前段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，哈爾濱工業(yè)大學(xué)公布了一項(xiàng)“高速超精密激光干涉儀”研發(fā)成果，并獲得了首屆“金燧獎(jiǎng)”中國(guó)光電儀器品牌榜金獎(jiǎng)。

然后各種沸騰體的自媒體就開(kāi)始寫(xiě)了，這是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)的大突破，通過(guò)這個(gè)技術(shù)，我們就能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片的制造了等等，大家集體沸騰……

那么問(wèn)題來(lái)了，這究竟是什么技術(shù)？真的能助我們的光刻機(jī)技術(shù)，從此進(jìn)入7nm？

先看官方說(shuō)明，介紹是這么寫(xiě)的，突破系列核心測(cè)量方法和工程化關(guān)鍵技術(shù)，解決了該領(lǐng)域存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不精、測(cè)不快的核心難題。

這套系統(tǒng)用于確保掩膜工作臺(tái)、雙工作臺(tái)和物鏡系統(tǒng)之間復(fù)雜的相對(duì)位置，實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)的整體套刻精度，只字沒(méi)提什么7nm、5nm，或者EUV光刻機(jī)等，不知道某些自媒體從哪里得出來(lái)的結(jié)論？擁有這個(gè)技術(shù)，就馬上實(shí)現(xiàn)7nm了？

我們知道光刻機(jī)由三個(gè)核心部分組成，一個(gè)是光源，一個(gè)是物鏡系統(tǒng)，一個(gè)是工作臺(tái)。

拿目前上海微電子最強(qiáng)的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)來(lái)說(shuō)，屬于DUV光刻機(jī)，是第四代光刻機(jī)，使用的是193nm的紫外線，工作臺(tái)使用的是華卓精科的雙工作臺(tái)。物鏡系統(tǒng)我不清楚，也沒(méi)查到相關(guān)資料，只聽(tīng)說(shuō)是進(jìn)口的。

而從當(dāng)前這臺(tái)193nm光刻機(jī)再升級(jí)的話，進(jìn)入下一代光刻機(jī)，要進(jìn)入的是第五代的ArFi浸潤(rùn)式光刻機(jī)，其與現(xiàn)在的光刻機(jī)相比，光源、工作臺(tái)基本都一樣，但最重要的就是物鏡系統(tǒng)的改變。

浸潤(rùn)式光刻機(jī)，需要在硅晶圓上面再加一層水為介質(zhì)，讓193nm的光線通過(guò)水折射后，變成134nm波長(zhǎng)的光，從而實(shí)現(xiàn)更高的分辨率。

而這個(gè)浸潤(rùn)式物鏡系統(tǒng)涵蓋了光學(xué)、機(jī)械、計(jì)算機(jī)、電子學(xué)等多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域最前沿的技術(shù)。目前只有德國(guó)、日本有這整套技術(shù)，不過(guò)日本、德國(guó)都不對(duì)中國(guó)出口，而國(guó)產(chǎn)還暫時(shí)替代不了，這個(gè)是當(dāng)前真正的難點(diǎn)。

如果搞不定物鏡系統(tǒng)，那么我們就要被限制在當(dāng)前這種193nm的干式光刻機(jī)上，而物鏡系統(tǒng)突破了，就能進(jìn)入浸潤(rùn)式光刻機(jī)，就能夠?qū)崿F(xiàn)7nm的光刻精度了。

而哈工大的這項(xiàng)技術(shù)，是用于掩膜板、物鏡系統(tǒng)、工作臺(tái)之間的位置對(duì)應(yīng)控制的，用控制光線刻錄芯片的精度的，屬于關(guān)鍵技術(shù)之一，可以用于所有的光刻機(jī)，包括EUV光刻機(jī)，而不是有了它，我們就可以突破浸潤(rùn)式的物鏡系統(tǒng)的，更不是單純?yōu)閲?guó)產(chǎn)光刻機(jī)的突破而突破的。

所以少聽(tīng)某些自媒體扯淡，自己都沒(méi)搞清楚原理，然后就制造各種沸騰體文章，讓大家莫名其妙的沸騰，實(shí)事求是才是正道。