全球前三大DRAM廠三星、SK海力士、美光全力搶攻AI用高頻寬記憶體（HBM）與新一代DDR5商機(jī)，無(wú)暇顧及DDR3、DDR4等成熟型產(chǎn)品，讓以DDR3、DDR4為主力產(chǎn)品的華邦、南亞科樂(lè)翻天，預(yù)期將出現(xiàn)供不應(yīng)求盛況，報(bào)價(jià)看漲之余，還將喜迎新一波轉(zhuǎn)單與拉貨潮。

業(yè)界看好，三大DRAM廠不會(huì)再擴(kuò)充成熟型DRAM產(chǎn)能甚至將生產(chǎn)線升級(jí)改為生產(chǎn)高頻寬記憶體與DDR5，將使得DDR3、DDR4供給大幅縮減，等于讓出相關(guān)市場(chǎng)，南亞科、華邦可乘勢(shì)擴(kuò)大市占搶商機(jī)。

SK海力士25日即表態(tài)，今年將提高資本支出至7兆韓元，略多于去年的6兆韓元，將優(yōu)先投入高頻寬記憶體和其他策略性產(chǎn)品，并非DDR3、DDR4等成熟型產(chǎn)品，同時(shí)確保效率與限制市場(chǎng)干擾。

臺(tái)灣記憶體業(yè)者對(duì)國(guó)際大廠猛攻高階記憶體技術(shù)，逐步淡出成熟型產(chǎn)品樂(lè)觀看待。華邦總經(jīng)理陳沛銘認(rèn)為，今年三大原廠產(chǎn)能配置不會(huì)放在DDR3與DDR4，估第2季到第3季，DDR3市場(chǎng)呈現(xiàn)供應(yīng)平衡或略為供不應(yīng)求，助攻價(jià)格走勢(shì)，對(duì)以DDR3為主力產(chǎn)品的華邦有利。

南亞科方面，現(xiàn)階段DDR3占比低于四成，DDR4占比則逾六成。南亞科目前部分產(chǎn)品正往DDR5移動(dòng)，但留在DDR4的產(chǎn)品需求仍大，公司認(rèn)為，三大記憶體廠朝DDR5發(fā)展趨勢(shì)明確，使得DDR4供給減少，預(yù)期今年DDR4有可能出現(xiàn)供不應(yīng)求。

南亞科指出，現(xiàn)階段公司第一顆DDR5是16Gb產(chǎn)品，也正在設(shè)計(jì)第二顆DDR5 16Gb，第二顆DDR5會(huì)是高密度產(chǎn)品。


內(nèi)存產(chǎn)業(yè)價(jià)格趨勢(shì)

業(yè)內(nèi)人士指出，現(xiàn)在的內(nèi)存市場(chǎng)報(bào)價(jià)完全打破了過(guò)往的規(guī)則，沒(méi)有固定的價(jià)格模式，只有在發(fā)貨時(shí)才知道最新價(jià)格。在原廠出貨量嚴(yán)格受控的漲價(jià)氛圍中，最終產(chǎn)品價(jià)格勢(shì)必上漲，只有終端需求復(fù)蘇，才能支撐價(jià)格的持續(xù)上漲。

在這一輪內(nèi)存價(jià)格下跌周期中，價(jià)格已累計(jì)下降了50%。隨著原廠積極減產(chǎn)，控制供應(yīng)量，現(xiàn)在的供需接近平衡，導(dǎo)致現(xiàn)貨價(jià)格開始回升，合約價(jià)也隨之上漲。預(yù)計(jì)到2024年第一季，DRAM和NAND的價(jià)格仍有18至23%的雙位數(shù)漲幅。

隨著第四季度客戶庫(kù)存去化接近尾聲，加上傳統(tǒng)旺季的拉貨效應(yīng)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的供需已接近平衡。產(chǎn)業(yè)界人士預(yù)測(cè)，未來(lái)市場(chǎng)走向?qū)⑷Q于兩個(gè)關(guān)鍵因素：一是各大原廠產(chǎn)能恢復(fù)的速度，二是實(shí)際需求的回升。

業(yè)內(nèi)人士觀察到，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的資本支出和供需比呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)。當(dāng)資本支出達(dá)到谷底，通常是內(nèi)存供過(guò)于求的高峰。目前，內(nèi)存大廠已限縮資本支出，預(yù)計(jì)本次下行周期即將結(jié)束。從2024年第二季開始，各廠有望進(jìn)入獲利改善、產(chǎn)能利用率提升的階段。

美國(guó)市場(chǎng)研究公司Gartner預(yù)測(cè)，在內(nèi)存需求強(qiáng)勁復(fù)蘇的推動(dòng)下，2024年將是半導(dǎo)體市場(chǎng)反彈之年，全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)年增17%。Gartner指出，由于供過(guò)于求和價(jià)格下跌，2023年全球內(nèi)存營(yíng)收預(yù)計(jì)將年減38.8%，但預(yù)計(jì)2024年將迎來(lái)強(qiáng)勁復(fù)蘇，營(yíng)收預(yù)計(jì)暴增66.3%。其中，2024年NAND型快閃內(nèi)存營(yíng)收預(yù)計(jì)增長(zhǎng)49.6%，DRAM營(yíng)收預(yù)計(jì)增長(zhǎng)88%。Gartner還預(yù)測(cè)，2025年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將年增15.5%，達(dá)到7210億美元。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）的最新預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，由于生成式AI的普及和內(nèi)存需求的大幅回升，預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體銷售額將達(dá)到5883.64億美元，同比增長(zhǎng)13.1%，超過(guò)2022年的5740.84億美元，創(chuàng)下新的歷史記錄。

具體來(lái)看，WSTS預(yù)計(jì)2024年全球芯片銷售額將達(dá)到4874.54億美元，同比增長(zhǎng)15.5%。其中，內(nèi)存銷售額預(yù)計(jì)從1203.26億美元上調(diào)至1297.68億美元，同比增長(zhǎng)44.8%；邏輯芯片（包括CPU等產(chǎn)品）銷售額預(yù)計(jì)從1852.66億美元上調(diào)至1916.93億美元，同比增長(zhǎng)9.6%。

隨著AI應(yīng)用的擴(kuò)散，服務(wù)器、機(jī)箱、散熱等部件需求激增。內(nèi)存模組作為的生成式AI重要應(yīng)用，預(yù)計(jì)將率先受益。隨著聯(lián)發(fā)科和高通推出AI手機(jī)芯片，AI應(yīng)用預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)展到手機(jī)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)明年不僅是AI服務(wù)器的大量出貨年，還將是AI PC和AI手機(jī)的元年，很大可能出現(xiàn)一輪十年難得一見的換機(jī)潮。預(yù)計(jì)明年AI PC、AI手機(jī)等各類AI應(yīng)用將更加普遍，推動(dòng)上游原廠的產(chǎn)能配置和新增投資都集中在HBM和DDR5，為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新一輪繁榮。

目前，各家DRAM大廠都在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5，推動(dòng)DDR4和DDR5加快進(jìn)入黃金交叉點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2024年第一季末，DDR5的出貨量將超過(guò)DDR4。隨著AI熱潮逐步擴(kuò)大到PC、手機(jī)等終端應(yīng)用，上游原廠的產(chǎn)能配置和新增投資將集中在HBM和DDR5。

盡管DDR4目前處于虧損出貨狀態(tài)，且原廠還有不小的庫(kù)存，但由于不再新增產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2024年下半年可能出現(xiàn)短缺。內(nèi)存大廠的供給產(chǎn)出轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)將為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新一波利好，未來(lái)2至3年將是內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的黃金時(shí)光。

值得注意的是，過(guò)去DDR3是工控內(nèi)存的主流，但2023年DDR4首次超過(guò)DDR3。預(yù)計(jì)DDR5將從2024年下半年開始進(jìn)入工控應(yīng)用。目前，工控應(yīng)用中DDR3的比重達(dá)到20至30%，盡管內(nèi)存大廠的產(chǎn)能供應(yīng)逐步減少，但終端需求也在逐漸減少。近期DDR3價(jià)格也出現(xiàn)了小幅上漲。為了推動(dòng)工控客戶升級(jí)到入門級(jí)DDR4，一些內(nèi)存大廠曾將DDR4的價(jià)格降至與DDR3同等水平，但主流PC應(yīng)用規(guī)格已轉(zhuǎn)向DDR5。盡管目前DDR3的庫(kù)存仍然較大，但未來(lái)隨著產(chǎn)能的轉(zhuǎn)移，市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)壓力將逐步減輕。預(yù)計(jì)到2024年第一季，DDR3的合約價(jià)將可能回漲，甚至到第二、第三季可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。


HBM和DDR5成為潛力增長(zhǎng)市場(chǎng)

集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，2023年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)下滑，三星、SK海力士、美光等大型存儲(chǔ)芯片廠商必須通過(guò)減產(chǎn)才能消化現(xiàn)在行業(yè)當(dāng)中的庫(kù)存。2023年底比較去年年底，最健康的情況是去庫(kù)存已經(jīng)達(dá)到成效。三星今年對(duì)DRAM做了大幅度減產(chǎn)，特別是第四季度，產(chǎn)能利用率降到70%以下。

據(jù)悉，2023年第四季度DRAM與NAND Flash合約價(jià)格將開始全面上漲，DRAM合約價(jià)格季漲約3%到8%。

吳雅婷表示，2024年預(yù)計(jì)DRAM的產(chǎn)能利用率上半年偏低，隨著均價(jià)的復(fù)蘇還有市場(chǎng)狀況的改善，下半年的時(shí)候會(huì)提高到13.2%，其中主要是DDR5和HBM產(chǎn)品的貢獻(xiàn)。

從行業(yè)應(yīng)用來(lái)看，2024年P(guān)C、服務(wù)器、手機(jī)、圖形和消費(fèi)電子對(duì)內(nèi)存的需求占比不同，但是服務(wù)器對(duì)內(nèi)存的需求占據(jù)市場(chǎng)14.8%，超越手機(jī)對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)需求，成為市場(chǎng)供應(yīng)的主流，真正對(duì)均價(jià)會(huì)產(chǎn)生影響的，主要以服務(wù)器需求DRAM為主。

HBM即為高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸等優(yōu)點(diǎn)。HBM已經(jīng)存在十年，在DRAM的整體頹勢(shì)之中，HBM卻在逆市增長(zhǎng)。2023年開年后三星、SK海力士?jī)杉掖鎯?chǔ)大廠HBM訂單快速增加，HBM3規(guī)格DRAM價(jià)格上漲5倍。

吳雅婷分析表示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流，預(yù)計(jì)2023年全球HBM需求量將增近六成，達(dá)到2.9億GB，占據(jù)DRAM整體營(yíng)收的3%，但是2024年HBM供應(yīng)量將會(huì)增長(zhǎng)一倍，在整個(gè)DRAM營(yíng)收中占比將達(dá)到9%。

DDR5在服務(wù)器和PC上的使用進(jìn)程不如預(yù)期，DDR5的滲透率在DRAM占比不大。吳雅婷認(rèn)為，HBM和DDR5明年可能都會(huì)爭(zhēng)奪原廠的工藝制程，根據(jù)現(xiàn)在行業(yè)客戶的需求，HBM3e將在2024年支持主要AI服務(wù)器需求，這也是AMD、亞馬遜和微軟向SK海力士獲取HBM3e樣本的原因。

終端產(chǎn)品出貨量來(lái)看，服務(wù)器需求DRAM的量2024年比較2023年會(huì)增加2.3%。手機(jī)對(duì)DRAM需求，2024年比較2023年會(huì)增加2.9%。PC對(duì)DRAM需求量2024年比較2023年會(huì)增加2.1%。