國(guó)產(chǎn)芯片又傳來(lái)一好消息!這類存儲(chǔ)芯片實(shí)現(xiàn)零的突破
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)于11月28日正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,包括12Gb的LPDDR5顆粒、POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。據(jù)悉,12GB LPDDR5芯片已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。
LPDDR5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。LPDDR5具有高速、低功耗、高帶寬等優(yōu)勢(shì),可廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出的LPDDR5產(chǎn)品系列,將進(jìn)一步滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、低功耗存儲(chǔ)器的需求。
據(jù)了解,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)一直致力于DRAM芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,已形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的LPDDR5產(chǎn)品系列的推出,將進(jìn)一步提升公司在移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力,為公司未來(lái)的發(fā)展注入新的活力。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出的LPDDR5產(chǎn)品系列,是公司在移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的一次重要布局,也是公司在DRAM芯片領(lǐng)域的又一次技術(shù)突破。
LPDDR5目前競(jìng)爭(zhēng)格局
從當(dāng)前DRAM市場(chǎng)格局看,根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約114.3億美元,環(huán)比增長(zhǎng)20.4%,終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢(shì)。其中三星(39.6%)、SK海力士(30.1%)、美光(25.8%)合計(jì)占據(jù)超過(guò)95%的市場(chǎng)份額。加上南亞科(2%)和華邦電子(0.9%),前五名合計(jì)份額達(dá)98.4%。
綜合業(yè)界消息,在今年9月末,三星宣布已開(kāi)發(fā)出一系列低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊 (LPCAMM),該模塊使用 LPDDR5X 內(nèi)存;11月在中國(guó)香港舉行的“2023投資者論壇”上,三星表示將為汽車領(lǐng)域準(zhǔn)備新的存儲(chǔ)解決方案,其中便包括新版LPDDR5X。
SK海力士方面,11月13日,該公司正式向客戶供應(yīng)LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)的16GB(千兆)容量套裝產(chǎn)品,這是迄今為止最快的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn)每秒9.6Gpbs(每秒9.6千兆)的傳輸速度。
美光則于2022年發(fā)布LPDDR5X DRAM,據(jù)悉其LPDDR5X-9600采用其最新的1β工藝制造,單顆封裝最大容量16GB,速率相比此前最快的LPDDR5X-8533又提高了12%。
國(guó)產(chǎn)差距:落后四年
LPDDR5其實(shí)就是DDR5產(chǎn)品的一種,不過(guò)這種是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器,用于手機(jī)、平板等便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品中。而在所有的DRAM產(chǎn)品中,這種LPDDR產(chǎn)品,占據(jù)了約二分之一的市場(chǎng),因?yàn)楝F(xiàn)在的手機(jī)、平板等銷量太大了。
現(xiàn)在的手機(jī)、平板都是使用較為先進(jìn)的LPDDR5產(chǎn)品,之前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)只能生產(chǎn)LPDDR4,相對(duì)較為落后,所以國(guó)內(nèi)的手機(jī)廠商們,大多使用美光、SK海力士、三星的產(chǎn)品,沒(méi)有使用國(guó)產(chǎn)。
不過(guò),現(xiàn)在當(dāng)長(zhǎng)鑫推出LPDDR5產(chǎn)品后,那么就可以實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代了,所以長(zhǎng)鑫也表示,已成功完成了與小米、傳音等國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌機(jī)型的上機(jī)驗(yàn)證。
很明顯,接下來(lái)眾多的國(guó)產(chǎn)手機(jī),會(huì)使用長(zhǎng)鑫的內(nèi)存,進(jìn)行國(guó)產(chǎn)替代了。
中國(guó)的智能手機(jī),占了全球60%的市場(chǎng)份額,中國(guó)的平板電腦,占了全球40%+的份額,如果這些國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品,都使用長(zhǎng)鑫的內(nèi)存,將減少多少進(jìn)口?
不過(guò),雖然長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)有了突破,但我們還是要正視差距,因?yàn)槿窃?019年7月份就量產(chǎn)了全球首款12Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM,算下來(lái)長(zhǎng)鑫落后有4年。
所以我們雖然有突破,但還是要保持低調(diào)發(fā)展,畢竟與國(guó)外大廠相比,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的依然存在差距,還需要努力。
存儲(chǔ)芯片行情好轉(zhuǎn)
減產(chǎn)策略仍舊繼續(xù)
雖然雙十一多數(shù)終端產(chǎn)品銷售平淡,但在三大原廠(三星、SK 海力士及美光)大幅減產(chǎn)、控制產(chǎn)出的前提下,存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨漲價(jià)趨勢(shì)持續(xù),其中 NAND 因虧損較嚴(yán)重,漲幅較為明顯。
據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《工商時(shí)報(bào)》,存儲(chǔ)芯片大廠減產(chǎn)保價(jià)策略十分奏效,Q4 合約價(jià)報(bào)價(jià)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,其中 DDR5 上漲 15~20%,DDR4 上漲 10~15%,DDR3 上漲 10%,而原先預(yù)估僅 5~10%。同時(shí),NAND 每家平均漲幅至少在 20~25%,漲幅明顯更高。
另外,三星對(duì) DRAM 正常報(bào)價(jià),但在 NAND 部分則暫停報(bào)價(jià),同時(shí)也不出貨,最新報(bào)價(jià)仍待觀察。
IT之家查詢發(fā)現(xiàn),InSpectrum 最新報(bào)價(jià)顯示,DRAM 現(xiàn)貨中 4Gb 和 8Gb DDR4 近一周報(bào)價(jià)基本持平,但近一月報(bào)價(jià)已上漲 3.03%和 1.97%。
在 NAND Flash 現(xiàn)貨方面,256Gb 周報(bào)價(jià)基本持平,但和 512Gb TLC Flash 上漲 4.12%,月報(bào)價(jià)則分別上漲 15.25%和 27.78%。
TrendForce 分析師預(yù)計(jì)預(yù)估,第四季 DRAM 報(bào)價(jià)將會(huì)增長(zhǎng) 3~8%,而第三季跌幅為 0~5%;第四季 NAND 報(bào)價(jià)季增 8~13%,也遠(yuǎn)優(yōu)于第三季的跌幅 5~10%。
據(jù)稱,三星第四季度 DRAM 減產(chǎn)幅度達(dá) 30%,SK 海力士及美光減產(chǎn)幅度達(dá) 20%,原廠對(duì) NAND 的減產(chǎn)幅度更高,預(yù)計(jì)三大供應(yīng)商減產(chǎn)將持續(xù)至 2024 年中,且資本支出和產(chǎn)出將聚焦于利潤(rùn)更高的部分,如 HBM 和 DDR5。
