最近最火的芯片是什么？在國內(nèi)我認為絕對是華為Mate60上面的那一顆麒麟9000S。

雖然這顆芯片工藝未知，代工廠未知，5G未知，生產(chǎn)時間未知，但一直是大家關(guān)注的重點，連海外媒體都去拆解，反封裝。

按照絕大部分媒體的電掃描結(jié)果，這顆芯片等同于7nm工藝，甚至從晶體管密度來看，還比臺積電、三星的7nm工藝強一點點。

這也意味著國內(nèi)的芯片制造工藝，真的達到了7nm水平了。

而當國內(nèi)的芯片工藝，達到7nm水平后，什么問題來了？我覺得EUV光刻機，真的是要突破了，已經(jīng)是火燒眉毛了。

我們知道，在目前的芯片流程之下，進入到5nm，必須要用到EUV光刻機，使用浸潤式光刻機，多重曝光之后，最多也就達到7nm，這是DUV光刻機的極限，畢竟波長是193nm，經(jīng)過水的折射，等效134nm后，也最多達到7nm。

以前國內(nèi)對外公開的技術(shù)是14nm，所以總讓人覺得離5nm還很遠，畢竟中間還隔了10nm、7nm，相當于還有三代，這三代研發(fā)，至少得好幾年。

所以有沒有EUV光刻機，其實并沒有那么急切，畢竟還用不著嘛。

但如今，我們發(fā)現(xiàn)，其實我們已經(jīng)擁有了7nm芯片的制造技術(shù)，那么接下來，就要直接進入5nm了，就急需EUV光刻機了。

所以這時候，EUV光刻機就真是火燒眉毛了，因為它會是我們進入5nm工藝時最大瓶頸了。

不過近日，也傳出好一些不知真假的好消息，說國內(nèi)有了突破，用集群式的方式，實現(xiàn)了最新的EUV光刻機的突破方案。

我們與ASML的小型化EUV光刻機截然不同，而是直接用一臺大的加速器光源，用分光器來帶動幾十臺光刻機，實現(xiàn)集群式。

當然，真假未知，但可以肯定的是，目前國內(nèi)在EUV光刻機上面一直在想辦法突破，不同的方案在前進，突破也許就在明天，也許就在后天，而一旦突破，那么美國想從芯片設備上卡脖子，就徹底失效了。

并且，一旦國產(chǎn)EUV突破，全球的芯片格局都會改寫，美國估計再也保持不住老大的位置了，而臺積電也難以保住代工老大的位置。