KBL610_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：KBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 此款半導(dǎo)體器件是一款采用KBL封裝技術(shù)的高耐壓整流橋，專為大電流、高效能應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。其核心參數(shù)包括VR最高耐受電壓1000V，確保在嚴(yán)苛高壓環(huán)境下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行；VF特性表現(xiàn)為1.1V@6A，即使在6A滿載電流下，仍能維持超低壓降，極大提高能源轉(zhuǎn)換效率與節(jié)能效果；額定輸出電流IO達(dá)到6A，提供強(qiáng)勁且持久的電力處理能力。適用于各類高端電源系統(tǒng)、逆變器等大電流電子設(shè)備，是提升整體性能和可靠性的理想元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
