硅光子及共同封裝光學(xué)元件（CPO）成為業(yè)界新顯學(xué)，網(wǎng)絡(luò)上流傳出臺積電攜手博通、輝達(dá)等大客戶共同開發(fā)，最快明年下半年開始迎來大單。

據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》報道，對于相關(guān)傳聞，臺積電表示，不回應(yīng)客戶及產(chǎn)品狀況。不過，臺積電高度看好硅光子技術(shù)，臺積電副總余振華日前曾公開表示：“如果能提供一個良好的硅光子整合系統(tǒng)，就能解決能源效率和 AI 運算能力兩大關(guān)鍵問題。這會是一個新的范式轉(zhuǎn)移。我們可能處于一個新時代的開端?！?br style="white-space: normal; color: rgb(102, 102, 102); font-family: 宋體; font-size: 12px;"/>
IT之家注意到，臺積電、英特爾、輝達(dá)、博通等國際半導(dǎo)體企業(yè)都陸續(xù)展開硅光子及共同封裝光學(xué)元件技術(shù)布局，最快 2024 年就可看到整體市場出現(xiàn)爆發(fā)性成長。

業(yè)界分析，高速資料傳輸目前仍采用可插拔光學(xué)元件，隨著傳輸速度快速進(jìn)展并進(jìn)入 800G 世代，及未來進(jìn)入 1.6T 至 3.2T 等更高傳輸速率，功率損耗及散熱管理問題將會是最大難題。

硅光子技術(shù)用激光束代替電子信號傳輸數(shù)據(jù)，透過 CPO 封裝技術(shù)整合為單一模組，現(xiàn)已獲得微軟、Meta 等大廠認(rèn)證并采用在新一代網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)。


硅光芯片成兵家必爭之地

縱觀硅光子在全球的發(fā)展情況，美國是硅光子最先興起的，也是目前發(fā)展最超前的國家。

早在1969年，貝爾實驗室的S.E.Miller首次提出了集成光學(xué)的概念，但是由于InP波導(dǎo)的高損耗和工藝落后難以實現(xiàn)大規(guī)模集成，這一技術(shù)在當(dāng)時未能掀起波瀾，之后將這一技術(shù)發(fā)揚光大的是Intel。2010年Intel開發(fā)出首個50Gb/s超短距硅基集成光收發(fā)芯片后，硅光芯片開始進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段。隨后歐美一批傳統(tǒng)集成電路和光電巨頭通過并購迅速進(jìn)入硅光子領(lǐng)域搶占高地。目前英特爾也是在硅光領(lǐng)域布局最全面的公司。

中國真正開始大規(guī)模研究硅光子是在2010年左右，之前多為學(xué)術(shù)上的研究，起步晚導(dǎo)致中國在硅光子的產(chǎn)品化進(jìn)程上不如美國。但中國對于硅光子技術(shù)研發(fā)方面人才和資金的大規(guī)模投入，使得國內(nèi)硅光產(chǎn)業(yè)與國外差距并沒有十年之久。2017年中國的硅光產(chǎn)業(yè)迎來快速發(fā)展。

從產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)展看，全球硅光產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)逐漸成熟，從基礎(chǔ)研發(fā)到商業(yè)應(yīng)用的各個環(huán)節(jié)均有代表性的企業(yè)。

其中以Intel、思科、Inphi為代表的美國企業(yè)占據(jù)了硅光芯片和模塊出貨量的大部分，成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊。國內(nèi)廠商主要有中際旭創(chuàng)、熹聯(lián)光芯、華工科技、新易盛、光迅科技、博創(chuàng)科技、華為、亨通光電等。雖然國產(chǎn)廠商進(jìn)入該領(lǐng)域較晚，市場份額相對較小，但是通過近年來在技術(shù)上的快速追趕，國產(chǎn)廠商與國外廠商在技術(shù)上的差距已經(jīng)在逐步縮小。


什么是硅光子芯片技術(shù)？

顧名思義，硅光子芯片技術(shù)是一種光通信技術(shù)，使用激光束代替電子半導(dǎo)體信號傳輸數(shù)據(jù)，是基于硅和硅基襯底材料（如： SiGe/Si、SOI ）等；并利用現(xiàn)有CMOS工藝進(jìn)行光器件開發(fā)和集成的新一代技術(shù)。

其中，硅光子技術(shù)也結(jié)合了集成電路技術(shù)的超大規(guī)模、超高精度制造的特性和光子技術(shù)超高速率、超低功耗的優(yōu)勢，是應(yīng)對摩爾定律失效的顛覆性技術(shù)，這種組合得力于半導(dǎo)體晶圓制造的可擴展性，因而能夠降低成本。

其次，硅光子技術(shù)最大的優(yōu)勢在于擁有相當(dāng)高的傳輸速率，可使處理器內(nèi)核之間的數(shù)據(jù)傳輸速度快100倍甚至更高，功率效率也非常高，因此被認(rèn)為是新一代半導(dǎo)體技術(shù)。

緊接著，硅光子技術(shù)是由四個關(guān)鍵器件來組成：

光源：生產(chǎn)光信號的器具，通常采用激光器或LED。

光波導(dǎo)：將光信號導(dǎo)到需要的位置，通常采用硅基光波導(dǎo)。

調(diào)制器：用于調(diào)制光信號的強度、相位或頻率，通常采用光電調(diào)制器。

探測器：將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的器具，通常采用光電二極管或光電探測器。

基于，硅光波導(dǎo)的多種光無源器件和有源器件均已先后開發(fā)成功，其中不少達(dá)到了實用化水平；由于硅屬于間接帶隙半導(dǎo)體材料，不能直接構(gòu)成電驅(qū)動激光器和光放大器，需要通過不同材料的混合集成加以實現(xiàn)。

接下來，我們應(yīng)熟知硅光子技術(shù)的核心優(yōu)勢：

集成度高：硅光子技術(shù)以硅作為集成芯片的襯底，硅基材料成本低且延展性好，可以利用成熟的硅CMOS工藝制作光器件；與傳統(tǒng)方案相比，硅光子技術(shù)具有更高的集成度及更多的嵌入式功能，有利于提升芯片的集成度。

成本下降潛力大：傳統(tǒng)的GaAs/InP襯底因晶圓材料生長受限，生產(chǎn)成本較高。近年來，隨著傳輸速率的進(jìn)一步提升，需要更大的三五族晶圓，芯片的成本支出將進(jìn)一步提升；與三五族半導(dǎo)體相比，硅基材料成本較低且可以大尺寸制造，芯片成本得以大幅降低。

波導(dǎo)傳輸性能優(yōu)異：硅的禁帶寬度為1.12eV，對應(yīng)的光波長為1.1μm。因此，硅對于1.1-1.6μm的通信波段（典型波長1.31μm/1.55μm）是透明的，具有優(yōu)異的波導(dǎo)傳輸特性；此外，硅的折射率高達(dá)3.42，與二氧化硅可形成較大的折射率差，確保硅波導(dǎo)可以具有較小的波導(dǎo)彎曲半徑。

此外，對于我國目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，硅光子芯片有它獨有的優(yōu)勢——可以避開先進(jìn)光刻機的掣肘；

雖然，它在制作流程和復(fù)雜程度上同傳統(tǒng)芯片相似，但它對于制程工藝的先進(jìn)程度要求不高，不像傳統(tǒng)芯片那樣制程和能效的關(guān)聯(lián)性巨大，一般百納米級的工藝水平就能滿足硅光子芯片的要求。

再者，這對于我國來說，120納米左右的芯片是完全可以自主生產(chǎn)的，這樣就可以繞開先進(jìn)制程工藝的限制，在未來實現(xiàn)換道超車。

隨著摩爾定律逐漸遭遇天花板，硅光子技術(shù)的投入研發(fā)再次被重視，越來越多的科技公司開始加大對硅光子技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)投入。


產(chǎn)業(yè)鏈機遇

目前光模塊市場規(guī)模最大的場景是數(shù)據(jù)中心，800G光模塊已進(jìn)入市場導(dǎo)入驗證和批量出貨狀態(tài)，1.6T產(chǎn)品也已實現(xiàn)研發(fā)突破。其中，傳統(tǒng)光模塊占據(jù)市場主導(dǎo)，硅基材料的硅光模塊逐漸進(jìn)入市場開始商用化。

傳統(tǒng)光模塊將III-V族半導(dǎo)體芯片、高速電路硅芯片、被動光學(xué)組件及光纖封裝到一起，主要成本來自III-V族光芯片和系統(tǒng)封裝。III-V族InP/GaAs等材質(zhì)的光芯片在25Gbps時的傳輸速率時已趨于傳輸極限，直接限制了光通信系統(tǒng)的傳輸效率。相比來看，硅光模塊可突破傳統(tǒng)單通道光芯片的傳輸瓶頸，在未來高速傳輸時代具有較大優(yōu)勢。相較傳統(tǒng)分立光模塊，硅光模塊還擁有成本低、功耗低、兼容CMOS工藝、集成度高的優(yōu)勢。

從硅光器件、硅光芯片到硅光模塊，硅光子產(chǎn)品可分為三個層次。

其中，硅光模塊主要由硅光器件、驅(qū)動電路和光接口組成。硅光模塊按功能可分為接收模塊，發(fā)送模塊，收發(fā)一體模塊等類型。相較傳統(tǒng)光模塊，具有傳輸速率大、集成度高、傳輸損耗低等優(yōu)勢，在通信互聯(lián)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用，隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，硅光模塊市場前景廣闊。

預(yù)計硅光芯片全球市場規(guī)模將從2021年的1.52億美元增長至2027年的9.7億美元，復(fù)合增長率約為36%。增長最快的應(yīng)用領(lǐng)域是共封裝引擎和光互聯(lián)，2021-2027年復(fù)合增長率分別為302%、259%。

2016至2025年全球硅光模塊市場規(guī)模將從2.02億美元增長至37.28億美元，復(fù)合增長率約為38%。其中200G和400G硅光模塊復(fù)合增長率約為96%。

目前400G硅光模塊的商用還存在一定的遲滯。在未來800G等更高速率的光模塊，硅光技術(shù)將具有更大的優(yōu)勢。

整體來看，硅光技術(shù)最主要的應(yīng)用是收發(fā)器，用于長距離傳輸和數(shù)據(jù)中心。同時，受到光收發(fā)器的研發(fā)驅(qū)動，硅光技術(shù)在5G收發(fā)器、光纖陀螺、免疫分析、消費者健康等場景的應(yīng)用也開始受到市場關(guān)注。

用于數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)和共封裝光學(xué)產(chǎn)品正處于開發(fā)階段，預(yù)計CPO（共封裝光學(xué)）將在2025年后在HPC場景得到應(yīng)用。隨著產(chǎn)業(yè)鏈分工垂直化和硅光技術(shù)的發(fā)展，硅光技術(shù)在激光雷達(dá)、生物傳感、光子計算等領(lǐng)域也會陸續(xù)實現(xiàn)產(chǎn)品的突破和落地。

從硅光產(chǎn)業(yè)鏈上來說，與電芯片相似，硅光芯片的產(chǎn)業(yè)鏈上游為晶圓、設(shè)備材料、EDA軟件等企業(yè)；中游可分為硅光設(shè)計、制造、模塊集成三個環(huán)節(jié)，其中部分公司如Intel、ST等為IDM企業(yè)，可實現(xiàn)從硅光芯片設(shè)計、制造到模塊集成的全流程；下游則主要包括通信設(shè)備市場、電信市場和數(shù)通市場（數(shù)據(jù)中心通信市場）。隨著硅光市場規(guī)模逐漸擴大，傳統(tǒng)光模塊廠商也在通過自研/并購切入硅光設(shè)計領(lǐng)域。

從設(shè)計、制造、封裝以及硅光器件來看，硅光技術(shù)整體仍有較大提升空間，產(chǎn)品性能及成熟度有待提升，同時下游客戶驗證也需要時間。因此硅光產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司還需找準(zhǔn)定位，進(jìn)行模式突破。