眾所周知，目前的芯片制造工藝中，光刻是必不可少的步驟，所以光刻機(jī)也是至關(guān)重要的一種設(shè)備。

光刻機(jī)的類(lèi)型與工藝制程，光源波長(zhǎng)，是一一對(duì)應(yīng)，比如干式DUV光刻機(jī)，采用193nm波長(zhǎng)深紫外線光源，制造130-65nm芯片，浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，采用193nm波長(zhǎng)深紫外線光源，經(jīng)水折射后，波長(zhǎng)變?yōu)?34nm，用于制造65nm-7nm的芯片。

而EUV光刻機(jī)，采用13.5nm波長(zhǎng)的極紫外線光源，制造5nm及以下芯片。

從這中，大家基本可以看出規(guī)則，那就是光刻機(jī)精度的的提升，一個(gè)非常重要的因素，就是光源的提升，光源波長(zhǎng)越小，精度越高，制造的芯片工藝越小。

不過(guò)到了13.5nm的EUV光刻機(jī)后，光源的波長(zhǎng)不太可能再縮小了。

因?yàn)椴ㄩL(zhǎng)再小的話，反射角調(diào)整會(huì)導(dǎo)致光損失巨大，最后光能量不足，無(wú)法光刻，如果加大光能量來(lái)抗衡光損失，則需要加多反射鏡，還要加大光源系統(tǒng)，會(huì)導(dǎo)光刻機(jī)成怪物，成本巨大，體積巨大，無(wú)法生產(chǎn)和運(yùn)輸。

事實(shí)上，除了光源波長(zhǎng)減小之外，還可以從另外兩個(gè)方面提高光刻機(jī)分辨率：增大數(shù)值孔徑、減小光刻工藝因子。

光源波長(zhǎng)已經(jīng)不能再減小了，所以當(dāng)推出了13.5nm波長(zhǎng)的EUV光刻機(jī)后，ASML不再探索使用更短波長(zhǎng)的光源，而是將目光放在了數(shù)值孔徑，也就是NA上。

數(shù)值孔徑是什么，其實(shí)代表的是系統(tǒng)可以收集和聚焦多少的光，ASML這幾代光刻機(jī)，NA不斷的增大，從最開(kāi)始的0.25提升到0.33。

而ASML的下一代EUV光刻機(jī)，其N(xiāo)A數(shù)值孔徑會(huì)達(dá)到0.55，不過(guò)ASML也暗示，這可能是最后一供了，達(dá)到0.55之后，無(wú)法現(xiàn)提升了。

接著再看光刻工藝因子，但目前，ASML的EUV光刻機(jī)，通過(guò)組合使用OPC、多重圖形等分辨率技術(shù)等，其光刻工藝因子已經(jīng)突破理論極限0.25了，ASML的聯(lián)席CEO表示，接下來(lái)也很難再有進(jìn)步了，因?yàn)橐偻黄?，需要所有合作伙伴一起突破，ASML沒(méi)把握。

前兩天，ASML宣布稱(chēng)，聯(lián)席總裁溫寧克和范登布林克，將于明年4月份退休，不知道這兩位退休后，ASML接下來(lái)會(huì)往何方向突破？似乎路已經(jīng)走到盡頭了。