2019至2022年間新能源汽車、光伏、半導(dǎo)體等下游需求持續(xù)旺盛，全球范圍內(nèi)晶圓產(chǎn)能不足，功率半導(dǎo)體行業(yè)供不應(yīng)求，曾出現(xiàn)多次漲價(jià)，其中IGBT、SiC MOSFET等十分緊俏。自2022年以來(lái)，全球范圍內(nèi)產(chǎn)能逐步釋放，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)行情回落，從二三極管、晶體管、中低壓 MOS到高壓MOS都出現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)并大幅降價(jià)；加之消費(fèi)電子市場(chǎng)疲軟大背景下，庫(kù)存去化成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)近兩年主旋律。

然而，自2023年12月至今年1月，媒體報(bào)道包括捷捷微電、三聯(lián)盛、藍(lán)彩電子、揚(yáng)州晶新、深微公司在內(nèi)的五家本土功率半導(dǎo)體廠商紛紛發(fā)出漲價(jià)涵調(diào)漲旗下產(chǎn)品價(jià)格。當(dāng)前功率半導(dǎo)體庫(kù)存去化顯著，且終端需求漸漸出現(xiàn)回暖跡象，功率半導(dǎo)體行業(yè)是否已觸底反彈？

一個(gè)月內(nèi)，五家功率半導(dǎo)體發(fā)出漲價(jià)函

1月14日，捷捷微電向客戶發(fā)出《價(jià)格調(diào)整函》，宣布自2024年1月15日起，對(duì)公司Trench MOS產(chǎn)品線單價(jià)上調(diào)5%-10%。在調(diào)整日期之前所下的訂單可以繼續(xù)按照原有單價(jià)及數(shù)量執(zhí)行完，新下的訂單則需要與公司業(yè)務(wù)人員確認(rèn)溝通。

對(duì)于漲價(jià)的原因，捷捷微電表示，公司“為了不斷地提升產(chǎn)品的品質(zhì)和豐富產(chǎn)品型號(hào)，前期一直不斷加大對(duì)先進(jìn)設(shè)備及工藝研發(fā)的投入，但在過(guò)去很長(zhǎng)一段時(shí)間里市場(chǎng)低迷，產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑的背景下，我司已獨(dú)自承擔(dān)了材料、匯率、人工等多項(xiàng)增加的成本。經(jīng)長(zhǎng)期虧損原有價(jià)格已難以滿足正常供貨需求，為了持續(xù)保證交付質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)?！?/span>

顯然，捷捷微電公布的2023年度半年報(bào)顯示，上半年?duì)I業(yè)成本同比增長(zhǎng)了26.41%至5.8億元，主要原因是“銷售增加同步增加營(yíng)業(yè)成本、產(chǎn)能利用率不足、單位成本增加所致?！?/span>

捷捷微電本次宣布漲價(jià)的主要是Trench MOS產(chǎn)品線，據(jù)悉，其MOS以及相關(guān)器件合計(jì)約占捷捷微電營(yíng)收20%以上。

1月9日，深圳市深微半導(dǎo)體有限公司發(fā)布通知稱，過(guò)去三年對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)而言，是風(fēng)雨兼程的三年。市場(chǎng)需求萎靡引發(fā)惡意競(jìng)爭(zhēng)，產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑，行業(yè)內(nèi)卷導(dǎo)致品質(zhì)事故頻發(fā)。由于整體原材料成本的不斷上漲以及綜合運(yùn)營(yíng)成本的增加，深微公司同樣面臨著財(cái)務(wù)上持續(xù)赤字的現(xiàn)實(shí)問(wèn)題。

深圳市三聯(lián)盛功率半導(dǎo)體有限公司也于近日發(fā)布調(diào)價(jià)通知函稱，由于原材料的價(jià)格及人工成本上漲，導(dǎo)致公司成本大幅增加，成本已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)公司能承受的范圍。經(jīng)過(guò)公司慎重研究決定：自 2024年1月1日起，公司全系列產(chǎn)品單價(jià)上調(diào) 10%-20%。

2023年12月29日，四川藍(lán)彩電子科技有限公司發(fā)布關(guān)于產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整通知稱，由于上游原材料價(jià)格及人工成本持續(xù)上漲，導(dǎo)致公司成本大幅增加，原有價(jià)格已難以滿足供貨需求，經(jīng)過(guò)公司慎重研究后決定：自2024年1月1日起，公司全系列產(chǎn)品單價(jià)上調(diào)10%-18%。

更早發(fā)布漲價(jià)通知的則是揚(yáng)州晶新微電子有限公司。2023年12月15日，一則關(guān)于揚(yáng)州晶新微電子有限公司的調(diào)價(jià)溝通函在業(yè)界流傳。揚(yáng)州晶新表示，2023 年以來(lái)國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)惡性競(jìng)爭(zhēng)，價(jià)格不斷下滑，內(nèi)卷極其嚴(yán)重，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈苦不堪言。另一方面，終端廠商對(duì)產(chǎn)品的性能和品質(zhì)要求層層加嚴(yán)，不斷提高各方面的要求?；诖?，揚(yáng)州晶新決定：從 2024 年 1 月 1 日發(fā)貨起對(duì)所有背錫芯片價(jià)格上調(diào) 10%-15%。

對(duì)于上述漲價(jià)函，一些行業(yè)人士表示，當(dāng)下庫(kù)存去化接近尾聲，企業(yè)虧損已久，調(diào)價(jià)也無(wú)可厚非。


市場(chǎng)需求并未恢復(fù)，企業(yè)虧損不得不漲

從上述漲價(jià)函可以看出，一方面上述分立器件廠商面臨市場(chǎng)需求萎靡引發(fā)惡意競(jìng)爭(zhēng)，導(dǎo)致公司產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑。

業(yè)內(nèi)人士指出，市場(chǎng)需求低迷使得分立器件產(chǎn)品價(jià)格內(nèi)卷非常嚴(yán)重，小廠的價(jià)格太低了。相對(duì)中大型功率半導(dǎo)體企業(yè)，可以通過(guò)綁定優(yōu)質(zhì)行業(yè)頭部客戶保障公司的訂單量，價(jià)格波動(dòng)幅度不會(huì)太大，小廠顯得更為被動(dòng)，為獲得訂單只能以低毛利在市場(chǎng)上“血拼”，遇上通貨膨脹就直接“扛不住”了。

以上述發(fā)布漲價(jià)函的三聯(lián)盛為例，2023上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3697.53萬(wàn)元，凈虧損達(dá)1597.1萬(wàn)元，毛利率為-11.18%。雖然公司營(yíng)收下滑幅度并不大，但毛利率由正轉(zhuǎn)負(fù)，業(yè)績(jī)虧損嚴(yán)重，即使三聯(lián)盛將旗下產(chǎn)品調(diào)漲10%-20%，公司能否實(shí)現(xiàn)扭虧為盈還未可知。

值得注意的是，業(yè)績(jī)虧損的情況在國(guó)內(nèi)中小型功率半導(dǎo)體廠商中并不罕見(jiàn)，集微網(wǎng)通過(guò)統(tǒng)計(jì)六家新三板掛牌的分立器件廠商2023上半年業(yè)績(jī)發(fā)現(xiàn)，除昌德微營(yíng)收基本持平外，包括深深愛(ài)、星海電子、芯諾科技、三聯(lián)盛、明芯微在內(nèi)的廠商都出現(xiàn)下滑。凈利潤(rùn)方面，深深愛(ài)、昌德微、三聯(lián)盛、明芯微都出現(xiàn)了虧損。

另一方面，則是原材料及人工成本在持續(xù)上漲。業(yè)內(nèi)人士對(duì)集微網(wǎng)表示，除人工、房租、稅費(fèi)等方面支出增加外，當(dāng)前銅價(jià)也出現(xiàn)上漲，將帶動(dòng)引線框架等封裝材料價(jià)格同步上漲。

銅作為引線框架的主要原材料，引線框架廠商采購(gòu)銅帶的成本與金屬銅的價(jià)格直接相關(guān)，而近幾年金屬銅的價(jià)格波動(dòng)較大。因此，多數(shù)廠商對(duì)引線框架產(chǎn)品定價(jià)將與倫敦LME銅價(jià)聯(lián)動(dòng)，采取“成本+加工費(fèi)”模式，銅價(jià)的波動(dòng)也直接影響到引線框架產(chǎn)品的售價(jià)。

據(jù)央視財(cái)經(jīng)報(bào)道，在全球銅原料供應(yīng)將收緊的背景下，有專家預(yù)計(jì)，未來(lái)兩年銅價(jià)可能會(huì)飆升75%以上，達(dá)到一個(gè)新的歷史高點(diǎn)。在此情況下，引線框架價(jià)格或?qū)⒊霈F(xiàn)大幅增長(zhǎng)，而引線框架占封測(cè)成本的20%-70%，對(duì)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)成本影響較大。

綜上所述，時(shí)至今日，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)并未出現(xiàn)明顯起色，但在行業(yè)持續(xù)內(nèi)卷的情況下，產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下跌，原材料和人工成本上漲導(dǎo)致各大廠商業(yè)績(jī)下滑，部分小型廠商陷入虧損，即使部分廠商已經(jīng)宣布漲價(jià)，短期內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)景氣度也難有反轉(zhuǎn)。

本土廠商取得了哪些重要突破？面臨哪些困局？

近幾年，受疫情和國(guó)際環(huán)境影響，國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)、工控級(jí)功率器件國(guó)產(chǎn)替代需求強(qiáng)勁，采用本土廠商功率器件產(chǎn)品的意愿明顯提升。

與此同時(shí)，經(jīng)過(guò)近幾年的不斷積累，國(guó)內(nèi)在硅器件的低壓SGT、高壓超結(jié)器件、IGBT及IGBT模塊等方面，不管是在技術(shù)、產(chǎn)品以及規(guī)?；a(chǎn)能上均取得突破性進(jìn)展。在SiC領(lǐng)域SBD達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，平面MOSFET取得突破并進(jìn)入量產(chǎn)。

但在IGBT的高端應(yīng)用方面和溝槽SiC MOSFET方面積累的時(shí)間和經(jīng)驗(yàn)都不足，需要夯實(shí)基礎(chǔ)，使之能滿足整機(jī)要求，穩(wěn)定量產(chǎn)，并不斷推進(jìn)技術(shù)迭代工作。澎芯半導(dǎo)體也在聯(lián)合合作單位，加快推進(jìn)溝槽SiC MOSFET的技術(shù)進(jìn)步。

目前，國(guó)內(nèi)功率器件產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善，在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能建設(shè)等方面取得了顯著進(jìn)展：一方面實(shí)現(xiàn)了封裝技術(shù)、材料研發(fā)等領(lǐng)域的突破；另一方面在技術(shù)壁壘較高的 IGBT、MOSFET 等產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)制造亦有所成就。

盡管取得了一些重要突破，但與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)相比，本土企業(yè)在一些高端技術(shù)領(lǐng)域、產(chǎn)業(yè)鏈完整度、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)、人才培養(yǎng)等方面存在一定差距。面對(duì)廣闊的市場(chǎng)前景，國(guó)內(nèi)廠商在技術(shù)水平和市場(chǎng)份額的提升上仍有較大的發(fā)展空間。

隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，產(chǎn)品的質(zhì)量、性能、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)不斷提升，中國(guó)功率半導(dǎo)體器件對(duì)進(jìn)口的依賴將會(huì)減弱，國(guó)產(chǎn)替代效應(yīng)將持續(xù)顯現(xiàn)。未來(lái)，在國(guó)家政策支持、產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善、人才水平逐漸提高的背景下，中國(guó)本土企業(yè)有望進(jìn)一步向高端功率器件領(lǐng)域邁進(jìn)。