要造芯片就離不開ASML?EUV技術(shù)壁壘雖高,但已經(jīng)有人做到了繞路而行
關(guān)鍵詞: 光刻機(jī) 芯片 集成電路 ASML
光刻是大規(guī)模集成電路芯片制備的核心工藝環(huán)節(jié),其中,EUV光刻機(jī)是服務(wù)于7nm 以下制程芯片的設(shè)備。生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的技術(shù)壁壘極高,除了光刻機(jī)結(jié)構(gòu)的整體設(shè)計(jì)外,其零部件工藝也是目前光學(xué)以及精密機(jī)械領(lǐng)域的極限水平。目前EUV光刻的產(chǎn)業(yè)化是一個全球頂端供應(yīng)鏈的結(jié)構(gòu),德國的光學(xué)鏡頭、英國的真空設(shè)備、美國的激光光源、日本的光刻膠等國際尖端技術(shù),組成了整個EUV光刻機(jī)制造的產(chǎn)業(yè)鏈條。
目前全球僅有荷蘭ASML公司具有EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)能力,主要是因?yàn)楹商m在歐洲所處的貿(mào)易環(huán)境,以及歐盟國家具有的相關(guān)產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,再加上該公司自身出色的設(shè)計(jì)能力,使其壟斷了EUV光刻機(jī)的國際市場。
制造先進(jìn)光刻機(jī),比造原子彈還要難?
十多年來,ASML一直都占據(jù)著全球第一的位置,而ASML的總裁也曾表示,即使他們將EUV光刻機(jī)制造的圖紙公開,也沒有一家公司可以順利制造出來。
EUV光刻機(jī),這臺比原子彈還難造的機(jī)器,單臺售價(jià)超過1.2億美元,雖然價(jià)格高昂,卻依舊供不應(yīng)求,甚至有些國家就算出價(jià)再高也買不到。
一臺頂級的EUV光刻機(jī)重達(dá)180噸,包含大約10萬個零部件,全球供應(yīng)商超過5000家,需要40個集裝箱運(yùn)輸。即使你購買到了ASML的EUV光刻機(jī),如果沒有他們的幫助,你也無法正常安裝使用,整個光刻機(jī)設(shè)備的安裝調(diào)試就需要一年時(shí)間。
雖然ASML是一家荷蘭公司,但它的背后卻有著歐盟及美國的力量,很多關(guān)鍵技術(shù)都是由美國及歐盟國家提供的。一臺頂尖EUV光刻機(jī)的零部件中,美國光源占27%、荷蘭腔體和英國真空占32%、日本材料占27%、德國光學(xué)系統(tǒng)占14%,它是全世界頂尖技術(shù)的結(jié)晶。
目前中國的光刻機(jī)領(lǐng)域還處于初步發(fā)展階段,上海微電子已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)90nm光刻機(jī)量產(chǎn)。但是90nm之后,還有65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、7nm、5nm,這些節(jié)點(diǎn)技術(shù)一步一個坎,有些坎幾年都未必能更新出一代。萬里長征才開始第一步。
日企突破5nm芯片制造設(shè)備,或?qū)⒔鉀Q中企“EUV光刻機(jī)”供應(yīng)問題
在不斷升級的芯片規(guī)則下,中企在半導(dǎo)體領(lǐng)域舉步維艱,每一項(xiàng)技術(shù)都要實(shí)現(xiàn)自主化,否則隨時(shí)都有被斷供的可能性,無法很好的聯(lián)動國際供應(yīng)鏈,導(dǎo)致無法突破先進(jìn)工藝制造瓶頸。
而真正“卡住”國內(nèi)企業(yè)的是光刻技術(shù),目前就連DUV光刻機(jī)都要高度依賴于ASML,而最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)更是被限制進(jìn)口,這也出現(xiàn)了兩極分化的狀態(tài),在芯片設(shè)計(jì)上已經(jīng)突破了5nm水準(zhǔn),但在制程工藝上僅為14nm。
ASML被老美施壓斷供DUV光刻機(jī),但卻以強(qiáng)硬的拒絕了,顯然已經(jīng)嗅到了“危險(xiǎn)信號”,日企佳能開建全新的光刻機(jī)產(chǎn)能,宣稱已經(jīng)突破了5nm芯片的制造技術(shù),中企的“EUV光刻機(jī)”供應(yīng)問題能解決了?
在相關(guān)限制啟動的三年時(shí)間里,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了飛速發(fā)展,全產(chǎn)業(yè)鏈的配套技術(shù),都有相應(yīng)的企業(yè)在研發(fā),只要國產(chǎn)的光刻機(jī)能夠到位,就能夠?qū)崿F(xiàn)14nm以上的產(chǎn)能自主化,在見到這樣的情境之后,老美也徹底開始著急了。
對于現(xiàn)階段的處境而言,想要期待老美放開EUV光刻機(jī)的限制,可以說基本上不可能,因此擺在我們面前的只有兩條路,要么自研自產(chǎn)高端的光刻機(jī),要么就得尋找不含美技術(shù)的廠商。
目前國內(nèi)僅能實(shí)現(xiàn)90nm光刻機(jī)的量產(chǎn),如果按照ASML的老路走的話,沒有國際供應(yīng)鏈的支持,想要突破到滿足7nm以下芯片制造的光刻設(shè)備,就算能夠?qū)崿F(xiàn)也需要很長的時(shí)間,相對而言第二種就比較容易實(shí)現(xiàn),而日企佳能就給我們帶來了好消息。
日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也曾盛極一時(shí),當(dāng)時(shí)的美企和日企根本就不在同一個層次上,但也正因?yàn)槿绱嗽獾搅死厦赖拇驂海m然如今自主化產(chǎn)能僅維持在30nm左右,但良好的技術(shù)底蘊(yùn)還在,佳能、尼康更是被稱之為“光刻機(jī)鼻祖”,這幾個字眼就足以說明一切了。
就在近日外媒傳出了消息,日企佳能的光刻機(jī)新工廠已經(jīng)開建,正式投產(chǎn)之后將會誕生低成本的先進(jìn)芯片制造設(shè)備,很有可能就是2021款的納米壓印光刻機(jī)的升級版,能夠突破到14nm線寬的分辨率,足以滿足納米芯片的生產(chǎn)需求。
而目前ASML的EUV光刻機(jī),也差不多就這樣的水平,要生產(chǎn)5nm以下的芯片,就需要依靠新一代的NA EUV光刻機(jī),才能達(dá)成更好的效果,因此這次佳能的突破,相當(dāng)于已經(jīng)打破了ASML對于EUV光刻機(jī)的壟斷。
目前在成熟工藝上,國內(nèi)基本能夠?qū)崿F(xiàn)自給自足了,但在先進(jìn)工藝上,依然要依賴于美企的進(jìn)口,如果佳能的新型的光刻機(jī)能夠出口,這方面的顧慮也就迎刃而解了,那究竟日企的先進(jìn)設(shè)備,能夠正常的出貨到中國市場呢?
EUV技術(shù)未來的市場前景和技術(shù)發(fā)展趨勢
EUV光刻機(jī)并不是應(yīng)用消費(fèi)產(chǎn)品,作為高端制造設(shè)備,其實(shí)際的市場并不會很大。ASML預(yù)計(jì)今年EUV設(shè)備出貨量有望達(dá)到50臺,雖然絕對數(shù)量有限,但是因?yàn)楦郊又蹈?,最終的產(chǎn)值會非??捎^。隨著芯片在各領(lǐng)域的大量使用,芯片制造也成為一個重要的增長點(diǎn),因此目前ASML的產(chǎn)能還不能滿足市場需求。
EUV光刻機(jī)投入使用后,又大量催生了EUV曝光設(shè)備的需求。就目前的訂單數(shù)據(jù)顯示,2025年之前的EUV光刻機(jī)需求將逐年創(chuàng)下新紀(jì)錄。隨著芯片制程工藝的提升,臺積電和三星已采購大量EUV光刻機(jī),存儲芯片制造商SK海力士也已開始采用EUV光刻機(jī),未來5年也將大幅增加采購量,美光科技也計(jì)劃在2024年開始使用EUV設(shè)備。相關(guān)芯片生廠商將會進(jìn)一步推動高端芯片的下游市場活力,進(jìn)而使得EUV技術(shù)的市場前景看好。
關(guān)于EUV光刻機(jī)未來的發(fā)展方向,當(dāng)前ASML正在探尋NA從0.33向0.55推進(jìn),預(yù)計(jì)2025年后能夠進(jìn)入量產(chǎn),對 1.5nm及1nm邏輯制程工藝提供支撐,并有望在目前最先進(jìn)的DRAM制程中得到應(yīng)用。對于0.55 NA的光刻機(jī)而言,僅僅是光刻機(jī)系統(tǒng)的更新是不夠的。作為一個高協(xié)調(diào)性的復(fù)雜光學(xué)設(shè)備,光刻機(jī)中的任何一個部件變動都需要進(jìn)行整體性的設(shè)計(jì)改良,因此為了配合0.55鏡頭的升級,光掩模、光刻膠疊層和圖案轉(zhuǎn)移工藝等方面也需要進(jìn)行優(yōu)化,從而確保整個光刻機(jī)的性能。
另外,EUV 光刻膠的研發(fā)也一直是系統(tǒng)關(guān)注的問題,金屬氧化物納米顆粒型光刻膠的研制,是目前極紫外光刻工藝流程中最受關(guān)注的一個方向。利用金屬團(tuán)簇核心對極紫外光的高吸收率,以及后續(xù)刻蝕過程中的強(qiáng)抗刻蝕性,這種材料非常適合的紫外光刻。解決該類光刻膠的均勻性問題,待制備工藝成熟后將成為EUV光刻的優(yōu)選光刻膠。
三維掩模成像的研究也是目前EUV技術(shù)發(fā)展的一個重要方向。結(jié)合大NA透鏡的結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性,需要對掩膜版材料進(jìn)行優(yōu)化。由于大NA透鏡使得光線輻照角度變大,這需要對掩膜吸收層的厚度進(jìn)行重新優(yōu)化,確保照明光路的正常。發(fā)展更高效的設(shè)計(jì)算法,推動計(jì)算光刻技術(shù)的發(fā)展也將對EUV整體工藝技術(shù)的發(fā)展起到推進(jìn)作用。
