行業(yè)減產(chǎn)疊加AI浪潮，存儲(chǔ)芯片行情或?qū)⑻崆盎嘏?/h1>
機(jī)構(gòu)與廠商表示，存儲(chǔ)價(jià)格預(yù)計(jì)在今年第二季度到達(dá)谷底，市場(chǎng)有望在第三季度觸底反彈。如火如荼的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能汽車(chē)和工業(yè)機(jī)器人，AI算力提升的需求，以及ChatGPT的拉動(dòng)，有望讓存儲(chǔ)市場(chǎng)在2023年下半年一掃陰霾，迅速回暖增長(zhǎng)。
市場(chǎng)轉(zhuǎn)暖，需求再度旺盛，價(jià)格回抬，這正是國(guó)產(chǎn)廠商難得的一場(chǎng)的機(jī)遇，而廠商能否把握機(jī)會(huì)，借助這股東風(fēng)，乘勢(shì)而起，迎來(lái)發(fā)展的第二春呢？
行業(yè)巨頭紛紛減產(chǎn)
“在經(jīng)歷長(zhǎng)達(dá)大半年的下跌趨勢(shì)后，存儲(chǔ)價(jià)格預(yù)計(jì)在今年第二季度到達(dá)谷底，隨著經(jīng)濟(jì)和需求面的改善，市場(chǎng)有望在第三季度觸底反彈?！痹?月23日舉辦的CFMS2023—中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)上，多家核心產(chǎn)業(yè)鏈廠商對(duì)2023年存儲(chǔ)市場(chǎng)行情如是預(yù)判。
從海外三大存儲(chǔ)巨頭來(lái)看，美光已進(jìn)一步削減2023會(huì)計(jì)年度資本支出，目前預(yù)期將投資大約70億美元、較2022年度縮減超過(guò)40%。值得注意的是，公司CEO梅赫羅特拉表示：“我們現(xiàn)在認(rèn)為幾個(gè)終端市場(chǎng)的客戶(hù)庫(kù)存已經(jīng)減少，未來(lái)幾個(gè)月供需平衡將逐步改善。排除庫(kù)存減記的影響，我們認(rèn)為我們的資產(chǎn)負(fù)債表庫(kù)存余額（DIO）已在第二財(cái)季達(dá)到峰值，我們的季度業(yè)績(jī)接近向連續(xù)營(yíng)收增長(zhǎng)的過(guò)渡?！?/span>
SK海力士CEO樸正浩日前在股東大會(huì)上表示，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片需求將在今年下半年復(fù)蘇，但不確定性依舊存在。公司今年資本開(kāi)支將減半，不會(huì)進(jìn)一步減產(chǎn)；三星電子也在考慮削減存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量。
回顧全球半導(dǎo)體與存儲(chǔ)市場(chǎng)周期變化情況，資本開(kāi)支增速與市場(chǎng)變化呈現(xiàn)強(qiáng)相關(guān)性。隨著各大存儲(chǔ)廠商陸續(xù)在最新財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)中公開(kāi)2023年展望，并大幅度下調(diào)2023年資本開(kāi)支計(jì)劃，多家機(jī)構(gòu)看好彈性最大的存儲(chǔ)板塊2023年下半年迎來(lái)復(fù)蘇。
中信證券在最新研報(bào)中指出，美光雖在行業(yè)逆風(fēng)期錄得單季大幅虧損，但業(yè)績(jī)指引環(huán)比復(fù)蘇，終端客戶(hù)庫(kù)存下降，中長(zhǎng)期有望受益AI需求提振。存儲(chǔ)廠商庫(kù)存2023年第二季度達(dá)峰并逐步下調(diào)，看好2023年下半年存儲(chǔ)周期觸底復(fù)蘇，行業(yè)存儲(chǔ)龍頭有望迎業(yè)績(jī)反轉(zhuǎn)。
真正實(shí)現(xiàn)SSD自由
從媒體的報(bào)道來(lái)看，目前存儲(chǔ)芯片的價(jià)格，已經(jīng)跌破了成本價(jià)，如果按照容量?jī)r(jià)格比來(lái)算，也達(dá)到了歷史最低價(jià)，可能只有2-3毛/1GB的價(jià)格了，很多廠商是在虧本賣(mài)芯片。
于是很多人表示，這要感謝國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商，比如長(zhǎng)存，長(zhǎng)鑫，沒(méi)有國(guó)產(chǎn)廠商的努力，那么三星、美光、SK海力士等廠商，肯定不會(huì)降價(jià)，消費(fèi)者也無(wú)法實(shí)現(xiàn)SSD自由。
那么問(wèn)題來(lái)了，存儲(chǔ)芯片大跌，究竟是國(guó)產(chǎn)廠商的功勞，還是市場(chǎng)規(guī)律？
在我個(gè)人看來(lái)，國(guó)產(chǎn)廠商的功勞可能只占10%，市場(chǎng)規(guī)律占90%，市場(chǎng)規(guī)律才真正起到了決定性的作用。
一方面是市場(chǎng)需求下滑，從去年的數(shù)據(jù)可以看到，不管是手機(jī)，還是電腦這些存儲(chǔ)芯片消耗大戶(hù)，均下滑了15%以上，而2023年還在繼續(xù)下滑，市場(chǎng)需求不振。
而存儲(chǔ)芯片廠商的產(chǎn)能沒(méi)有減少，導(dǎo)致產(chǎn)能極度過(guò)剩，庫(kù)存高企，比如三星的芯片庫(kù)存超過(guò)了500億美元，所以大家不得不減少，降價(jià)促銷(xiāo)，這是市場(chǎng)必然。
而芯片產(chǎn)業(yè)本來(lái)就是周期性的，有高峰也就有低谷，現(xiàn)在正是低谷。
二是技術(shù)進(jìn)步，隨著存儲(chǔ)芯片的工藝不斷提升，從SLC到MLC，再到TLC、QLC，以及64層，96層，128層，196層、232層堆疊……
存儲(chǔ)芯片密度已經(jīng)是不斷增長(zhǎng)，每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的數(shù)量不斷升級(jí)，從1bit到2bit、3bit、4bit甚至5bit數(shù)據(jù)。簡(jiǎn)單的來(lái)講，以前一塊芯片能存300M，但現(xiàn)在同樣大小的芯片，可以存1.5T了，是原來(lái)的5倍，甚至10倍。
這就導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片的成本大降，單位容量的價(jià)格也會(huì)大跌，以前1TB的SSD硬盤(pán)要1000塊，現(xiàn)在可能只要100塊了，價(jià)格下跌是技術(shù)進(jìn)步的必然，這是存儲(chǔ)芯片價(jià)格跌的第二個(gè)重要原因。
第三個(gè)原因，才是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商攪局，但其實(shí)這個(gè)原因，并不是十分重要，沒(méi)有國(guó)產(chǎn)廠商攪局，價(jià)格也會(huì)跌的。
不信大家看看2008年前后，存儲(chǔ)芯片也是跌成白菜價(jià)，那時(shí)候沒(méi)有國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)什么事吧？
目前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的市場(chǎng)份額可能在5%左右，對(duì)市場(chǎng)價(jià)格的波動(dòng)，其實(shí)起不了太多決定性的作用，最多也就是攪局一下而已。
所以真正讓存儲(chǔ)芯片大跌，還是市場(chǎng)需求下滑、然后技術(shù)不斷進(jìn)步導(dǎo)致的，然后國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)也推動(dòng)了一下，當(dāng)然或多或少也產(chǎn)生了一些作用。
AI浪潮拉升存儲(chǔ)芯片需求 行業(yè)或?qū)⑻崆盎嘏?/span>
智能手機(jī)、PC和服務(wù)器構(gòu)成了存儲(chǔ)芯片的主要需求來(lái)源。據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，智能手機(jī)對(duì)DRAM和NAND的需求量均接近40%。此外，服務(wù)器和PC對(duì)DRAM的需求分別達(dá)到34%和13%。
盡管目前全球智能手機(jī)和PC的出貨量提升動(dòng)能不足，但智能手機(jī)和PC的升級(jí)換代提升容量規(guī)格的趨勢(shì)不變，單機(jī)容量仍有一定提升空間。數(shù)據(jù)顯示，2014年-2020年，全球智能手機(jī)中DRAM平均單機(jī)容量提升了2倍，NAND平均單機(jī)容量提升了4倍。
而在服務(wù)器方面，AI服務(wù)器對(duì)DRAM和NAND的需求飆升。據(jù)美光測(cè)算，AI服務(wù)器中DRAM數(shù)量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND數(shù)量是傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍。TrendForce預(yù)測(cè)，2023年服務(wù)器DRAM的位元出貨比重將達(dá)37.6%，將超過(guò)智能手機(jī)DRAM成為第一大需求增量。此外，大模型龐大的數(shù)據(jù)集也需要更大容量的NAND儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，GPT-3的參數(shù)量就已經(jīng)達(dá)到1750億個(gè)，GPT-4的參數(shù)量相對(duì)更大。
隨著ChatGPT開(kāi)啟了AI的新紀(jì)元，全球科技巨頭相繼開(kāi)發(fā)并推出大模型產(chǎn)品，大模型的訓(xùn)練和部署需要大量的AI算力芯片提供支柱，同樣大量的數(shù)據(jù)集傳輸和儲(chǔ)存也對(duì)存力提出了更高的要求。在AI服務(wù)器中應(yīng)用的存儲(chǔ)芯片主要包括：高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)、 DRAM和SSD(固態(tài)硬盤(pán))，針對(duì)AI服務(wù)器的工作場(chǎng)景需要提供更大的容量、更高的性能、更低的延遲和更高的響應(yīng)速度。
HBM是一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，它使DRAM從傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)變?yōu)榱Ⅲw3D，充分利用空間、縮小面積，契合半導(dǎo)體行業(yè)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。憑借TSV（硅通孔）封裝方式，HBM大幅提高了容量和數(shù)據(jù)傳輸速率。
以英偉達(dá)剛發(fā)布的專(zhuān)為大模型設(shè)計(jì)的AI服務(wù)器NVIDIA DGX H100為例，一臺(tái)服務(wù)器里配置了8顆H100 GPU，每一顆GPU需要80GB顯存，采用HBM2e或HBM3的方案，每顆GPU需要5顆HBM。此外，DGX H100服務(wù)器還需要2TB的系統(tǒng)內(nèi)存、2條1.92TB的SSD以及8 條3.84TB的SSD。
未來(lái)，各大巨頭們的AI大模型也有望強(qiáng)勁拉動(dòng)存儲(chǔ)芯片朝著更大容量、更高性能方向演進(jìn)，成為存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)期增長(zhǎng)的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)力。
