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FDD3682_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/100.0V 參數(shù)3:ID/30.0A 參數(shù)4:RDON/35.0mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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FDD3682 是一款高性能N溝道MOSFET,采用標準TO-252-2L封裝,適用于高功率應(yīng)用。該器件具有100V的高耐壓值和高達30A的連續(xù)電流承載能力,尤其適合于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等大電流領(lǐng)域。其導(dǎo)通電阻低至35mΩ,確保在高負荷運行條件下仍保持卓越的能效和散熱性能。選擇FDD3682 MOS管,即選擇了強大穩(wěn)定、高效節(jié)能的半導(dǎo)體解決方案。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

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  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014