在半導(dǎo)體行業(yè)普遍低迷的情況下，三星電子今年第一季度在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)保持了領(lǐng)先地位，而SK海力士的市場(chǎng)地位則出現(xiàn)下滑。市場(chǎng)研究公司Omdia近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子第一季度在全球DRAM市場(chǎng)保持領(lǐng)先地位，市場(chǎng)份額為42.8%，與上一季度持平。

具體到數(shù)據(jù)方面，三星電子第一季度DRAM銷售額同比下降61.2%至40.13億美元，環(huán)比萎縮25.2%。業(yè)績下滑主要?dú)w因于半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)衰退趨勢(shì)，全行業(yè)減產(chǎn)導(dǎo)致銷售額下降和收入下降。相比之下，SK海力士第一季度DRAM市場(chǎng)份額下降了2.3%，從上一季度的27.0%降至24.7%。此外，SK海力士的行業(yè)排名從第二位下滑至第三位，被美國半導(dǎo)體制造商美光科技取代，后者以27.2%的市場(chǎng)份額穩(wěn)居第二位。

NAND內(nèi)存市場(chǎng)方面，三星電子同樣保持領(lǐng)先地位。盡管第一季度NAND閃存銷售額比去年同期下降了一半，達(dá)到29.9億美元，但三星電子的市場(chǎng)份額仍實(shí)現(xiàn)了0.4%的增長，達(dá)到34.3%。值得注意的是，NAND內(nèi)存市場(chǎng)的其他主要參與者包含了日本鎧俠（KIOXIA）（19.5%）、美國西部數(shù)據(jù)（Western Digital）（15.9%）和SK海力士（包括其子公司Solidigm）（15.1%）。SK海力士的NAND市場(chǎng)份額較上一季度的16.8%下降了1.7%，導(dǎo)致其行業(yè)排名從第三位滑落至第四位。

CNMO獲悉，在第二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，三星電子和SK海力士均透露了進(jìn)一步減產(chǎn)的計(jì)劃，重點(diǎn)關(guān)注以NAND為中心的業(yè)務(wù)。


西數(shù)凱俠將合并，超越三星

多年以來，NAND芯片市場(chǎng)的霸主位置一直被三星所把持著，盡管海力士、美光、凱俠（原東芝存儲(chǔ)部門）也有不錯(cuò)的表現(xiàn)，但和三星相比，還是有一定距離。不過現(xiàn)在市場(chǎng)格局似乎即將發(fā)生重大的變化。在經(jīng)過較長時(shí)間談判后，西數(shù)和凱俠即將達(dá)成合并協(xié)議，屆時(shí)西數(shù)將超越三星成為閃存芯片新的龍頭。

西數(shù)和凱俠的協(xié)議并不是簡單將兩家公司合并，而是分拆西數(shù)的NAND Flash存儲(chǔ)部門，然后將這個(gè)部門與鎧俠合并。之后西部數(shù)據(jù)的股東將控制合并后新公司略超過一半的股權(quán)，以達(dá)到控制公司的目的。目前相關(guān)的信息還處于保密狀態(tài)，只能等兩家公司合并后才能知道更多的細(xì)節(jié)，不過可以肯定的是，這次合并和過去的想的并非完全一樣，或者說并不是西數(shù)收購凱俠這么簡單。

據(jù)悉兩家公司在談判時(shí)，有建議是將由鎧俠的團(tuán)隊(duì)來主導(dǎo)合并后新公司的經(jīng)營，不過西數(shù)的高管也將發(fā)揮相對(duì)的重要輔助作用。而就目前情況來看，盡管雙方談判進(jìn)展順利，但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時(shí)間。而且，期間可能會(huì)改變主意，甚至最終未能達(dá)成任何協(xié)議而告終。不過由于談判已經(jīng)進(jìn)行了很久，而且現(xiàn)在雙方都有合并的意愿，所以談判告吹的可能性會(huì)比較小。

從我們了解的情況來看，合并后的新公司將采用雙重董事會(huì)制度，兩家閃存芯片制造商的高層都將是成員。新公司總部將設(shè)在日本，并預(yù)計(jì)分別在美國那斯達(dá)克以及東京上市。同時(shí)，鎧俠的主要投資者貝恩資本還將獲得特別股。先前有消息表示，鎧俠將對(duì)合并后的公司出資43%、西數(shù)出資37%，余下20%股權(quán)將由東芝等現(xiàn)有股東持有，不過目前這個(gè)股份份額還沒有得到確認(rèn)，也可能會(huì)是西數(shù)出資更多。

截至2023年第一季為止，鎧俠在NAND Flash市場(chǎng)占21.5%的市占率，而西數(shù)則是15.2%的市占率。另一方面，三星同期市占率上為34%。因此，鎧俠和西數(shù)的NAND Flash部門合并后，其市占率將成為全球最大，擁有超過36.7%的市占率。這樣三星將會(huì)下滑到全球第二，這對(duì)三星來說還是有不小的壓力。

不過現(xiàn)在閃存芯片市場(chǎng)并不好過，SSD價(jià)格一直下滑，智能手機(jī)銷量也很慘淡，所以這導(dǎo)致閃存整個(gè)行業(yè)的業(yè)績低迷。凱俠和西數(shù)都鎧俠借由這次合并來提高營運(yùn)效率，而且如果能保持現(xiàn)在的市場(chǎng)份額，未來也能在NAND市場(chǎng)上獲得更多的話語權(quán)以及合作伙伴。另外如果能對(duì)三星一些阻力，對(duì)于市場(chǎng)來說，可能利大于弊。


行業(yè)吹響復(fù)蘇號(hào)角

HBM是當(dāng)下數(shù)據(jù)處理速度最快的DRAM產(chǎn)品，是基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將多個(gè)DDR芯片堆疊后與GPU封裝在一起，能夠?qū)崿F(xiàn)更高帶寬、更高位寬、更低功耗、更小尺寸。最新財(cái)報(bào)顯示，存儲(chǔ)芯片DRAM三大龍頭SK海力士、三星和美光業(yè)績端開始反彈。三星電子23Q2由于智能手機(jī)出貨量下降而營收下降，但存儲(chǔ)業(yè)務(wù)較上一季度有所改善，官方稱主要是由于公司專注于HBM和DDR5產(chǎn)品；SK海力士在截至6月30日的一個(gè)季度中，其銷售額為7.31萬億韓元（約57億美元），同比下降47%，但超出分析師預(yù)計(jì)的6.05萬億韓元。雖然目前HBM在SK海力士的營收占比不及1%，但今年這一比例便有望上升至10%；美光23Q2業(yè)績結(jié)束連續(xù)三季度的下降迎來反彈，此外，中國臺(tái)灣地區(qū)原廠月度業(yè)績亦連續(xù)環(huán)比改善。

天風(fēng)證券潘暕7月17日發(fā)布的研報(bào)指出，近期存儲(chǔ)芯片利好頻傳拐點(diǎn)或已現(xiàn)，復(fù)蘇號(hào)角似乎已在耳畔。從歷史周期維度看，存儲(chǔ)行業(yè)周期約為3-4年，本周期自2020Q1起始，于2022Q1價(jià)格階段性見頂，目前已連續(xù)6個(gè)季度降價(jià)，處于周期筑底階段。

價(jià)格方面，今年Q2起，多家供應(yīng)商發(fā)出觸底信號(hào)。先是三星和美光向經(jīng)銷商發(fā)出通知，不再低價(jià)接單DRAM及NANDFlash，拒絕接受低于4月的報(bào)價(jià)。5月份，有消息稱長江存儲(chǔ)原廠閃存正式開始漲價(jià)3-5%幅度后，三星電子、SK海力士等正在考慮提高報(bào)價(jià)。6月下旬，供貨商中僅三星愿意進(jìn)行cSSD（消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤）提前交易，經(jīng)銷商希望供貨商讓步但都遭拒絕。

潘暕指出，供給需求端，6月美光公布預(yù)計(jì)減產(chǎn)到2024年，早前2022Q4各原廠大幅削減資本開支，如果按正常生產(chǎn)周期3-4個(gè)月來看，供給有明顯收縮減產(chǎn)效果將在Q2、Q3加速顯現(xiàn)。南亞科表示公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。華邦近期消費(fèi)電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應(yīng)用客戶需求回溫，工控相關(guān)接單也持續(xù)發(fā)燙，客戶急單涌入，而且“量也不少”。

此外，空間端，短期來看23Q2起存儲(chǔ)芯片規(guī)?；?qū)⒅鸺驹鲩L，長期來看AI催化下存儲(chǔ)需求有望數(shù)倍提升。地緣政治端，海外大廠逐步退出利基市場(chǎng)，美光事件加速本土替代。

超導(dǎo)技術(shù)或顛覆存儲(chǔ)革命

室溫超導(dǎo)材料獲得突破，這將徹底改變材料科學(xué)領(lǐng)域的格局。近日，中國科學(xué)家取得了室溫超導(dǎo)材料研究的重要突破，成功合成了一種能在室溫下表現(xiàn)出超導(dǎo)性的材料。這項(xiàng)突破性研究讓人們對(duì)未來超導(dǎo)材料應(yīng)用的可能性充滿了期待。

超導(dǎo)材料的特殊性質(zhì)使得電流能夠在其內(nèi)部同步流動(dòng)，幾乎沒有能量損耗。然而，過去的研究都是圍繞在極低溫條件下才能實(shí)現(xiàn)的超導(dǎo)材料展開的。而室溫超導(dǎo)材料的發(fā)現(xiàn)，可謂是科學(xué)界的一大突破。它意味著我們不再需要耗費(fèi)大量的能源來維持低溫環(huán)境，就能夠?qū)崿F(xiàn)超導(dǎo)效應(yīng)。這一突破將極大地推動(dòng)超導(dǎo)技術(shù)在能源傳輸和儲(chǔ)存領(lǐng)域的應(yīng)用。

此外，國產(chǎn)量子芯片技術(shù)也在商用化進(jìn)程中取得了加速。量子芯片作為新一代計(jì)算技術(shù)的代表，其超強(qiáng)計(jì)算能力可望在人工智能、密碼學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域發(fā)揮巨大的潛力。當(dāng)前，全球量子芯片研究正處于白熱化的競(jìng)爭(zhēng)中，而中國在該領(lǐng)域的發(fā)展勢(shì)頭迅猛。

隨著國產(chǎn)量子芯片技術(shù)的商用化，中國在芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)不斷增強(qiáng)。中國的芯片產(chǎn)業(yè)鏈不斷完善，從材料研發(fā)到設(shè)計(jì)制造、封裝測(cè)試再到應(yīng)用拓展，已經(jīng)形成了具有自主研發(fā)和生產(chǎn)能力的完整產(chǎn)業(yè)鏈。不僅如此，中國的芯片技術(shù)已經(jīng)具備了特定場(chǎng)景下的應(yīng)用能力，有望獲得更多市場(chǎng)份額。

面對(duì)室溫超導(dǎo)材料獲得突破和國產(chǎn)量子芯片技術(shù)的商用化加速，人們不禁想到了“中國芯”的崛起。中國科技實(shí)力的提升和創(chuàng)新能力的增強(qiáng)，使得中國在全球科技領(lǐng)域的地位不斷攀升。中國的科學(xué)家們正在為人類社會(huì)的進(jìn)步做出重要貢獻(xiàn)，他們的努力和成果將不再被忽視。

可以預(yù)見，隨著室溫超導(dǎo)材料和量子芯片技術(shù)的商用化，中國在材料科學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域的影響力將進(jìn)一步擴(kuò)大。中國將成為全球芯片技術(shù)的領(lǐng)頭羊之一，不僅在國內(nèi)市場(chǎng)有著巨大的發(fā)展空間，也在國際市場(chǎng)上有著不可忽視的影響力。