眾所周知，目前國(guó)內(nèi)的芯片產(chǎn)業(yè)，被光刻機(jī)卡住了脖子。

如果ASML不賣浸潤(rùn)式光刻機(jī)，不賣EUV光刻機(jī)給我們，在國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)沒有突破的情況之下，我們很難進(jìn)入7nm以下。

而最近幾年，經(jīng)常也有各種國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)突破的消息，經(jīng)常有一些媒體稱，國(guó)產(chǎn)28nm光刻機(jī)快出來(lái)了……

那么問題來(lái)了，目前光刻機(jī)的一些核心部件，國(guó)產(chǎn)化到哪一步了？

我們知道，光刻技術(shù)是在特定波長(zhǎng)的光照作用下，借助光刻膠將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)工藝。

如果從原理來(lái)看，其過程是光源穿過光掩模，并通過透鏡使得光掩?？s小，最終使光落于覆蓋有光刻膠的基板上，最終完成對(duì)底片的雕刻。

核心部件一是光源系統(tǒng)，核心二是物鏡系統(tǒng)，核心三是雙工作臺(tái)。當(dāng)然除了這三大核心器件之外，還有能量探測(cè)器、遮光器等等，我們這里不細(xì)說，只說這三大核心器件。

光源系統(tǒng)，DUV光刻機(jī)，包括ArF，以及浸潤(rùn)式的ArFi，采用的都是193nm波長(zhǎng)的光源，稱之為深紫外線，目前上海微電子的90nm光刻機(jī)，采用的也是193nm，和浸潤(rùn)式光刻機(jī)是一致的，最高可以支持到7nm，這一塊不是短板，在EUV之前，都能用。

物鏡系統(tǒng)，這一塊才是真正的難點(diǎn)，考驗(yàn)的是光學(xué)水平。

ASML的物鏡系統(tǒng)，是由全球最牛的光學(xué)公司卡爾蔡司提供的，卡爾蔡司是ASML 透鏡，反射鏡，照明器，收集器和其他關(guān)鍵光學(xué)元件（即光學(xué)元件）的唯一供應(yīng)商。

目前國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的物鏡系統(tǒng)，正在使用的還在90nm，不過據(jù)稱長(zhǎng)春光電所的物鏡系統(tǒng)已經(jīng)達(dá)到了32nm，暫時(shí)還不清楚有沒有使用到光刻機(jī)上。

可見，在物鏡系統(tǒng)這一塊，國(guó)內(nèi)的公司與之相比，還有非常大的差距，這可能也是制約國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)突破的重要因素之一。

再看工作臺(tái)方面，這一塊是機(jī)械、自動(dòng)化、精密儀器方面的能力。

目前ASML的光刻機(jī)，其精度能夠在高速運(yùn)動(dòng)下保持 2nm 精度，國(guó)內(nèi)這一塊，之前有媒體傳出清華大學(xué)和華卓精科合作研發(fā)出光刻機(jī)雙工作臺(tái)，精度為 10nm，雖然不如2nm，但已經(jīng)相當(dāng)不錯(cuò)了。

另外關(guān)于浸潤(rùn)式光刻機(jī)，還有一個(gè)浸潤(rùn)式系統(tǒng)，這一塊考驗(yàn)的其實(shí)也是傳感器、儀器控制等，193nm波長(zhǎng)的光源，通過浸潤(rùn)式系統(tǒng)后，就變成了134nm。

目前在這一塊，國(guó)內(nèi)暫時(shí)還沒有傳出突破的消息，但也傳出國(guó)內(nèi)企業(yè)啟爾機(jī)電在浸液控制系統(tǒng)上取得了重大突破，具體到哪一步了，還不太清楚。

由此可見，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，看起來(lái)也沒有想象中的那么難，光源、工作臺(tái)不是問題，物鏡系統(tǒng)也快了，浸潤(rùn)式系統(tǒng)也有突破，國(guó)內(nèi)廠商們正在一步一步突破，相信浸潤(rùn)式國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，真的不太遠(yuǎn)了。