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三星M386ABG40M50-CYF低負載雙列直插式存儲模塊256GB 8R x 4 LPDDR4 2933Mbps 1.2 V 288FBGA
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三星M474A2K43BB1-CRC 帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內(nèi)存模塊 16 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
三星M474A2K43BB1-CTD 帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內(nèi)存模塊 16 GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
三星KLMCG2UCTB-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。HS400接口 64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm
三星KLMDG4UCTB-B041 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。HS400接口 128GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm
三星KLM4G1FETE-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。4GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11 x 10 x 0.8 mm HS400接口
三星KLM8G1GEUF-B04P閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
三星KLM8G1GEUF-B04Q閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
三星KLMAG2GEUF-B04P閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
三星KLMAG2GEUF-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
三星KLMBG4GEUF-B04P閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
三星KLMBG4GEUF-B04Q閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
