2023 年 4 月，富士奇美拉研究所對全球尖端/知名半導(dǎo)體器件市場（13 項(xiàng)）進(jìn)行了調(diào)查并公布了結(jié)果。到 2028 年，預(yù)計將達(dá)到 555373 億日元，而 2022 年估計為 40 萬億日元。用于數(shù)據(jù)中心和汽車相關(guān)應(yīng)用的服務(wù)器將推動需求。

本次調(diào)查調(diào)查了CPU、GPU、FPGA、DRAM等“半導(dǎo)體器件”13項(xiàng)，硅片、靶材、光刻膠等“半導(dǎo)體相關(guān)材料”13項(xiàng)，曝光等“半導(dǎo)體器件”設(shè)備及刻蝕設(shè)備相關(guān)設(shè)備6個，探針卡、IC插座等其他元器件材料4個，移動設(shè)備、汽車、服務(wù)器等應(yīng)用4個。調(diào)查時間為2022年11月至2023年1月。

2022年尖端/顯著半導(dǎo)體設(shè)備市場（13項(xiàng)）中，PC需求大幅減少，但服務(wù)器和電動汽車（EV）產(chǎn)品表現(xiàn)良好，預(yù)計增加400,389億日元。展望 2028 年，預(yù)計服務(wù)器和 EV 產(chǎn)品將有助于市場擴(kuò)張。

富士奇美拉研究所提出了五個項(xiàng)目作為未來的關(guān)注市場。其中之一是“服務(wù)器加速器”。數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的應(yīng)用越來越多。與 2022 年的 2073 億日元預(yù)測相比，2028 年的預(yù)測為 5123 億日元。

第二個是“用于 PC 和服務(wù)器的 CPU”。特別是，對服務(wù)器的需求預(yù)計將保持強(qiáng)勁。市場規(guī)模預(yù)計到 2028 年將達(dá)到 108,975 億日元，而 2022 年為 92,007 億日元。

第三是信息顯示設(shè)備和ADAS相關(guān)產(chǎn)品的“車載SoC和FPGA”。與 2022 年預(yù)測的 7360 億日元相比，2028 年的市場規(guī)模預(yù)計將達(dá)到 13680 億日元。

第四個是“DRAM”。2022年預(yù)測為10.9萬億日元，2028年預(yù)測為17.8萬億日元。服務(wù)器對 DDR 的需求預(yù)計將推動市場擴(kuò)張。第五個是“NAND閃存”。同樣，我希望它適用于服務(wù)器。2028 年的市場規(guī)模預(yù)計為 11.9 萬億日元，而 2022 年的預(yù)測為 7.25 萬億日元。

此外，預(yù)計2028年“半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備”六項(xiàng)的市場規(guī)模為8.428萬億日元，而2022年的預(yù)測為5.863萬億日元。從 2024 年開始，預(yù)計主要 IDM 和晶圓代工廠將開始增加產(chǎn)能。


功率半導(dǎo)體深度受益新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展

李虹博士認(rèn)為，當(dāng)前風(fēng)、光、車、儲新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展未來可期。2021-2030年期間，新能源年度投資量每年都達(dá)到3萬億美元，半導(dǎo)體下游行業(yè)超2萬億美元，對于半導(dǎo)體市場規(guī)模有很大的推動力。

李虹博士表示：“在新能源體系的變革下，功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將顯著受惠于新能源產(chǎn)業(yè)光伏、儲能、風(fēng)電、工業(yè)自動化、汽車電動化/智能化等應(yīng)用蓬勃發(fā)展?！?/span>

風(fēng)電市場方面，新增裝機(jī)維持高位將帶動半導(dǎo)體需求增長。

光伏市場方面，2022年，中國光伏新增裝機(jī)容量接近全球一半。“目前，頭部企業(yè)積極認(rèn)證國內(nèi)的產(chǎn)品，包括TMBS、IGBT、SiC等，未來有進(jìn)一步增長的機(jī)會?！崩詈绮┦空f到。

汽車市場方面，隨著我國大力發(fā)展汽車芯片產(chǎn)業(yè)，核心汽車芯片公司在智能和電動化浪潮下，緊抓產(chǎn)業(yè)鏈的重構(gòu)，也迎來了許多國產(chǎn)替代的機(jī)會。

李虹博士指出：“汽車往電動化、聯(lián)網(wǎng)化、智能化方向發(fā)展，已經(jīng)是大勢所趨，相比傳統(tǒng)的燃油汽車，電動汽車新增量將大量的把電能轉(zhuǎn)化為需求，從而帶動相關(guān)功率半導(dǎo)體的需求。我們可以看到，傳統(tǒng)內(nèi)燃汽車、燃油汽車功率半導(dǎo)體的價值占比大概是汽車芯片里的21%。如果到新能源汽車，它的占比達(dá)到了55%，相比燃油汽車，其單車功率半導(dǎo)體芯片價值增加了5.5倍?！?/span>

儲能市場方面，得益于雙碳政策，家庭儲能及便捷式儲能快速發(fā)展，儲能在全球范圍內(nèi)迎來發(fā)展良機(jī)，將帶動半導(dǎo)體芯片需求增長。


汽車半導(dǎo)體成為支柱之一

“2022 年，新能源汽車達(dá) 680 萬臺左右，由此帶動新能源汽車的滲透率達(dá)到 26%。受于新能源強(qiáng)烈的推動作用，本土的車廠在新能源的占比大概在六成到七成之間。一個新篇章正在開啟?！庇w凌科技高級副總裁、大中華區(qū)汽車電子事業(yè)部負(fù)責(zé)人曹彥飛說道。

在其看來，隨著新能源汽車滲透率不斷提升，由此也使新能源的汽車半導(dǎo)體快速增長。據(jù)英飛凌調(diào)研判斷，新能源汽車半導(dǎo)體的增量非常巨大，預(yù)計在未來幾年內(nèi)將以年均 30% 左右的復(fù)合增長率實(shí)現(xiàn)成倍增長。

基于汽車產(chǎn)業(yè)鏈的不同分工，英飛凌將汽車半導(dǎo)體做了進(jìn)一步劃分，主要包括功率半導(dǎo)體、智能化和智能輔助駕駛需要的半導(dǎo)體，以及推動網(wǎng)聯(lián)化的半導(dǎo)體（涵蓋車身和座艙）。

在英飛凌看來，功率半導(dǎo)體大概以年均 25% 的增長率，未來也會成倍速發(fā)展，這將對應(yīng)著電動化的發(fā)展而定。

對于智能化和自動輔助駕駛需要的半導(dǎo)體，英飛凌預(yù)估年增長率達(dá) 20%+ 以上?！疤拱讈碚f，這個數(shù)據(jù)以L2、L2+為主，高階自動駕駛后續(xù)也會跟進(jìn)進(jìn)來，這中間對所有汽車半導(dǎo)體含量的需求增長也是非常巨大的?！辈軓╋w表示。

另外，在網(wǎng)聯(lián)化方面，從 2021 年至 2029 年，中國域控制器市場的復(fù)合年均增長率也將超過30% 。

“可以看到，汽車半導(dǎo)體從上游“流向”了合作伙伴、Tier1，最終“流向”車廠，這能夠說明汽車半導(dǎo)體的前端需求非常巨大?！辈軓╋w表示。英飛凌預(yù)計，純電動車的單車半導(dǎo)體價值量將從 2021 年的約 1000 美元上漲到 1500 美元。

也正因如此，英飛凌近年來的業(yè)務(wù)重點(diǎn)逐漸傾向汽車業(yè)務(wù)，并加大研發(fā)投入，積極擴(kuò)產(chǎn)。

國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三大發(fā)展動向

一是半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)替代迎來黃金窗口期。

在全球疫情、中美貿(mào)易爭端和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周期。我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不僅受世界經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響，而且受國家間爭端的沖擊。

隨著2022年美國芯片法案的出臺和半導(dǎo)體設(shè)備對華出口受限等事件的發(fā)生，半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)替代被迫加速。

當(dāng)前我國半導(dǎo)體材料平均國產(chǎn)化率在15%左右，其中晶圓制造端的國產(chǎn)率偏低，封裝端的國產(chǎn)化率較高，核心材料幾乎全部進(jìn)口。隨著我國晶圓廠的建設(shè)，2023年我國半導(dǎo)體材料的研發(fā)進(jìn)程提速。

二是合資企業(yè)將增多。

由于美國企圖與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)脫鉤，美國企業(yè)曾一度裁撤了部分在華研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

但2023年形勢將有所好轉(zhuǎn)：

首先，中國疫情防控全面放開，中國經(jīng)濟(jì)也將逐漸恢復(fù)生機(jī)，中國仍會是多國外企無法割舍的目標(biāo)市場。

其次，中國擁有相對領(lǐng)先的應(yīng)用市場，如新能源汽車、新能源發(fā)電、智慧城市應(yīng)用等，目前都是火熱發(fā)展的領(lǐng)域，向上的市場將吸引更多外資的注意。

再者，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全球化阻斷，各國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈將呈現(xiàn)區(qū)域化發(fā)展特征。

中國在內(nèi)外雙循環(huán)的戰(zhàn)略格局下，將會大力扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，積極鼓勵外企來華投資，對于合資企業(yè)將是很好的發(fā)展機(jī)遇。

三是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快布局。

第一代半導(dǎo)體是以硅（Si）、鍺（Ge）為代表原料；第二代半導(dǎo)體是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表原料；第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化鋅（ZnSe）等寬帶半導(dǎo)體原料為主。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分為原材料和設(shè)備、器件設(shè)計與制造、三代半器件/模塊和下游應(yīng)用四大環(huán)節(jié)。

面對國際市場環(huán)境波動、產(chǎn)業(yè)周期下行、供應(yīng)鏈風(fēng)險等諸多問題，為保障國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，政企持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體布局，從技術(shù)研發(fā)、資金支持、稅收優(yōu)惠等多方面持續(xù)推動，使得國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展駛?cè)氚l(fā)展“快車道”。