繼先進(jìn)制程激戰(zhàn)交火，接下來(lái)臺(tái)積電、英特爾（Intel）與三星電子（Samsung Electronics）3D先進(jìn)封裝關(guān)鍵戰(zhàn)役將接棒演出，三大廠多年前即展開(kāi)戰(zhàn)力部署，陸續(xù)釋出最新先進(jìn)封裝技術(shù)。

其中，英特爾為讓外界更了解IDM 2.0轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略，首度公開(kāi)曝光馬來(lái)西亞封測(cè)據(jù)點(diǎn)。英特爾亞太暨日本區(qū)（APJ）總經(jīng)理Steven Long表示，英特爾加快揮軍先進(jìn)封裝戰(zhàn)場(chǎng)，繼美國(guó)奧勒岡州、新墨西哥后，馬來(lái)西亞也將擴(kuò)建全新先進(jìn)封裝廠，預(yù)計(jì)2024~2025年量產(chǎn)，將是英特爾規(guī)模最大的先進(jìn)封裝一條龍據(jù)點(diǎn)，預(yù)計(jì)至2025年底，三廠總計(jì)Foveros  3D先進(jìn)封裝總產(chǎn)能將比2023年成長(zhǎng)4倍。

英特爾在馬國(guó)已經(jīng)有51年歷史

臺(tái)積電、英特爾與三星先進(jìn)制程技術(shù)戰(zhàn)場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大，7奈米以下暫由臺(tái)積電取得領(lǐng)先，穩(wěn)取全球晶圓代工6成市佔(zhàn)，6月宣布產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造內(nèi)部分拆大計(jì)的英特爾，信心喊出提前在2024年超越三星，成為全球晶圓代工第二大。

晶圓代工業(yè)者表示，先進(jìn)制程已逼近物理極限，接下來(lái)先進(jìn)封裝將是勝負(fù)關(guān)鍵戰(zhàn)役，有先進(jìn)制程一條龍服務(wù)的三大廠，再以鉅額資本支出、研發(fā)技術(shù)實(shí)力立下高門檻，將日月光等OSAT廠阻絕在外，也就是3D先進(jìn)封裝，甚至是2.5D封裝世代將延續(xù)先進(jìn)制程戰(zhàn)局，三星、英特爾與臺(tái)積電可能形成對(duì)決情勢(shì)。

其中，臺(tái)積電一條龍頭服務(wù)穩(wěn)取先進(jìn)封裝訂單，如NVIDIA近期最熱門的H100 AI GPU採(cǎi)用臺(tái)積電4奈米制程，并採(cǎi)用CoWoS先進(jìn)封裝，即使產(chǎn)能大缺，三星或其他OSAT廠至多只能取得后段外溢訂單。

英特爾在馬國(guó)的主要營(yíng)運(yùn)項(xiàng)目

在先進(jìn)封裝部署上，臺(tái)積電已公布3DFabric系統(tǒng)整合技術(shù)，包含各種先進(jìn)的3D硅堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)。例如超微（AMD）將在第4季量產(chǎn)的MI300，就採(cǎi)用臺(tái)積電Chiplet封裝技術(shù)，整合CPU、GPU及HBM3，以SoIC搭配CoWoS量產(chǎn)。

另也傳出蘋果（Apple）正規(guī)劃SoIC搭配InFO的封裝方案，將由MacBook率先導(dǎo)入，最快2025~2026年量產(chǎn)，二大客戶將會(huì)是臺(tái)積電衝刺3D先進(jìn)封裝產(chǎn)能翻倍的重要關(guān)鍵。

英特爾在馬來(lái)西亞的員工，有98%都是本地人

臺(tái)積電近期也宣布重大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫。繼桃園龍?zhí)?、竹科、臺(tái)中與南科4座封測(cè)廠后，竹南六廠正式啟用，預(yù)估將創(chuàng)造每年上百萬(wàn)片12吋晶圓約當(dāng)量的3DFabric制程技術(shù)產(chǎn)能，為臺(tái)積電目前幅員最大的封測(cè)廠，接著再續(xù)擴(kuò)CoWoS產(chǎn)能，加碼宣布投入新臺(tái)幣900億元在苗栗銅鑼建置新廠。

另一方面，英特爾也大壯氣勢(shì)，加速4年5個(gè)制程節(jié)點(diǎn)目標(biāo)，強(qiáng)化先進(jìn)制程技術(shù)外，也透過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)在同樣的面積上3D堆疊增加運(yùn)算能力，近日首度對(duì)外展示馬來(lái)西亞封測(cè)部署，大秀技術(shù)與產(chǎn)能實(shí)力。

英特爾在馬來(lái)西亞檳城與Kulim兩地新增封測(cè)廠

Steven Long表示，英特爾投資馬來(lái)西亞已達(dá)80億美元，接下來(lái)將再投資60億美元，加速1座3D先進(jìn)封裝廠和1座封裝測(cè)試廠興建計(jì)畫，躍升成為英特爾最大規(guī)模先進(jìn)封裝一條龍據(jù)點(diǎn)，預(yù)計(jì)2025年Foveros 3D先進(jìn)封裝總產(chǎn)能將比目前成長(zhǎng)4倍。

事實(shí)上，在英特爾IDM 2.0策略中，先進(jìn)封裝將是能否彎道超車的關(guān)鍵所在。英特爾除宣布亞馬遜AWS為首家採(cǎi)用英特爾晶圓代工服務(wù)（IFS）“封裝解決方案”的客戶外，近期也與EDA大廠Synopsys合作，IFS的Intel 3和18A先進(jìn)制程客戶，將能取得Synopsys的IP授權(quán)。

英特爾在馬來(lái)西亞的制造布局

據(jù)了解，英特爾、臺(tái)積電持續(xù)改進(jìn)先進(jìn)封裝技術(shù)藍(lán)圖，如導(dǎo)入玻璃基板材料，及共同封裝光學(xué)元件（Co-Packaged Optics；CPO），最先進(jìn)封裝技術(shù)讓整合光學(xué)I/O成為可能。

英特爾已陸續(xù)完成封裝整合光學(xué)訊號(hào)傳輸?shù)恼故荆诮粨Q器的封裝上，以電氣介面連結(jié)位于封裝中央的交換器晶粒 與四周的光子引擎元件，進(jìn)一步透過(guò)EMIB連結(jié)兩者，提升頻寬并降低功耗。

英特爾認(rèn)為，I/O傳輸效率未來(lái)將仰賴光學(xué)共同封裝，也將是接下來(lái)先進(jìn)封裝決勝關(guān)鍵。

在英特爾IDM 2.0策略中，先進(jìn)封裝將是能否彎道超車的關(guān)鍵所在。陳玉娟攝