隨著美國對(duì)中國半導(dǎo)體行業(yè)制裁的步步收緊，越來越多的實(shí)體被加入“黑名單”，包括在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域攪動(dòng)了整個(gè)行業(yè)的長江存儲(chǔ)。

長江存儲(chǔ)董事長陳南翔在最新的一次演講中指出，過去50年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，全球化合作功不可沒，原本預(yù)計(jì)2030年能達(dá)到1萬億美元規(guī)模，現(xiàn)在看很難說了。

陳南翔個(gè)人非常贊同臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀“全球化已死”的說法，但也不反對(duì)“再全球化”的觀點(diǎn)，并提出，企業(yè)在進(jìn)行中長期發(fā)展規(guī)劃時(shí)，是否具備足夠的系統(tǒng)性、一致性、持續(xù)性，是衡量“在全球化”是否能達(dá)成的重要指標(biāo)。

陳南翔指出，全球化市場對(duì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展很重要，比如DRAM內(nèi)存、NAND閃存、RISC架構(gòu)、無線通信技術(shù)等等，這些發(fā)明和創(chuàng)新不屬于任何一個(gè)企業(yè)或國家，而是企業(yè)或國家對(duì)全球產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值的貢獻(xiàn)。

目前，全球化供應(yīng)鏈的直接參與者有25個(gè)國家，間接參與的有23個(gè)國家，相當(dāng)接近50個(gè)國家參與全球化體系，形成“我中有你，你中有我”。

在演講的最后，他還呼吁：“請建設(shè)誠信和公平原則。假設(shè)長江存儲(chǔ)依法合規(guī)買的設(shè)備拿不到或是無法使用，可以設(shè)一個(gè)時(shí)間內(nèi)，把設(shè)備在新的條件下回購，這樣才公平?！?/span>

還有消息稱，ASML旗下所有的DUV光刻機(jī)，出口都要被經(jīng)過認(rèn)可才可以。

對(duì)于這樣的說法，也是引起了熱議，不過ASML給出了回應(yīng)。

ASML表示，出口管制條例只涉及部分最新DUV型號(hào)，包括TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)。EUV光刻機(jī)在此前已經(jīng)受到限制，其他系統(tǒng)的發(fā)運(yùn)未受管控。

此外，ASML還表示，上述規(guī)定是在9月1日才生效，而他們已經(jīng)提交了許可申請。

所以，在上述時(shí)間之前發(fā)貨的DUV光刻機(jī)或不受影響，此前業(yè)內(nèi)猜測的TWINSCAN NXT:1980Di也不受影響。

稍早些時(shí)候，比利時(shí)微電子研究中心 (IMEC) 、阿斯麥 (ASML) 共同宣布，雙方將在開發(fā)先進(jìn)高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻試驗(yàn)線的下一階段加強(qiáng)合作。

按照ASML的說法，2025年開始，客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化，切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產(chǎn)量。

Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩(wěn)步增加，ASML傳統(tǒng)型號(hào)EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號(hào)3600D增加到350W，現(xiàn)在研究層面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產(chǎn)量，并降低制程成本，需要更高數(shù)值孔徑的EUV曝光（NA=0.75）。

DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術(shù)形成圖案的每個(gè)晶體管成本都不斷變化，考量到新技術(shù)價(jià)格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價(jià)格將非常可觀，但仍取決于客戶要求和開發(fā)成本。

在這之前，光刻機(jī)大廠ASML高管對(duì)外表示，半導(dǎo)體業(yè)只有通力合作，建立完全自主的產(chǎn)業(yè)鏈，即使并非不可能也會(huì)極其困難。