盡管外界多不看好英特爾（Intel）能重返榮耀，但半導(dǎo)體業(yè)者近月來(lái)觀察到大象動(dòng)起來(lái)，除了持續(xù)改善成本與獲利結(jié)構(gòu)、加快先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝制程技術(shù)推進(jìn)外，值得注意的是，2021年美國(guó)國(guó)防部提出“RAMP-C”計(jì)畫(huà)，一開(kāi)始即與英特爾簽下代工協(xié)議，將使用Intel 18A技術(shù)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)晶片。

另一方面，RAMP-C合作成員也持續(xù)擴(kuò)增，除IBM、微軟（Microsoft）和NVIDIA外，還有波音（Boeing）與Northrop Grumman等航太、國(guó)防科技大廠，另包括聯(lián)發(fā)科、Arm等也透過(guò)與英特爾合作而加入計(jì)畫(huà)。

英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)在美國(guó)政府訴求“美國(guó)制造”戰(zhàn)略目標(biāo)支持下，終于有所進(jìn)展，若英特爾所釋出的先進(jìn)制程與封裝技術(shù)藍(lán)圖按既定時(shí)程登場(chǎng)，不僅2024年超越三星電子軟（Samsung Electronics）目標(biāo)將達(dá)陣，臺(tái)積電延遲至2025年量產(chǎn)的美國(guó)新廠，也將面臨美國(guó)政府訂單分食壓力。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，英特爾數(shù)年來(lái)苦陷制程技延遲、市佔(zhàn)流失危機(jī)，過(guò)去一年又面臨半導(dǎo)體需求反轉(zhuǎn)等困境，制造與產(chǎn)品設(shè)計(jì)二大事業(yè)腹背受敵，業(yè)績(jī)表現(xiàn)也低迷，眼睜睜看著超微（AMD）、NVIDIA等對(duì)手群持續(xù)坐大。

近期英特爾終于展現(xiàn)反擊強(qiáng)大決心，除啟動(dòng)組織重整與瘦身甩賣(mài)不賺錢(qián)的業(yè)務(wù)開(kāi)始收效后，同時(shí)最受關(guān)注的制程技術(shù)推進(jìn)與擴(kuò)產(chǎn)大計(jì)，英特爾也清楚交代技術(shù)藍(lán)圖與面市時(shí)程，若開(kāi)出支票全部?jī)冬F(xiàn)，半導(dǎo)體與PC、伺服器產(chǎn)業(yè)將有重大變化。

英特爾近期再度揭露4年內(nèi)發(fā)展5個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)（Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A）的計(jì)畫(huà)進(jìn)度。其中，Intel 4全面使用極紫外光（EUV）微影技術(shù)，2023年下半登場(chǎng)的PC處理器Meteor Lake和資料中心Granite Rapids率先採(cǎi)用。

英特爾也指出，18A制程節(jié)點(diǎn)先在內(nèi)部逐步提升產(chǎn)能與解決制程問(wèn)題，進(jìn)而大幅降低外部代工客戶的風(fēng)險(xiǎn)。

先進(jìn)封裝技術(shù)方面，臺(tái)積電2.5D封裝有InFO、CoWoS，3D有SoIC，近期罕見(jiàn)出現(xiàn)供不應(yīng)求的就是臺(tái)積電CoWoS，也促使臺(tái)積電啟動(dòng)大擴(kuò)產(chǎn)，并引來(lái)三星搶單傳言。

英特爾方面，2.5D有EMIB，Sapphire Rapids伺服器處理器為首款量產(chǎn)產(chǎn)品，下世代的EMIB則從55微米凸點(diǎn)間距降至45微米；3D則有Foveros，Meteor Lake處理器為Foveros實(shí)作的第二世代，具備36微米凸點(diǎn)間距，晶片塊橫跨多種制程節(jié)點(diǎn)，熱設(shè)計(jì)功耗從5~125瓦。

相較臺(tái)積電主要晶圓廠仍在臺(tái)灣，美日建廠進(jìn)行中，產(chǎn)能比重并不多，封裝據(jù)點(diǎn)1~6廠全在臺(tái)灣，地緣政治風(fēng)險(xiǎn)仍是各方認(rèn)為危機(jī)所在。

英特爾則是持續(xù)擴(kuò)大歐美晶圓廠產(chǎn)能，封裝廠除美國(guó)外，在馬來(lái)西亞與越南皆有工廠，尤其是馬來(lái)西亞規(guī)模甚大，近期也決定在義大利建廠。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，肩負(fù)美國(guó)制造重任的英特爾穩(wěn)取美國(guó)支持，RAMP-C計(jì)畫(huà)將使用Intel 18A技術(shù)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)晶片，也就是2025年后將量產(chǎn)。

若英特爾所有制程技術(shù)畫(huà)不再推遲且良率符合預(yù)期，2024年超越三星不是問(wèn)題，最重要的是，可能會(huì)影響臺(tái)積電延遲至2025年量產(chǎn)的美國(guó)新廠。

先前外界皆認(rèn)為，臺(tái)積電美廠甚難獲利，必須仰賴美國(guó)政府軍事航太所釋出的訂單，應(yīng)該也取得美方長(zhǎng)約承諾，才會(huì)決定建置2座4/3奈米制程新廠。

然而英特爾已明確宣布，以更先進(jìn)的Intel 18A制程搶下美國(guó)政府等眾多訂單，未來(lái)勢(shì)將牽動(dòng)全球晶圓代工板塊挪移。