眾所周知，目前在所有的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備之中，光刻機(jī)應(yīng)該是最落后的一環(huán)了。

從之前機(jī)構(gòu)出具的數(shù)據(jù)來看，少部分的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)支撐到了5nm，大部分的設(shè)備支撐到28nm左右，只有國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)還處于90nm。

這臺(tái)國(guó)產(chǎn)的光刻機(jī)屬于干式光刻機(jī)，采用193nn光源，以空氣為介質(zhì)。而在干式光刻機(jī)之上，還有浸潤(rùn)式光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)這兩種更先進(jìn)的光刻機(jī)。

不過，近年來，我們也在很多媒體上，不斷的看到國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)有突破，什么長(zhǎng)春光電所研發(fā)的EUV光刻技術(shù)得到了驗(yàn)收，哈工大的光刻機(jī)的工作臺(tái)系統(tǒng)有突破等。很多人都認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)，可能也不遠(yuǎn)了。

事實(shí)上，研發(fā)一臺(tái)EUV光刻機(jī)并沒這么簡(jiǎn)單，國(guó)內(nèi)的機(jī)構(gòu)其實(shí)已經(jīng)研究了20多年，目前也僅僅只是摸到門檻而已，離真正的生產(chǎn)還差得很遠(yuǎn)。

從技術(shù)原理來看，光刻機(jī)有三大核心，分別是光源系統(tǒng)、物鏡系統(tǒng)，工作臺(tái)。

而國(guó)內(nèi)最早研發(fā)EUV光刻機(jī)，可以追溯到2002年，當(dāng)年長(zhǎng)春光電所就開始研發(fā)EUV光刻機(jī)，針對(duì)其原理，研發(fā)對(duì)應(yīng)的裝置。

而除了長(zhǎng)春光電所之外，還有中科院、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)等多個(gè)研究所和高校，也參與了EUV光刻機(jī)研發(fā)工作。

這些研究機(jī)構(gòu)，分別研究不同的系統(tǒng)，有研究光源系統(tǒng)的，有研究物鏡系統(tǒng)的，有研究工作臺(tái)系統(tǒng)的，還有研究控制系統(tǒng)、掩膜板的。

但大家都清楚，目前ASML的EUV光刻機(jī)，超過10萬個(gè)零件，全球超過5000家供應(yīng)商，而這些零部件供應(yīng)商遍布全球。

中國(guó)想要靠一個(gè)國(guó)家，就研發(fā)出這些元件出來，你想一想就知道中間有多么的難了。

更何況有些系統(tǒng)/技術(shù)，以國(guó)內(nèi)的技術(shù)基礎(chǔ)，目前根本沒法搞定，比如EUV光源，物鏡系統(tǒng)，目前國(guó)內(nèi)的科技水平，是暫時(shí)達(dá)不到EUV光刻機(jī)的要求的。

國(guó)內(nèi)眾多的研究機(jī)構(gòu)，雖然研發(fā)投入大，時(shí)間長(zhǎng)，但是不黑不吹，研發(fā)出來的技術(shù)，更多的屬于是極紫外光刻系統(tǒng)的基礎(chǔ)建設(shè)工作。

而從基礎(chǔ)建設(shè)工作，到最終生產(chǎn)出EUV光刻機(jī)出來，中間還隔了千里萬里。ASML的EUV光刻機(jī)中，荷蘭腔體占20%，英國(guó)真空占12%，美國(guó)光源占27%，德國(guó)光學(xué)系統(tǒng)占14%， 日本的材料占27%。

EUV光刻機(jī)，其實(shí)就是荷蘭、英國(guó)、美光、德國(guó)、日本等廠商，甚至說是整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的意志體現(xiàn)。

之前我看到有位博主說，國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)要突破，首先要避免自嗨。我覺得說的太對(duì)了，研發(fā)EUV光刻機(jī)并沒有這么容易，20多年了，我們研發(fā)的都還只是一些基礎(chǔ)性的工作，可以說只是摸到門檻而已，要突破真沒這么容易，大家雖然不需要妄自菲薄，但也不能盲目樂觀，需要實(shí)事求是的精神。