不過(guò)5nm、4nm這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)上，三星確實(shí)是沒(méi)拼過(guò)臺(tái)積電的，因?yàn)榱悸侍停に嚤憩F(xiàn)不佳。

所以在3nm上，三星拼了一把，提前量產(chǎn)了3nm，并且采用了最新的GAAFET晶體管技術(shù)，不過(guò)從現(xiàn)在的情況來(lái)看，三星估計(jì)在3nm上還是拼不過(guò)臺(tái)積電，畢竟客戶基礎(chǔ)是臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)。

這不，三星將目光又將目光瞄向了更先進(jìn)的工藝，比如2nm，以及2nm之后的工藝。

之前三星表示，要在2025年量產(chǎn)2nm，而臺(tái)積電也表態(tài)要在2025年量產(chǎn)2nm，這給三星非常大的壓力，于是三星近日再放豪言，要在2027年量產(chǎn)1.4nm。

至于為何是2027年，原因是2027年臺(tái)積電未必能夠量產(chǎn)1.4nm，因?yàn)榘凑张_(tái)積電的計(jì)劃，2025年量產(chǎn)2nm后，下一代工藝，可能要再過(guò)3年以上，也就是要到2028年去了。

那么三星2027年能不能量產(chǎn)1.4nm？這個(gè)不好說(shuō)，不過(guò)我知道，現(xiàn)在三星連生產(chǎn)1.4nm芯片的光刻機(jī)都沒(méi)著落，所謂的2027年量產(chǎn)1.4nm，真的只是在嘴上說(shuō)說(shuō)而已。

按照ASML的說(shuō)法，最新一代的EUV光刻機(jī)，會(huì)在2025年左右推出，型號(hào)是NXE:5200，采用的是0.55NA的數(shù)值孔徑，能夠用于2nm芯片的光刻。

但這一代之后，EUV光刻機(jī)技術(shù)，基本上就發(fā)展到了盡頭了，之后再是什么技術(shù)，ASML不知道。

而NXE:5200能不能生產(chǎn)1.4nm芯片，ASML自己都心里沒(méi)底，只是說(shuō)能夠搞定2nm芯片。

芯片技術(shù)發(fā)展到現(xiàn)在，更新一代已經(jīng)是越來(lái)越慢，需要的時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng)，因?yàn)楣に嚱咏鼧O限了，越縮小越難。

從5nm到3nm，差不多是2年多。從3nm到2nm，要3年。從2nm到1.4nm，保守估計(jì)也要3年以上，所以三星說(shuō)2027年就量產(chǎn)，明顯不太可信，你覺(jué)得呢？