東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量出貨。

新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品,其封裝支持柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開(kāi)爾文連接,有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響,從而提高高速開(kāi)關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的開(kāi)通損耗降低了約40%,關(guān)斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設(shè)備功率損耗。
使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設(shè)計(jì)已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。
東芝將繼續(xù)擴(kuò)大自身產(chǎn)品線,進(jìn)一步契合市場(chǎng)趨勢(shì),并助力用戶提高設(shè)備效率,擴(kuò)大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆變器
使用SiC MOSFET的3相逆變器
簡(jiǎn)易方框圖
應(yīng)用:
- 開(kāi)關(guān)電源(服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等)
- 電動(dòng)汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源(UPS)
特性:
- 4引腳TO-247-4L(X)封裝:
柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開(kāi)爾文連接,可降低開(kāi)關(guān)損耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
- 低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
主要規(guī)格:
(除非另有說(shuō)明,Ta=25℃)
器件型號(hào) | 封裝 | 絕對(duì)最大額定值 | 電氣特征 | 庫(kù)存查詢與購(gòu)買 | ||||||||
漏 源 電壓 VDSS (V) | 柵 源 電壓 VGSS (V) | 漏極 電流 (DC) ID (A) | 漏 源 導(dǎo)通 電阻 RDS(ON) (mΩ) | 柵極 閾值 電壓 Vth (V) | 總 柵極 電荷 Qg (nC) | 柵 漏 電荷 Qgd (nC) | 輸入 電容 Ciss (pF) | 二極管 正向 電壓 VDSF (V) | ||||
Tc=25℃ | VGS=18V | VDS=10V | VGS=18V | VGS=18V | 典型值 | 測(cè)量 條件 VDS (V) | VGS=-5V | |||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||||
TW015Z120C | TO-247-4L(X) | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | 800 | -1.35 | 在線購(gòu)買 |
TW030Z120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在線購(gòu)買 | ||||||
TW045Z120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在線購(gòu)買 | ||||||
TW060Z120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在線購(gòu)買 | ||||||
TW140Z120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在線購(gòu)買 | ||||||
TW015Z65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 400 | 在線購(gòu)買 | ||||
TW027Z65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在線購(gòu)買 | ||||||
TW048Z65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在線購(gòu)買 | ||||||
TW083Z65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在線購(gòu)買 | ||||||
TW107Z65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在線購(gòu)買 |
注:
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月,東芝測(cè)量值(測(cè)量條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)
