PSMN3R4-30BLE_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
PSMN3R4-30BLE N溝道MOS管采用先進的TO-252-2L封裝，旨在優(yōu)化空間利用并提升散熱性能。本器件額定漏源電壓(VDSS)為30V，最大連續(xù)漏極電流(ID)高達120A，可輕松應對大電流應用場景。其獨特優(yōu)勢在于極低的導通電阻RD(on)，僅為3mΩ，確保在工作狀態(tài)下減少能耗，提高整體系統(tǒng)效率。廣泛應用于開關電源、馬達驅(qū)動、LED照明等領域，是高效能、低功耗解決方案的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會員等級：會員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
