GBJ3510_GBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:GBJ 類別:整流橋 最小包裝:250盒 參數(shù)1:正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數(shù)2:直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3:平均整流電流(Io): 30A 參數(shù)4:正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 這款GBJ封裝的高性能整流橋,專為高功率、大電流應(yīng)用場(chǎng)合打造。具備1000V的卓越反向電壓額定值(VR),確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。其特色在于,在12.5A工作電流下正向壓降VF低至1.05V,有效提升電源轉(zhuǎn)換效率并降低功耗。更值得關(guān)注的是,器件擁有強(qiáng)大的瞬態(tài)峰值電流承載能力高達(dá)30A(IO),確保在極端條件下仍能提供卓越的性能表現(xiàn)。適用于各類需要處理極高電流強(qiáng)度及高電壓的電路設(shè)計(jì),是您構(gòu)建高效、可靠電源系統(tǒng)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí):會(huì)員
- 聯(lián) 系 人:連先生
- 聯(lián)系電話:138 2358 3904
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013