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比三星、美光更先進的232層閃存芯片,我們率先造出來了

2022-12-05 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關鍵詞: 晶體管 長存存儲 海力士

邏輯芯片,也就是大家熟悉的手機Soc、CPU、GPU等芯片,工藝提升的方面主要是進行平面微縮,即制程越來越先進,XXnm中這個XX數(shù)字越來越小。

但在是NAND閃存領域,單純靠微縮晶體管,是不可行的,因為研究表示,當工藝達到了15nm左右時,再提升工藝,存儲芯片的性能會非常不穩(wěn)定,作為存儲芯片,數(shù)據(jù)無價,穩(wěn)定排第一。

所以不管是三星、還是美光、SK海力士們,這些芯片巨頭們發(fā)現(xiàn),在NAND閃存芯片上,提升工藝是一方面,另外將芯片進行3D立體堆疊,更是一個重要的方向。

所以我們看到介紹存儲芯片時,都是講XX層堆疊,比如64層堆疊,128層堆疊,192層堆疊等,層數(shù)越多,存儲密度越高,技術越先進。

目前全球范圍內,主要產品還是192層堆疊的NAND閃存芯片,而美光在今年上半年發(fā)布了232層堆疊的芯片,不過沒有大規(guī)模量產,也就是說還是PPT芯片。

但是,近日我們發(fā)現(xiàn),國產NAND芯片支棱起來了,232層堆疊的NAND閃存芯片,我們領先于三星、美光率先規(guī)模量產了。

這家廠商就是長江存儲,大家發(fā)現(xiàn)目前在一些國產SSD中,已經(jīng)發(fā)現(xiàn)大量使用了長江存儲232層的NAND閃存,這也是全球率先量產的232層NAND閃存。

這意味著長期以來,被美日韓壟斷的NAND市場,中國廠商領先打破了壟斷。而2016年才成立的長江存儲,其實只花了6年時間,就實現(xiàn)了從落后10多年,到領先于全球。

對此不知道大家怎么看?可見,只要國內的企業(yè)肯鉆研,肯努力,就沒有中國搞不定的芯片,NAND如此,CPU、GPU也是如此,你覺得呢?

當然,量產了232層的NAND閃存芯片后,還只是邁出了一小步,畢竟我們還需要擴大市場,但相信有了技術,市場也就不用愁了,揚以三星、美光等廠商顫抖吧,等著長江存儲發(fā)威吧。