眾所周知，在芯片的制造過程中，光刻機是價值最高的半導(dǎo)體設(shè)備，同時光刻工藝是耗時最多，工序最復(fù)雜的工藝。

所以在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模中，光刻機也是市場最大的設(shè)備之一，約占所有半導(dǎo)體設(shè)備的20%左右，是唯二超過20%比例的設(shè)備。

目前全球有四大光刻機廠商，分別是荷蘭的ASML、日本的尼康、佳能，還有中國的上海微電子。

ASML最先進的光刻機是EUV光刻機，全球僅它一家能夠生產(chǎn)。尼康最先進的光刻機是浸潤式光刻機，也就是ArFi光刻機，采用的是193nm的深紫外線光源，但經(jīng)過水這一層介質(zhì)后，等效于134nm光源。

而佳能無法生產(chǎn)ArFi光刻機，還只能生產(chǎn)ArF Dry光刻機，光源也是193nm的深紫外線，但介質(zhì)是空氣，不是水，所以稱之為ArF Dry(干式光刻機)，對的采用水的ArFi的則是浸潤式光刻機。

而上海微電子也無法生產(chǎn)ArFi光刻機，還只能生產(chǎn)ArF Dry光刻機，在上海微電子的官網(wǎng)上顯示，目前最先進的光刻機是SSA600/20，分辨率是90nm。

很多人表示，分辨率是90nm的光刻機，在經(jīng)過二次曝光后是45nm，再三次曝光后是28nm什么的，反正就是國產(chǎn)光刻機至少能夠到達28nm工藝。

當然，也有人反駁，表示不可能。那么國產(chǎn)的光刻機，最多能夠支撐多少納米的芯片工藝？其實非常簡單，看ArF Dry的極限工藝就明白了。

上圖就是目前所有制程對應(yīng)的光刻機，可以看到ArF Dry可以實現(xiàn)從130nm-55nm工藝的光刻；而浸潤式光刻機（ArFi）可以實現(xiàn)45nm-7nm的光刻；5nm及以下就必須用到EUV光刻機了。

所以我們?nèi)∽罡吖に嚨哪且豁?，也就是說ArF Dry最多也就是實現(xiàn)55nm，是無法實現(xiàn)45nm及以下的，一旦進入45nm，就必須有浸潤式光刻機才行，而目前我們還沒有掌握浸潤式的技術(shù)（暗中有沒有，這個不清楚，反正公開信息沒有）

目前還沒有任何一家廠商的ArF Dry光刻機，能夠?qū)崿F(xiàn)45nm及以下工藝的光刻。可見，對于當前國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，最拖后腿的應(yīng)該就是光刻機了，你覺得呢？