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三星KLMAG2GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMAG1JETD-B041 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。16GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GETF-B041 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GESD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GESD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GESD-B03Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMEG8UCTA-B041 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。256GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMDG4UCTA-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。128GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMCG2UCTA-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMCG2KCTA-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMBG4GEUF-B04Q閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMBG4GEUF-B04P閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMAG2GEUF-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMAG2GEUF-B04P閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GEUF-B04Q閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GEUF-B04P閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM4G1FETE-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。4GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11 x 10 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMDG4UCTB-B041 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。HS400接口 128GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm

三星KLMCG2UCTB-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。HS400接口 64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm

三星M474A2K43BB1-CTD 帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內(nèi)存模塊 16 GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A2K43BB1-CRC 帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內(nèi)存模塊 16 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A1G43DB1-CRC 帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內(nèi)存模塊 8 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A1G43DB0-CPB 帶錯誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內(nèi)存模塊 8 GB 2R x8 LPDDR4 2133Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M393B2G70EB0-YMA 帶存儲器的雙列直插式存儲模塊 包括用于優(yōu)化時鐘、命令和控制信號的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 240FBGA