DB307S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋 最小包裝：1500圓盤 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 3A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
描述: 這款DBS封裝的整流橋器件，專為高效能電源轉換應用設計。具有高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定可靠工作。其特點在于2A電流下正向壓降VF低至1.1V，有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。此外，器件提供3A的最大連續(xù)輸出電流（IO），適用于中等電流需求場景。該整流橋憑借出色的性能與小型化封裝設計，成為各類電路設計的理想選擇，尤其適合需要處理高電壓且空間受限的應用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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