目前的存儲(chǔ)產(chǎn)品，主要分為光學(xué)存儲(chǔ)、磁性存儲(chǔ)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)三類。光學(xué)存儲(chǔ)主要就是 CD、DVD 等常見形式。磁性存儲(chǔ)包含磁帶、軟盤、硬盤等。而半導(dǎo)體存儲(chǔ)則是指DRAM、NAND、NOR FLASH等等。

但在大規(guī)模的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)使用中，還是以磁盤產(chǎn)品為主，也就是機(jī)械硬盤，畢竟DVD這種不適合頻繁讀寫數(shù)據(jù)的場(chǎng)景，而SSD壽命相對(duì)差一些，價(jià)格又貴，而機(jī)械硬盤能夠有較大容量，較高壽命，又能頻繁讀寫，擦除等，成本也相對(duì)可控。

所以我們看到，在數(shù)據(jù)計(jì)算中心中，大多使用機(jī)械硬盤，進(jìn)行大規(guī)模的集群，這樣實(shí)現(xiàn)高效、高容量的效果。不過我們也清楚，機(jī)械硬盤市場(chǎng)，主要被美、日、韓廠商占領(lǐng)，國內(nèi)企業(yè)的份額非常少，絕大部分都要靠進(jìn)口。事實(shí)上不僅僅是機(jī)械硬盤市場(chǎng)，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)，也是如此，像主流的DRAM、NAND產(chǎn)品，國內(nèi)的份額也非常低，90%以上靠進(jìn)口。

為此，國內(nèi)眾多的企業(yè)在存儲(chǔ)產(chǎn)品方面不斷努力，以期打破國外壟斷，進(jìn)而減少依賴，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品，掌握在自己手中。

而近日，有消息傳出，華為或推出一種新型的存儲(chǔ)產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用全新的磁電存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)應(yīng)的老式的磁性存儲(chǔ)技術(shù)，也就是機(jī)械硬盤這一塊，堪稱顛覆式。

當(dāng)然這種產(chǎn)品，主要用于大規(guī)模的集群性產(chǎn)品之中，也就是用于數(shù)據(jù)中心這樣的場(chǎng)景下。

這種磁電技術(shù)稱之為MED（磁電磁盤），據(jù)稱和磁性存儲(chǔ)產(chǎn)品相比，功耗降低 90%，存儲(chǔ)密度提升50%以上，預(yù)計(jì)2025年上半年左右在海外上市。我們知道，以往采用機(jī)械硬盤的集群，一臺(tái)42U 機(jī)架最多可容納 288 個(gè)硬盤，接近10PB的數(shù)據(jù)，功率可能達(dá)到2.88kW。但如果采用華為這種MED硬盤，可能一臺(tái)42U的機(jī)架，容量超過20PB,而功耗只有0.3KW左右，潛力巨大，絕對(duì)堪稱是顛覆式的。

不過目前關(guān)于這種MED磁盤，據(jù)稱其原理是磁電效應(yīng)，它在材料的磁特性和電特性之間建立了聯(lián)系，至于具體怎么實(shí)現(xiàn)的，還沒有更多的消息。


2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年

從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的應(yīng)用場(chǎng)景劃分，固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC）把DRAM分成標(biāo)準(zhǔn)DDR、LPDDR、GDDR三類，其中DDR主要應(yīng)用于服務(wù)器和PC端，LPDDR主要應(yīng)用于手機(jī)端和消費(fèi)電子，GDDR的主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)閳D像處理領(lǐng)域，近期上述三類DRAM技術(shù)新品對(duì)原廠營收占比貢獻(xiàn)不斷上升。


1、2024年是DDR5/LPDDR5的天下

在主流DRAM市場(chǎng)格局上，三星、美光、SK海力士三分天下，目前DDR5/LPDDR5市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

以上述三家為主流。此外，中國臺(tái)灣存儲(chǔ)企業(yè)華邦及南亞科技，以及大陸存儲(chǔ)企業(yè)長鑫存儲(chǔ)的定位也在主流DRAM市場(chǎng)。

從過往歷史看，每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實(shí)現(xiàn)對(duì)上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。DDR4存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)于2012年發(fā)布，而其初代產(chǎn)品則于2014年入市，直到2016年才實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)份額的大幅提升。

對(duì)于最新一代的DDR5而言，經(jīng)歷了2023年上半年的產(chǎn)能爬坡和性能攀升，下半年在三大原廠營收比重不斷上升，并在2024年正式迎來黃金發(fā)展期。

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年四季度三星（Samsung）營收高達(dá)79.5億美元，季增幅度逾五成，主要受惠于1alpha nm DDR5出貨拉升，使得Server DRAM的出貨位元季增超過60%。SK海力士（SK hynix），雖然出貨位元季增僅1~3%，然持續(xù)受惠于HBM、DDR5的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，以及來自于高容量Server DRAM模組的獲利，平均銷售單價(jià)季增17~19%，第四季營收達(dá)55.6億美元，季增20.2%。美光（Micron）量價(jià)齊揚(yáng)，出貨位元及平均銷售單價(jià)均季增4~6%，DDR5與HBM比重相對(duì)低，故營收成長幅度較為和緩，第四季營收達(dá)33.5億美元，季增8.9%。

而LPDDR5方面，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，AI PC有望帶動(dòng)PC平均搭載容量提升，并拉高PC DRAM的LPDDR比重。以Microsoft定義的滿足NPU 40 TOPS的CPU而言，共有三款且依據(jù)出貨時(shí)間先后分別為Qualcomm Snapdragon X Elite、AMD Strix Point及Intel Lunar Lake。其中，三款CPU的共同點(diǎn)為皆采用LPDDR5x，而非現(xiàn)在主流采用的DDR SO-DIMM模組，主要考量在于傳輸速度的提升；以DDR5規(guī)格而言，目前速度為4800-5600Mbps，而LPDDR5x則是落于7500-8533Mbps，對(duì)于需要接受更多語言指令，及縮短反應(yīng)速度的AI PC將有所幫助。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，今年LPDDR占PC DRAM需求約30~35%，未來將受到AI PC的CPU廠商的規(guī)格支援，從而拉高LPDDR導(dǎo)入比重再提升。

行業(yè)人士表示，由于DDR5/LPDDR5(X)技術(shù)愈發(fā)成熟，其保質(zhì)期或?qū)⒈壬弦淮L。目前，存儲(chǔ)廠商目前擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)集中在HBM、DDR5與LPDDR5(X)產(chǎn)品上。

TrendForce集邦咨詢研究顯示，產(chǎn)能規(guī)劃方面，三星去年第四季大幅減產(chǎn)，在庫存壓力改善后，今年第一季投片開始回升，稼動(dòng)率約為80%。下半年旺季，需求預(yù)期將較上半年明顯增溫，產(chǎn)能會(huì)持續(xù)拉高至第四季。SK海力士則積極擴(kuò)張HBM產(chǎn)能，投片量緩步增加，隨著HBM3e量產(chǎn)后，相關(guān)先進(jìn)制程投片亦持續(xù)上升。美光投片量有回溫趨勢(shì)，后續(xù)將積極增加其先進(jìn)制程1beta nm比重，用于生產(chǎn)HBM、DDR5與LPDDR5(X)產(chǎn)品，因先進(jìn)制程的設(shè)備增加，屆時(shí)產(chǎn)能將較為收斂。


2、GDDR7顯存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

3月6日，JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）正式發(fā)布了GDDR7顯卡（JES239圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR7)SGRAM）技術(shù)規(guī)范，旨在提供更高的帶寬、更高的數(shù)據(jù)傳輸速率、更高的能效和更大的存儲(chǔ)容量，以支持未來高性能計(jì)算應(yīng)用的發(fā)展。

官方披露，JESD239GDDR7是第一款使用脈沖幅度調(diào)制(PAM)接口進(jìn)行高頻操作的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)DRAM。其PAM3接口提高了高頻操作的信噪比(SNR)，同時(shí)提高了能效。通過使用3個(gè)電平(+1、0、-1)在2個(gè)周期內(nèi)傳輸3個(gè)比特，而傳統(tǒng)的NRZ(非歸零)接口在2個(gè)周期內(nèi)傳輸2個(gè)比特，PAM3在每個(gè)周期內(nèi)提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提高了性能。

相比GDDR6，GDDR7的帶寬是其兩倍，每個(gè)器件的帶寬可達(dá)192 GB/s。這是通過增加獨(dú)立通道數(shù)量至4個(gè)來實(shí)現(xiàn)的。GDDR7還支持16 Gbit至32 Gbit的密度，并包括支持雙通道模式，可以將系統(tǒng)容量翻倍，可以滿足未來圖形、游戲、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和人工智能應(yīng)用對(duì)高內(nèi)存帶寬不斷增長的需求。

同時(shí)，核心獨(dú)立的 LFSR(線性反饋移位寄存器)訓(xùn)練模式，帶有眼罩和錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器，可提高訓(xùn)練精度，同時(shí)縮短訓(xùn)練時(shí)間。此外，通過整合最新的數(shù)據(jù)完整性功能，包括帶實(shí)時(shí)報(bào)告的片上 ECC (ODECC)、數(shù)據(jù)中毒、錯(cuò)誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(yàn)(CAPARBLK)，滿足 RAS(可靠性、可用性、可維護(hù)性)的市場(chǎng)需求。

在容量上，目前第一批GDDR7顯存只有2GB(16Gb)，和如今的GDDR6/6X一致，因此首發(fā)搭載的NVIDIA RTX 50系列、AMD RX 8000系列對(duì)于顯卡的需求還較大。JEDEC表示，未來會(huì)有3GB、4GB、6GB甚至是8GB，其中3GB這種反常規(guī)容量是首次出現(xiàn)。

目前，AMD和NVIDIA都已經(jīng)加入了這個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)，而三星和美光也已經(jīng)確定了下一代GDDR7內(nèi)存模塊的開發(fā)計(jì)劃。三星的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)32Gbps的速度，而美光則計(jì)劃推出24Gb+32 Gbps的芯片。據(jù)悉，美光在其最新的路線圖中也公布了到2026年達(dá)到36Gbps和24Gb+的內(nèi)存模塊。


3、LPDDR6內(nèi)存規(guī)格今年第三季度敲定？

此外，近日韓媒etnews引援業(yè)內(nèi)人士消息，新一代移動(dòng)端 DRAM 內(nèi)存規(guī)范 LPDDR6 有望今年 3 季度公布。

據(jù)悉，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)近日在葡萄牙首都里斯本召開了下一代移動(dòng)端隨機(jī)存取處理器標(biāo)準(zhǔn)咨詢會(huì)。此次會(huì)議中，與會(huì)各方進(jìn)行了豐富的討論，完成了 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)的定稿工作，預(yù)計(jì)將于今年 3 季度正式發(fā)布。

公開資料顯示，目前廣泛使用的LPDDR5規(guī)范發(fā)布于2019年。而升級(jí)版 LPDDR5X 規(guī)范于 2021 年推出，進(jìn)行了多項(xiàng)調(diào)整以實(shí)現(xiàn)更高速度，最高可達(dá) 8533Mbps。此外，SK海力士還推出了基于私有規(guī)范的 9.6Gbps LPDDR5T 產(chǎn)品，美光也推出了同等速率的 LPDDR5X 內(nèi)存。

近年來，憑借其能效和速率優(yōu)勢(shì)，LPDDR 的市場(chǎng)從智能手機(jī)等傳統(tǒng)產(chǎn)品逐步擴(kuò)展至英偉達(dá) Grace 處理器等部分服務(wù)器處理器，以及一些 AI 專用芯片。而隨著 AI 的廣泛應(yīng)用，不僅移動(dòng)產(chǎn)品需要相較 LPDDR5X 更高速的內(nèi)存“喂飽”端側(cè) AI 模型，后兩類處理器也需求更大的內(nèi)存帶寬。同時(shí)，三大用途對(duì)內(nèi)存功耗均有著嚴(yán)苛的要求。行業(yè)人士表示，LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)的兩大開發(fā)重點(diǎn)就是提高數(shù)據(jù)吞吐率和最小化功耗。

etnews消息稱，高通驍龍8 Gen 4有望成為首款支持 LPDDR6 內(nèi)存的產(chǎn)品。


HBM技術(shù)漸進(jìn)，市場(chǎng)需求巨大

據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市場(chǎng)主流為HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的規(guī)格則為最新HBM3e產(chǎn)品。不過，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。

吳雅婷表示，目前NVIDIA現(xiàn)有主攻H100的存儲(chǔ)器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應(yīng)商，然而供應(yīng)不足以應(yīng)付整體AI市場(chǎng)所需。至2023年末，三星以1Znm產(chǎn)品加入NVIDIA供應(yīng)鏈，盡管比重仍小，但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲。


1、HBM3e預(yù)計(jì)下半年逐季放量，三星、美光加入供應(yīng)行列

由于三星是AMD長期以來最重要的策略供應(yīng)伙伴，2024年第一季，三星HBM3產(chǎn)品也陸續(xù)通過AMD MI300系列驗(yàn)證，其中包含其8h與12h產(chǎn)品，故自2024年第一季以后，三星HBM3產(chǎn)品將會(huì)逐漸放量。值得注意的是，過去在HBM3世代的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中，美光（Micron）始終沒有加入供應(yīng)行列，僅有兩大韓系供應(yīng)商獨(dú)撐，且SK海力士HBM市占率目前為最高，三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度MI300逐季放量，市占率將急起直追。

而自2024年起，市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn)即由HBM3轉(zhuǎn)向HBM3e，預(yù)計(jì)下半年將逐季放量，并逐步成為HBM市場(chǎng)主流。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，第一季由SK海力士率先通過驗(yàn)證，美光緊跟其后，并于第一季底開始遞交HBM3e量產(chǎn)產(chǎn)品，以搭配計(jì)劃在第二季末鋪貨的NVIDIA H200。三星由于遞交樣品的時(shí)程較其他兩家供應(yīng)商略晚，預(yù)計(jì)其HBM3e將于第一季末前通過驗(yàn)證，并于第二季開始正式出貨。由于三星HBM3的驗(yàn)證已經(jīng)有了突破，且HBM3e的驗(yàn)證若無意外也即將完成，這也意味著該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。


2、消息稱JEDEC有望放寬HBM4標(biāo)準(zhǔn)，混合鍵合還在未來

據(jù)韓媒ZDNet Korea報(bào)道，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)有望放寬對(duì)HBM4內(nèi)存的高度限制，內(nèi)存廠商無需被迫轉(zhuǎn)向混合鍵合（Hybrid Bonding）。

據(jù)悉，JEDEC的主要參與者最近同意將HBM4產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)定為775微米（μm），比上一代的720微米更厚。據(jù)悉，該協(xié)議或?qū)?duì)三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存制造商的未來封裝投資趨勢(shì)產(chǎn)生重大影響。

先進(jìn)封裝的意義旨在實(shí)現(xiàn)更大的互連密度（每個(gè)區(qū)域有更多的互連），減少跡線長度（trace length ）以降低每比特傳輸?shù)难舆t和能量。作為先進(jìn)封裝技術(shù)中的顯眼存在，自誕生起，混合鍵合就被寄予厚望。

混合鍵合用于芯片的垂直（或 3D）堆疊。混合鍵合的顯著特點(diǎn)是它是無凸塊的。它從基于焊料的凸塊技術(shù)轉(zhuǎn)向直接銅對(duì)銅連接。這意味著頂部die和底部die彼此齊平。兩個(gè)芯片都沒有凸塊，而是只有可縮放至超細(xì)間距的銅焊盤。沒有焊料，因此避免了與焊料相關(guān)的問題。與以前的基于凸塊的互連相比，混合鍵合引入了一系列全新的技術(shù)和工藝挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的鍵合，對(duì)表面光滑度、清潔度和粘合對(duì)準(zhǔn)精度有非常嚴(yán)格的要求。

業(yè)界曾有言“混合鍵合將成為自EUV以來半導(dǎo)體制造最具變革性的創(chuàng)新”，事實(shí)是否如何我們目前還不可得知，但是，可以看到的是三星電子、SK海力士、美光都在你追我趕，爭(zhēng)相發(fā)力進(jìn)一步突破這種技術(shù)。

假如JEDEC放寬對(duì)HBM4內(nèi)存的高度限制，內(nèi)存廠商無需著急鍵合技術(shù)的飛躍。如果封裝厚度為775微米，使用現(xiàn)有的鍵合技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片鍵合和硅通孔（TSV）鍵合等就可以充分實(shí)現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4。畢竟解決當(dāng)下市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)問題還是必要的。并且考慮到混合鍵合的投資成本巨大，存儲(chǔ)器公司很可能將重點(diǎn)放在升級(jí)現(xiàn)有鍵合技術(shù)上。

但是值得注意的是，上述提到的鍵合技術(shù)有其局限性，并不能很好的適配未來3D封裝日益增長的復(fù)雜性和性能要求。目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游都對(duì)混合鍵合技術(shù)變革充滿期待，隨著先進(jìn)制程研發(fā)愈演愈烈，混合鍵合技術(shù)的市場(chǎng)在未來值得期待。


數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)化趨勢(shì)

2030年人類將進(jìn)入YB數(shù)據(jù)時(shí)代，數(shù)據(jù)量是2020年的23倍，全球連接數(shù)2000億，通用算力將增長10倍、人工智能算力將增長500倍。在存儲(chǔ)容量方面，目前一些高端閃存卡的存儲(chǔ)容量已經(jīng)達(dá)到了1TB，相當(dāng)于是32年前的10TB，而一些SSD的存儲(chǔ)容量更是高達(dá)數(shù)TB。在讀寫速度方面，目前一些高端的UHS-II SD卡可以提供高達(dá)300MB/s的讀取速度和260MB/s的寫入速度。此外，一些NVMe SSD的讀寫速度也可以達(dá)到數(shù)GB/s。

NAND Flash在閃存市場(chǎng)中具有舉足輕重的地位，隨著NAND Flash存儲(chǔ)原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝不斷更新發(fā)展，存儲(chǔ)晶圓工藝制程、電子單元密度、產(chǎn)品堆疊層數(shù)等經(jīng)歷了較大的技術(shù)更新，市場(chǎng)存儲(chǔ)密度的供給呈現(xiàn)出較快的增長速度。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院整理的數(shù)據(jù)顯示，全球NAND Flash存儲(chǔ)容量一直保持增長，從2017年的1620億GB增長至2020年的5300億GB，年均復(fù)合增長率達(dá)35.38%。

”信息爆炸“時(shí)代對(duì)數(shù)據(jù)存力帶來了巨大考驗(yàn)，數(shù)據(jù)存力整體上面臨容量逐漸供應(yīng)短缺；利用效率低下，資源浪費(fèi)；存儲(chǔ)設(shè)施能耗壓力大；分布區(qū)域不均勻，發(fā)展不平衡等難題。因此，未來存儲(chǔ)將會(huì)以非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)為主，SSD閃存為主要存儲(chǔ)介質(zhì)，并向分布式存儲(chǔ)架構(gòu)、云存儲(chǔ)、DNA存儲(chǔ)、納米存儲(chǔ)、存算一體等方向發(fā)展。

近年來，隨著云計(jì)算與人工智能應(yīng)用的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的流量不斷擴(kuò)大，數(shù)據(jù)處理速度慢和能耗高的問題逐漸成為束縛計(jì)算性能發(fā)展的障礙。相對(duì)于CPU性能的提升，內(nèi)存的進(jìn)步則相對(duì)緩慢，從而導(dǎo)致存儲(chǔ)速度嚴(yán)重滯后，即“內(nèi)存墻”問題。隨著多核處理器和大數(shù)據(jù)應(yīng)用的出現(xiàn)，數(shù)據(jù)搬運(yùn)的需求大幅增加，為了解決“內(nèi)存墻”問題，行業(yè)內(nèi)如SK海力士、美光科技等企業(yè)寄望于提高存儲(chǔ)器帶寬，因此高帶寬存儲(chǔ)技術(shù)（High-Bandwidth Memory，HBM）應(yīng)運(yùn)而生。

不同于傳統(tǒng)的2D DRAM，HBM技術(shù)采用3D堆疊的DRAM芯片，通過硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)多層內(nèi)存的垂直互連，并且使用系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）技術(shù)將GPU和多個(gè)DRAM芯片緊密集成，這種設(shè)計(jì)方式極大提高了數(shù)據(jù)傳輸速度，并能在較小的物理空間內(nèi)提供更大的存儲(chǔ)容量和更高的帶寬，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的延遲和功耗。正因?yàn)槿绱?，HBM技術(shù)被認(rèn)為是數(shù)據(jù)中心等高性能計(jì)算應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案。


結(jié)語

展望未來，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)將面臨更多的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。隨著數(shù)據(jù)量的爆炸式增長，如何提高存儲(chǔ)效率、降低存儲(chǔ)成本、滿足多元化的數(shù)據(jù)需求，將是存儲(chǔ)技術(shù)未來發(fā)展的重要課題。同時(shí)，隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，如分布式存儲(chǔ)架構(gòu)、云存儲(chǔ)、DNA存儲(chǔ)、納米存儲(chǔ)和存算一體等新興方向也將為存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展帶來無限可能。