存儲周期已到筑底期,Q4將迎來反轉(zhuǎn),急單需求是最好的證明
周四發(fā)布的一份行業(yè)報告顯示,全球DRAM芯片需求預(yù)計最早將在7月超過供應(yīng),這一變化將減輕因芯片低迷而陷入困境的半導(dǎo)體公司的壓力。市場研究公司集邦咨詢在其5月報告中預(yù)計,今年全球DRAM需求預(yù)計將超過1054億片,超過預(yù)估的1043億片的供應(yīng)量。在4月的報告中,該公司曾預(yù)計今年DRAM年供應(yīng)量為1550億片,需求為1460億片,預(yù)計芯片供應(yīng)過剩將繼續(xù)損害全球芯片制造商的利潤。
存儲芯片部分需求出現(xiàn)急單
5月24日,據(jù)臺媒經(jīng)濟日報報道,存儲廠商華邦近期消費電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應(yīng)用客戶需求回溫,工控相關(guān)接單也持續(xù)發(fā)燙,客戶急單涌入,而且“量也不少”。DRAM廠商南亞科表示,今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點,在需求與供應(yīng)端改善下,庫存正逐步去化,預(yù)期本季DRAM市況有望落底,公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。威剛則認(rèn)為,4月底存儲芯片供應(yīng)商減產(chǎn)態(tài)度明確后,DRAM現(xiàn)貨價已落底,有助強化第2季及下半年營運穩(wěn)健發(fā)展的動能。目前看來,下游庫存接近健康水位。
頭部原廠的出貨量也好轉(zhuǎn)。據(jù)Pulse News報導(dǎo),多位半導(dǎo)體和證券業(yè)人士透露,三星本季DRAM出貨量估季增15%至20%,扭轉(zhuǎn)首季季減10%左右頹勢。SK海力士本季出貨量季增率估成長30%至50%,遠(yuǎn)高于市場共識的20%,透露DRAM市場氛圍已改變。
芯片業(yè)庫存水準(zhǔn)預(yù)計將在下半年回穩(wěn)。集邦預(yù)測,三星、SK海力士及美光等三大存儲制造商的庫存天數(shù),將在第4季降至平均13周,少于第1季的平均16周。
TrendForce近期已調(diào)整了今年存儲芯片供應(yīng)過剩率預(yù)估值:其中,將DRAM預(yù)估值從此前的0.9%調(diào)整至-1%,將NAND Flash預(yù)估值從3%調(diào)降為-0.5%——正值意為供過于求,負(fù)值則為相反。這或許也意味著,今年DRAM與NAND Flash有望實現(xiàn)供需平衡甚至輕微供不應(yīng)求。
原本業(yè)界普遍預(yù)期,DRAM市況要到下半年才會逐步復(fù)蘇,隨三星、SK海力士本季出貨季成長率優(yōu)于預(yù)期,后續(xù)預(yù)計有更多廠商接續(xù)感受到市況回溫。
市場分析師把產(chǎn)業(yè)氛圍轉(zhuǎn)變,歸因于業(yè)界從去年開始持續(xù)降低庫存。此外,最近智能手機和服務(wù)器業(yè)者對供應(yīng)合約的洽詢數(shù)量已增加,且高頻寬記憶體(HBM)和DDR5等高附加價值的DRAM需求成長,似乎幫助景氣復(fù)蘇。
DDR5等高附加價值產(chǎn)品的價格下跌趨勢似乎也已停滯。集邦最近上調(diào)本季的伺服器用32GB DDR5平均固定交易價格預(yù)測,從75美元調(diào)高到80至90美元,反映DDR5相較于DDR4的需求仍高。
三星證券指出,用于AI伺服器的128GB DDR5價格,比64GB DDR4高出十倍,而且訂單持續(xù)增加,高頻寬記憶體的需求也熱絡(luò)。
基于目前供需關(guān)系,有分析師進(jìn)一步指出,行業(yè)景氣度位于底部區(qū)域,今年下半年需求有望觸底回升。
不過,TrendForce之前另一篇報告曾表示,由于DRAM及NAND Flash供應(yīng)商減產(chǎn)不及需求走弱速度,部分產(chǎn)品第二季均價季跌幅有擴大趨勢。
如今SK海力士提高出貨量、三星減產(chǎn)未久再度增加出貨,是否會導(dǎo)致行業(yè)供需出現(xiàn)變化還有待觀察。
存儲周期底部企穩(wěn),龍頭減產(chǎn)加速行業(yè)修復(fù)
按產(chǎn)品種類分,存儲市場主要分為 DRAM、NAND、NOR Flash,其中 DRAM占據(jù)主要的市場規(guī)模。
DRAM 供給格局頭部化效應(yīng)明顯,韓系廠商占據(jù)主要份額。根據(jù)Trendforce,22Q4 全球前三大 DRAM 廠商分別為韓國三星、韓國海力士與美國美光,三家廠商市占率合計為 95.8%。
NAND 競爭格局較 DRAM 分散,三星仍占據(jù)龍頭地位;NOR Flash 龍頭主要為臺系與陸系廠商,兆易創(chuàng)新排名全球第三。
而從行業(yè)整體來看,存儲芯片行業(yè)或已周期觸底,即將迎來上升周期。
德邦證券指出以波谷算,存儲行業(yè)周期約為 3-3.5 年,目前處于周期筑底階段。相較于半導(dǎo)體其它行業(yè),存儲芯片具有大宗商品屬性,國際龍頭會在下游新興需求誕生時提升自身產(chǎn)能;而當(dāng)擴產(chǎn)落地時,行業(yè)進(jìn)入供過于求周期,各廠商則會通過降價進(jìn)行庫存去化。供給與需求的錯配使得存儲行業(yè)具更強的周期性。
可以看到,在13Q2、16Q1、19Q3 左右,行業(yè)龍頭合計營收增速處于周期谷底,對應(yīng)增速分別為-7%、-29%、-38%。若以谷底計算,存儲行業(yè)周期約為 3-3.5 年。22Q4,行業(yè)龍頭合計營收增速為-44%,處于筑底階段。若以三年計算,本輪下行周期預(yù)計在23Q3 前后結(jié)束。
從價格看,反映 DRAM 價格的 DXI 指數(shù)已接近 2020 年低值,目前行業(yè)價量齊跌。從 22Q1 開始,DXI 指數(shù)進(jìn)入下行通道,指數(shù)有 41712 跌至 23Q1 的 22199,目前價格指數(shù)已接近 2020 年年初的水平。
而伴隨國際各龍頭廠商的減產(chǎn),存儲行業(yè)后續(xù)有望反轉(zhuǎn)向上。目前,三星、海力士等存儲龍頭大都宣布下調(diào)未來產(chǎn)量與資本開支額。其中,海力士 23 年資本支出同比減少50%以上;美光宣布將所有DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%,德邦證券預(yù)計行業(yè)有望于 23Q2逐漸企穩(wěn),23Q3 逐步完成庫存去化,23Q4 迎來周期反轉(zhuǎn)。
國產(chǎn)替代全面進(jìn)行時
根據(jù)ICInsights的統(tǒng)計信息,2021年全球存儲市場份額基本被六大公司所壟斷,具體份額如下:
DRAM市場:第一名、三星(韓國),市場份額為43.6%;第二名、SK海力士(韓國),市場份額為27.7%;第三名、美光(美國),市場份額為22.8%。三家公司合計占有94.1%的市場份額,可以說非常集中。
NAND 市場:第一名、三星(韓國),市場份額為34%;第二名、鎧俠(日本),市場份額為19%;第三名、西部數(shù)據(jù)(美國),市場份額為14%;第四名、美光(美國),市場份額為11%;第五名、SK海力士(韓國),市場份額為11%;第六名、英特爾(美國),市場份額為9%。六家公司合計掌握了98%的市場份額,同樣非常集中。
表面看起來,我們對這些公司依賴非常嚴(yán)重,但實際上,在存儲芯片領(lǐng)域,國產(chǎn)替代已經(jīng)全面開啟,美光就是最好的例子。
其空下的市場,將會全部由內(nèi)地公司取代,技術(shù)實力強大的長江存儲將會迅速擴大市場,帶動整個國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈。
上游設(shè)備、材料商,中游設(shè)計、制造、封測商,下游應(yīng)用商將快速進(jìn)行一次大規(guī)模的國產(chǎn)替代。
最為關(guān)鍵的是,此次國產(chǎn)替代以國家意志為主導(dǎo),配合相關(guān)補貼、減稅等政策,為整個行業(yè)帶來全新的變化。
存儲芯片打響了第一槍,邏輯芯片、手機SoC、電腦CPU、GPU還遠(yuǎn)嗎?
