眾所周知，目前的芯片制造技術(shù)，均是以光刻技術(shù)為基礎(chǔ)的。

所有的晶圓廠制造芯片時(shí)，均是先將電路圖，刻在光掩膜板上，然后再利用光刻機(jī)的光線去照射，最后把這些電路圖投影涂了光刻膠的硅晶圓上，形成電路圖。

光刻機(jī)是其中必不可少設(shè)備，且是單價(jià)最貴的設(shè)備，同時(shí)光刻工序耗時(shí)最長。

更重要的是，光刻機(jī)全球就只有4家，分別是ASML、尼康、佳能、上海微電子。而其中浸潤式光刻機(jī)，只有尼康、ASML能制造，而EUV光刻機(jī)只有ASML能制造。

所以說ASML卡住了全球芯片廠商的脖子，所以大家也都在想另外的路線，如何繞開光刻機(jī)，采用其它方法來制造芯片，改變這種格局。

經(jīng)過科學(xué)家們的研究，目前提出了很多方法，比如DSA自生長技術(shù)，還有BLE電子束光刻技術(shù)，還有X射線光刻技術(shù)，還有NIL納米壓印技術(shù)。

其中NIL納米壓印技術(shù)，被認(rèn)為是最有潛力，最能夠替代光刻的一種芯片制造技術(shù)。

光刻技術(shù)采用的是光線投影，而NIL納米壓印技術(shù)，類似于蓋章一樣，先把電路圖刻在一個(gè)特殊的“印章”上，然后再將這個(gè)印章直接印到晶圓上，就形成了電路圖。

相比于光刻技術(shù)，這種技術(shù)成本更低、工序簡單，更容易批量操作的特點(diǎn)，所以被眾多廠商青睞，也被大家研究。

其中日本的佳能研究最深，申請(qǐng)的專利最多，還推出了相關(guān)的納米壓印技術(shù)，目前也用于存儲(chǔ)芯片的制造。

納米壓印的難點(diǎn)是如何制造最高精度的“印章”，畢竟現(xiàn)在的芯片都是納米級(jí)的，要刻一個(gè)這樣的“印章”出來比較難，佳能的目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)5nm芯片的制造。

而國內(nèi)也有在納米壓印技術(shù)上，表現(xiàn)出色的企業(yè)，它就是華為哈勃投資青睞的天仁微納。

它成立于2015年，是一家微納加工設(shè)備和解決方案提供商，公司專注于納米加工領(lǐng)域，尤其是納米壓印技術(shù)。

目前天仁微納已經(jīng)研發(fā)出了多款高精度紫外納米壓印設(shè)備。據(jù)官網(wǎng)資料顯示，他們的納米壓印設(shè)備，已經(jīng)可以在150／300mm基底面積上實(shí)現(xiàn)高精度（優(yōu)于10nm ），也說是說實(shí)際精度已經(jīng)達(dá)到了10nm級(jí)別。

而目前這些設(shè)備，也用于DOE、AR／VR衍射光波導(dǎo)（包括斜齒光柵）、線光柵偏振、超透鏡、生物芯片、LED、微透鏡陣列等應(yīng)用領(lǐng)域的量產(chǎn)。

雖然說，目前這種設(shè)備，并沒有用于大家最為熟悉的邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等，但相信也不太遠(yuǎn)了。

既然佳能能夠在2025年實(shí)現(xiàn)5nm工藝，想必天仁微納也不會(huì)太落后，你覺得呢？

而一旦國產(chǎn)廠商，能夠不用光刻機(jī)，就實(shí)現(xiàn)10nm、甚至7nm、5nm的芯片制造，那么美國的芯片禁令就不攻自破了，再也限制不住了我們了。

所以讓我們拭目以待一下，看看國產(chǎn)納米壓印技術(shù)，會(huì)不會(huì)比國產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)，更早突破14nm、10nm等，這可是改變?nèi)蛐酒窬值拇笫隆?/span>