiàn)在高端機(jī)型已經(jīng)基本上進(jìn)入512GB以及TB時(shí)代，預(yù)計(jì)今年的手機(jī)平均容量將超過200GB，今年預(yù)計(jì)全年DRAM平均容量將超過7GB。

AI手機(jī)將成為接下來手機(jī)的新熱點(diǎn)，將帶來更多應(yīng)用和場景的變革，其中16GB DRAM將是AI手機(jī)的最低配置。

在PC市場上，去年整機(jī)需求下降使得消費(fèi)類SSD需求出現(xiàn)一定下滑，但隨著存儲(chǔ)價(jià)格的下跌，大容量SSD的高性價(jià)比得到非常有效的體現(xiàn)，去年1TB PCIe 4.0已基本成為PC市場主流配置。

隨著新處理器平臺(tái)的導(dǎo)入，DDR5在2024年也將加大在PC上的應(yīng)用。同時(shí)，AI PC預(yù)計(jì)在2024年全面爆發(fā)。其中，與傳統(tǒng)PC不同，AI PC最重要的是嵌入了AI芯片，形成“CPU+GPU+NPU”的異構(gòu)方案，可以支持本地化AI模型，所以需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲(chǔ)容量和帶寬。

服務(wù)器市場上，2024年是DDR5正式邁過50%的一年，同時(shí)DDR5平臺(tái)第二代CPU都在今年發(fā)布，這會(huì)推動(dòng)今年下半年5600速率進(jìn)入主流；同時(shí)高容量的模組128GB/256GB產(chǎn)品，因?yàn)榇竽Ｐ统霈F(xiàn)2023年需求猛增。

此外，去年最火的名詞莫過于HBM，HBM占據(jù)極大的利潤空間，也是各原廠的必爭之地。根據(jù)各原廠的規(guī)劃，2024年將正式進(jìn)入到HBM3E量產(chǎn)。

隨著大模型的快速爆發(fā)，加速了對(duì)AI服務(wù)器需求，AI服務(wù)器中搭載高容量HBM，以及對(duì)DDR5的容量需求是普通服務(wù)器的2-4倍。這將使得未來5年AI服務(wù)器將驅(qū)動(dòng)DRAM需求大增。

汽車作為下一個(gè)存儲(chǔ)的主力應(yīng)用也正發(fā)生著變化：汽車隨著電動(dòng)化趨勢發(fā)展進(jìn)入大模塊化、中央集成化時(shí)代；伴隨著L3級(jí)及以上自動(dòng)駕駛汽車逐步落地，汽車對(duì)存儲(chǔ)的性能和容量的要求也將急劇加大。

存儲(chǔ)巨頭Allin，搶占AI存儲(chǔ)芯片新興市場

三大存儲(chǔ)芯片巨頭分別瞄準(zhǔn)不同的細(xì)分賽道,展開了一場"Allin"的布局競賽。它們無不渴望在人工智能浪潮中分一杯羹,并為此壯士斷腕般地調(diào)整業(yè)務(wù)重心、加大研發(fā)投入。

對(duì)于西數(shù)、銳凱和鎧俠等企業(yè)而言,他們之所以孤注一擲般押注AI存儲(chǔ)芯片,主要出于兩大動(dòng)機(jī)一是搶占這一新興藍(lán)海市場,二是尋求傳統(tǒng)業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)型曲線。

第一,AI存儲(chǔ)芯片市場正處于高速增長期。據(jù)研究公司Gartner預(yù)測,到2027年,全球AI軟硬件總支出將達(dá)到2070億美元,其中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)支出占比將達(dá)到10%以上。因此,存儲(chǔ)芯片廠商自然不愿在這個(gè)蛋糕上錯(cuò)失機(jī)會(huì)。

第二,傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片市場的增長正在放緩。以西數(shù)為例,公司近年來一直受制于個(gè)人計(jì)算機(jī)和手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場的低迷狀態(tài)。而通過轉(zhuǎn)型AI存儲(chǔ)業(yè)務(wù),它們有望開啟新的利潤增長點(diǎn)。

因此,西數(shù)、銳凱和鎧俠三家公司決定通過"Allin"大手筆投資,提前搶占AI存儲(chǔ)芯片市場的先機(jī)。它們期望在這一新興市場取得領(lǐng)先地位,樹立技術(shù)和規(guī)模壁壘,從而為未來幾年的增長奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

然而,在搶灘登陸AI存儲(chǔ)芯片市場的道路上,存儲(chǔ)芯片商也將面臨諸多挑戰(zhàn)和考驗(yàn)。首當(dāng)其沖的,便是可能出現(xiàn)的產(chǎn)能過剩風(fēng)險(xiǎn)。存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向來具有較強(qiáng)的周期性,供過于求的局面時(shí)有發(fā)生。

目前,三家公司都計(jì)劃大幅擴(kuò)充產(chǎn)能,這將進(jìn)一步加劇供給側(cè)壓力。如果AI存儲(chǔ)芯片需求未如預(yù)期那般快速放量,產(chǎn)能過剩的風(fēng)險(xiǎn)將更加嚴(yán)峻。屆時(shí),企業(yè)將不得不承受沉重的資本開支和運(yùn)營成本負(fù)擔(dān)。

此外,技術(shù)路線的選擇也是一大挑戰(zhàn)。存儲(chǔ)芯片要滿足AI對(duì)超高容量、超高速度、超高可靠性等多重需求,技術(shù)復(fù)雜度之高前所未有。西數(shù)、銳凱和鎧俠在NAND閃存、3D堆棧、Optane等技術(shù)路線上的優(yōu)先級(jí)和投資取舍,將直接關(guān)系到它們?cè)贏I存儲(chǔ)芯片賽道上的未來表現(xiàn)。

因此,業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為,盡管搶占AI存儲(chǔ)芯片市場機(jī)遇誘人,但存儲(chǔ)芯片商想要成功"Allin"并非易事。它們需要縝密規(guī)劃,做好充分的準(zhǔn)備,以應(yīng)對(duì)技術(shù)和市場的雙重挑戰(zhàn)。